Продукція > MIE

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MIE-114A1UNI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE-134A1
на замовлення 182000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE-144A1UNI
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE-304A4
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE-324A4
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE-516L3U
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE-516L3U-
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE-516L3U-T
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE-543A2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE-544A2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE0100B (Щупи для тестерів M890)
Код товару: 26799		LechpolІнструмент та обладнання > Аксесуари до інструменту та обладнання
Тип: Щупи під мультиметр
Опис: Щупи для тестерів М890
товар відсутній
MIE114A1UNi
на замовлення 938 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE1300108+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE13007-2
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE15032G
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE15033G
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE170
на замовлення 39900000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE171
на замовлення 39900000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE172
на замовлення 39900000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE1W0505BGLVH-3R-PMonolithic Power Systems (MPS)Isolated DC/DC Converters - SMD Next gen ultra small size isolated power module
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+113.43 грн
5+ 110.28 грн
10+ 94.56 грн
25+ 91.9 грн
50+ 89.24 грн
100+ 85.91 грн
250+ 83.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
MIE20N03ASTR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIE544A2
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MIEB100W1200TEHIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: E3
Current - Collector (Ic) (Max): 183 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V
товар відсутній
MIEB100W1200TEHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; MOSFET three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Type of module: IGBT
Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MIEB100W1200TEHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; MOSFET three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Type of module: IGBT
Topology: MOSFET three-phase bridge; NTC thermistor
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Collector current: 128A
товар відсутній
MIEB100W1200TEHIXYSIGBT Modules Six Pack SPT IGBT
товар відсутній
MIEB101H1200EHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 630W
Application: motors; photovoltaics
Topology: H-bridge
Power dissipation: 630W
Technology: Sonic FRD™; SPT+
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 128A
товар відсутній
MIEB101H1200EHIXYSIGBT Modules IGBT Module H Bridge
на замовлення 31 шт:
термін постачання 553-562 дні (днів)
1+9918.22 грн
MIEB101H1200EHLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW 14-Pin Case E-3 Box
товар відсутній
MIEB101H1200EHIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 183 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V
товар відсутній
MIEB101H1200EHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; H-bridge; Urmax: 1.2kV; 630W
Application: motors; photovoltaics
Topology: H-bridge
Power dissipation: 630W
Technology: Sonic FRD™; SPT+
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: Press-in PCB
Type of module: IGBT
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: E3-Pack
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 128A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MIEB101W1200EHLittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 183A 630000mW Box
товар відсутній
MIEB101W1200EHIXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 183A 630W E3
Packaging: Box
Package / Case: E3
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: E3
Current - Collector (Ic) (Max): 183 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 630 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.43 nF @ 25 V
товар відсутній
MIEB101W1200EHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Application: motors; photovoltaics
Power dissipation: 630W
Type of module: IGBT
Technology: Sonic FRD™; SPT+
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 128A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MIEB101W1200EHIXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT three-phase bridge
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Case: E3-Pack
Application: motors; photovoltaics
Power dissipation: 630W
Type of module: IGBT
Technology: Sonic FRD™; SPT+
Topology: IGBT three-phase bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 128A
Pulsed collector current: 200A
товар відсутній
MIEB101W1200EHIXYSIGBT Modules Six-Pack SPT IGBT
на замовлення 10 шт:
термін постачання 567-576 дні (днів)
1+12142.56 грн
MIESTRO-1
на замовлення 78 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)