Продукція > MII

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MII-233GP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII-266GP2.0VCYRIX00+ CPGA;
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII-300GPMII
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII-300GP75/225
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII-300GP75/2252.9V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII-333GPCYRIX04+ PGA
на замовлення 2198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII-366GP
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII-366GP2.2V-85C
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII-400GPCyrixMIIPGA
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII0805M221R-10
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MII100-12A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 90A
Case: Y4-M5
Application: motors; photovoltaics
Power dissipation: 560W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 150A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MII100-12A3IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5
Packaging: Bulk
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 135 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 560 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.5 nF @ 25 V
товар відсутній
MII100-12A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 135A 560000mW 7-Pin Y4-M5
товар відсутній
MII100-12A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 135A 560000mW 7-Pin Y4-M5
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4431.3 грн
MII100-12A3IXYSDiscrete Semiconductor Modules IGBT MODULE 1200V, 100A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MII100-12A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 90A
Case: Y4-M5
Application: motors; photovoltaics
Power dissipation: 560W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 90A
Pulsed collector current: 150A
товар відсутній
MII145-12A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 160A 700000mW 7-Pin Y4-M5
товар відсутній
MII145-12A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 110A
Case: Y4-M5
Application: fans; for pump; motors; photovoltaics
Power dissipation: 700W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 200A
товар відсутній
MII145-12A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 110A
Case: Y4-M5
Application: fans; for pump; motors; photovoltaics
Power dissipation: 700W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 110A
Pulsed collector current: 200A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MII145-12A3IXYSDescription: MOD IGBT RBSOA 1200V 160A Y4-M5
товар відсутній
MII150-12A4LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 180A 760000mW 7-Pin Y3-DCB
товар відсутній
MII150-12A4IXYSDiscrete Semiconductor Modules 150 Amps 1200V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MII150-12A4IXYSDescription: MOD IGBT RBSOA 1200V 180A Y3-DCB
товар відсутній
MII150-12A4
Код товару: 49420		Транзистори > IGBT
товар відсутній
MII150-12A4IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 120A
Type of module: IGBT
Application: motors
Power dissipation: 760W
Technology: NPT
Mechanical mounting: screw
Pulsed collector current: 200A
Max. off-state voltage: 1.2kV
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: transistor/transistor
Case: Y3-DCB
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 120A
Topology: IGBT half-bridge
товар відсутній
MII200-12A4IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 270A 1130W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 270 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1130 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товар відсутній
MII200-12A4IXYSMII200-12A4 IGBT modules
товар відсутній
MII200-12A4LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 270A 1130000mW 7-Pin Y3-DCB
товар відсутній
MII200-12A4IXYSDiscrete Semiconductor Modules 200 Amps 1200V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MII300-12A4IXYS/LittelfuseТранзистор IGBT; Uceb, В = 1 200; Ic, А = 330; Uce(on), В = 2,2; Uge(th), В = 4,5...6,5; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = выводной; td(on), нс = 100; td(off), нс = 90; Y3-DCB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+6393.82 грн
10+ 5967.56 грн
100+ 5541.31 грн
MII300-12A4IXYSDiscrete Semiconductor Modules IGBT MODULE 1200V,300A
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MII300-12A4IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 330A 1380W Y3DCB
Packaging: Box
Package / Case: Y3-DCB
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-DCB
IGBT Type: NPT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1380 W
Current - Collector Cutoff (Max): 13 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13 nF @ 25 V
товар відсутній
MII300-12A4LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 330A 1380000mW 7-Pin Y3-DCB
товар відсутній
MII300-12A4IXYSMII300-12A4 IGBT modules
товар відсутній
MII300-12E4IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 280A 1100W Y3LI
Packaging: Box
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-Li
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 280 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1100 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11 nF @ 25 V
товар відсутній
MII400-12E4IXYSDescription: IGBT MOD 1200V 420A 1700W Y3LI
Package / Case: Y3-Li
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 300A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y3-Li
IGBT Type: NPT
Current - Collector (Ic) (Max): 420 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 1700 W
Current - Collector Cutoff (Max): 3.3 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 17 nF @ 25 V
товар відсутній
MII75-12A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 60A
Case: Y4-M5
Application: fans; for pump; motors; photovoltaics
Power dissipation: 370W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 100A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
MII75-12A3IXYSDiscrete Semiconductor Modules 75 Amps 1200V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
MII75-12A3LittelfuseTrans IGBT Module N-CH 1200V 90A 370000mW 7-Pin Y4-M5
товар відсутній
MII75-12A3
Код товару: 79384		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товар відсутній
MII75-12A3IXYSDescription: IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
Packaging: Box
Package / Case: Y4-M5
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Y4-M5
IGBT Type: NPT
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 90 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 370 W
Current - Collector Cutoff (Max): 4 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.3 nF @ 25 V
товар відсутній
MII75-12A3IXYSCategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; transistor/transistor; IGBT half-bridge; Ic: 60A
Case: Y4-M5
Application: fans; for pump; motors; photovoltaics
Power dissipation: 370W
Electrical mounting: FASTON connectors; screw
Mechanical mounting: screw
Type of module: IGBT
Technology: NPT
Topology: IGBT half-bridge
Max. off-state voltage: 1.2kV
Semiconductor structure: transistor/transistor
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 60A
Pulsed collector current: 100A
товар відсутній
MiiNePort E1
Код товару: 133166		Модульні елементи > Програматори, засоби налагодження
товар відсутній
MIINEPORT E2MoxaDescription: EMBEDDED DEVICE SERVER FOR TTL D
Packaging: Box
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
MIINEPORT E2-HMoxaDescription: Embedded device server for TTL d
Packaging: Retail Package
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
MiiNePort E2-H-TMoxaDescription: Embedded device server for TTL d
Packaging: Retail Package
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
MiiNePort E2-SDKMoxaDescription: Software Development Kit for Mii
Packaging: Retail Package
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
MIINEPORT E2-STMoxaDescription: STARTER KIT FOR THE MIINEPORT E2
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MIINEPORT E2-TMoxaDescription: Embedded device server for TTL d
Packaging: Retail Package
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
MiiNePort E3MoxaDescription: Embedded device server for TTL d
Packaging: Retail Package
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
MIINEPORT E3-HMoxaDescription: Embedded device server for TTL d
Packaging: Retail Package
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
MIINEPORT E3-H-STMoxaDescription: Starter kit for the MiiNePort E3
Packaging: Retail Package
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
MiiNePort E3-H-TMoxaDescription: Embedded device server for TTL d
Packaging: Retail Package
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній
MiiNePort E3-TMoxaDescription: Embedded device server for TTL d
Packaging: Retail Package
Interface: TTL
Type: Serial to Ethernet
Part Status: Active
Number of Ports: 1
товар відсутній