Продукція > NDT

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NDT-02-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-03-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-04
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-05-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-06-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-07-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-08-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-09
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-10-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.80 грн
8000+25.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014onsemiMOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 35862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
10+37.36 грн
100+32.24 грн
500+29.41 грн
1000+28.13 грн
2000+26.96 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.69 грн
13+62.57 грн
25+61.96 грн
100+45.62 грн
250+41.82 грн
500+31.58 грн
1000+25.09 грн
3000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.57 грн
229+61.96 грн
299+47.31 грн
302+45.16 грн
500+32.90 грн
1000+25.09 грн
3000+22.51 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014Fairchild
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 39245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014-NL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LFairchildN-MOSFET 2.8A 60V 0.17Ω NDT014L TNDT014L
кількість в упаковці: 313 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
313+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LONSEMIDescription: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.46 грн
8000+24.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; Idm: 10A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LonsemiMOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 22385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.98 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LONSEMIDescription: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
на замовлення 19145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+69.67 грн
100+46.43 грн
500+34.22 грн
1000+31.21 грн
2000+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+53.45 грн
1000+49.29 грн
10000+43.95 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L-NL
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L-NL********
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT016-G1A-ABBT-AMISAKIN/A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT016-G1A-ACBT07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GonsemiMOSFET NFET SOT223 600V 0.4A 65M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDT01N60T1G - NDT01N60T1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 138431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+31.02 грн
10000+27.66 грн
100000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 19862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+31.02 грн
10000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+31.02 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 136293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+27.41 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N40T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 400MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N40T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 400MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N40T1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT223 400V 1.7A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N60ZT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N60ZT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03N40ZT1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT223 400V 6A 3.4OH
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03N40ZT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03N40ZT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03N40ZT3GON SemiconductorMOSFET NFET SOT223 400V 6A 3.4OH
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT056A
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT11N02
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT16PFJ-8KITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT16PFJ-8KIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-FBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT16PFJ-9MET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 96-FBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 933 MHz
Technology: SDRAM - DDR3
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 96-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-8KITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-8KITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-8KIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 78-FBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 800 MHz
Technology: SDRAM - DDR3
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-9METInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-9METInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT290T-NL
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ONSEMIDescription: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 9098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.44 грн
8000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.44 грн
8000+20.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955On SemiconductorТранзистор, P-MOSFET, полевой, -60V, -2,5A, 3W, SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955onsemiMOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 54943 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ONSEMIDescription: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.95 грн
8000+21.00 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 176000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+21.88 грн
8000+20.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955
Код товару: 60796
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1160+30.50 грн
Мінімальне замовлення: 1160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ONSEMIDescription: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 9098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 30800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.34 грн
504+28.09 грн
4000+27.28 грн
8000+25.26 грн
12000+22.55 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2.5A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 3278 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.16 грн
8+55.35 грн
10+47.64 грн
50+31.70 грн
100+26.92 грн
250+22.48 грн
500+20.13 грн
1000+18.37 грн
2000+17.19 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON-SemiconductorP-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955-NLFAIRCHIL10+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955-NL************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955/2955FAIR
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955PFAIRCHIL09+ DIP5
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955VT4
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2N02
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+50.53 грн
1000+46.59 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.34 грн
8000+24.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ONSEMIDescription: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.89 грн
11+71.36 грн
100+53.09 грн
500+43.59 грн
1000+32.93 грн
2000+30.44 грн
4000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055Fairchild
на замовлення 107500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+111.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.75 грн
4000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055onsemiMOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
на замовлення 7162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ONSEMIDescription: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 11876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.65 грн
10+69.36 грн
100+46.25 грн
500+34.08 грн
1000+31.08 грн
2000+28.56 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.01 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.30 грн
24000+33.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]