Продукція > NDT

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NDT-02-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-03-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-04
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-05-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-06-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-07-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-08-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-09
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT-10-V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 17005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.61 грн
10+37.02 грн
100+31.95 грн
500+29.14 грн
1000+27.87 грн
2000+26.72 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014onsemi / FairchildMOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 39245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.56 грн
100+26.23 грн
500+26.16 грн
1000+25.54 грн
2000+25.47 грн
4000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014Fairchild
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+71.85 грн
13+62.71 грн
25+62.10 грн
100+45.73 грн
250+41.91 грн
500+31.65 грн
1000+25.14 грн
3000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT-223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.55 грн
8000+25.57 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014onsemiMOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode
на замовлення 36259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.17 грн
10+70.97 грн
100+41.70 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+62.71 грн
229+62.10 грн
299+47.42 грн
302+45.26 грн
500+32.97 грн
1000+25.14 грн
3000+22.56 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014-NL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 16293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
662+53.57 грн
1000+49.40 грн
10000+44.05 грн
Мінімальне замовлення: 662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+36.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LONSEMIDescription: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.87 грн
50+74.66 грн
250+54.77 грн
1000+35.30 грн
2000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2.8A; Idm: 10A; 3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.8A
Pulsed drain current: 10A
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
на замовлення 9778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.29 грн
10+63.57 грн
100+43.88 грн
500+32.35 грн
1000+29.50 грн
2000+27.11 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+37.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LFairchildN-MOSFET 2.8A 60V 0.17Ω NDT014L TNDT014L
кількість в упаковці: 313 шт
на замовлення 293 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
313+10.71 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT223-4
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 214 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-223-4
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 3.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.77 грн
8000+26.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LONSEMIDescription: ONSEMI - NDT014L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2.8 A, 0.16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85331000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 4848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.66 грн
250+54.77 грн
1000+35.30 грн
2000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014LonsemiMOSFETs N-Ch LL FET Enhancement Mode
на замовлення 22385 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+115.17 грн
10+72.40 грн
100+41.70 грн
500+32.79 грн
1000+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L-NL
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT014L-NL********
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT016-G1A-ABBT-AMISAKIN/A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT016-G1A-ACBT07+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+31.09 грн
10000+27.73 грн
100000+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GONSEMIDescription: ONSEMI - NDT01N60T1G - NDT01N60T1G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 138431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.15 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GonsemiMOSFET NFET SOT223 600V 0.4A 65M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA SOT223
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 137293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
757+26.40 грн
Мінімальне замовлення: 757 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 19862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+31.09 грн
10000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT01N60T1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1140+31.09 грн
Мінімальне замовлення: 1140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N40T1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT223 400V 1.7A
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N40T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 400MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N40T1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 400MA SOT223
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N60ZT1GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT02N60ZT3GonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03C
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03N40ZT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03N40ZT1GON SemiconductorMOSFET NFET SOT223 400V 6A 3.4OH
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03N40ZT3GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 400V 0.5A SOT223-4
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT03N40ZT3GON SemiconductorMOSFET NFET SOT223 400V 6A 3.4OH
на замовлення 3970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT056A
на замовлення 7350 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT11N02
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT16PFJ-8KITInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT16PFJ-8KIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 96-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Technology: SDRAM - DDR3
Clock Frequency: 800 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 96-FBGA (8x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 64M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT16PFJ-9MET TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 64M x 16
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 96-FBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 933 MHz
Technology: SDRAM - DDR3
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Operating Temperature: 0°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 96-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-8KITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
на замовлення 3759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-8KITInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-8KIT TRInsignis Technology CorporationDescription: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 78FBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 128M x 8
Access Time: 20 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 78-FBGA (8x10.5)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 800 MHz
Technology: SDRAM - DDR3
Voltage - Supply: 1.425V ~ 1.575V
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 1Gbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 78-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-9METInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT18PFH-9METInsignis Technology CorporationDescription: IC SDRAM 1GBIT 933MHZ 78BGA
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT290T-NL
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ONSEMIDescription: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 9906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.47 грн
50+39.06 грн
250+26.90 грн
1000+20.27 грн
2000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 1322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.44 грн
10+47.19 грн
100+30.96 грн
500+22.49 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+28.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.86 грн
14+56.11 грн
100+39.38 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955
Код товару: 60796
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ONSEMIDescription: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 9906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.06 грн
250+26.90 грн
1000+20.27 грн
2000+17.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
259+54.89 грн
369+38.42 грн
373+38.03 грн
622+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 259 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.15 грн
14+55.93 грн
25+54.89 грн
100+37.05 грн
250+33.95 грн
500+19.55 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955onsemi / FairchildMOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.90 грн
10+42.55 грн
100+25.27 грн
500+18.64 грн
1000+17.26 грн
2000+16.08 грн
4000+13.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 2.5A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 332000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.06 грн
8000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON-SemiconductorP-MOSFET 2.5A 60V 3W 0.3Ω NDT2955 smd TNDT2955
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.33 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+24.93 грн
8000+23.84 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ONSEMIDescription: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.3 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.05 грн
12000+18.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 332000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.06 грн
8000+19.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955onsemiMOSFETs SOT-223 P-CH ENHANCE
на замовлення 71760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.35 грн
10+45.81 грн
100+24.51 грн
500+20.37 грн
1000+18.43 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 2.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1218+29.11 грн
Мінімальне замовлення: 1218 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955On SemiconductorТранзистор, P-MOSFET, полевой, -60V, -2,5A, 3W, SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955ONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 3W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: -60V
Kind of channel: enhancement
Drain current: -2.5A
On-state resistance: 0.3Ω
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 3745 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+72.49 грн
8+54.84 грн
10+47.20 грн
50+31.41 грн
100+26.67 грн
250+22.27 грн
500+19.94 грн
1000+18.20 грн
2000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955-NLFAIRCHIL10+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955-NL************
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955/2955FAIR
на замовлення 10500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955NLFAIRCHILD
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955PFAIRCHIL09+ DIP5
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955VT4
на замовлення 6210 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955_NLFAIRCHILD
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2955_Qonsemi / FairchildMOSFET SOT-223 P-CH ENHANCE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NDT2N02
на замовлення 480 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.14 грн
11+71.52 грн
100+53.20 грн
500+43.69 грн
1000+33.00 грн
2000+30.51 грн
4000+27.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+112.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+39.84 грн
4000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-4
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V
на замовлення 11878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.28 грн
10+67.23 грн
100+44.78 грн
500+33.00 грн
1000+30.10 грн
2000+27.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ONSEMIDescription: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.04 грн
250+52.35 грн
1000+33.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.08 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 4A; Idm: 25A; 3W; SOT223
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT223
Polarisation: unipolar
Gate charge: 9nC
On-state resistance: 0.1Ω
Power dissipation: 3W
Drain current: 4A
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 25A
Drain-source voltage: 60V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2732 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+94.86 грн
10+61.16 грн
50+44.71 грн
100+39.06 грн
250+32.74 грн
500+28.83 грн
1000+26.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.38 грн
24000+33.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NDT3055onsemiMOSFETs SOT-223 N-CH ENHANCE
на замовлення 7162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.06 грн
10+58.43 грн
100+35.00 грн
500+29.27 грн
1000+23.89 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]