Продукція > NJL

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NJL-7260EJRC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DonsemiBipolar Transistors - BJT PPD NPN 150W THERMALTRAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN + diode; bipolar; 260V; 15A; 180W; TO264-5
Type of transistor: NPN + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 180W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+379.22 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN 150W THERMALTRAK PPD
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGOn SemiconductorNPN, TO-264-5, Uce=260V, Ic=15A, Ft=30MHz, hFE=75...150, -65...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DG
Код товару: 174069
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+342.08 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 180 W
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.37 грн
25+317.16 грн
100+265.84 грн
500+214.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+342.08 грн
25+341.05 грн
100+336.33 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGON Semiconductor
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 19435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+430.20 грн
100+408.98 грн
500+387.77 грн
1000+352.32 грн
10000+307.28 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0281DGONSEMIDescription: ONSEMI - NJL0281DG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DonsemiBipolar Transistors - BJT PPD PNP 150W THEMAL TRAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 180 W
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.56 грн
25+252.31 грн
100+209.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+307.62 грн
500+292.30 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+307.62 грн
500+292.30 грн
1000+275.80 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGonsemiBipolar Transistors - BJT PNP 150W THERMALTRAK PPD
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGONSEMIDescription: ONSEMI - NJL0302DG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 125 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGOn SemiconductorPNP, TO-264-5, Uce=260V, Ic=15A, Ft=30MHz, hFE=75...150, -65...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP + diode; bipolar; 260V; 15A; 180W; TO264-5
Type of transistor: PNP + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 180W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 75...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+307.62 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGON Semiconductor
на замовлення 143 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 260V 15A 180000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 21216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
115+307.62 грн
500+292.30 грн
1000+275.80 грн
10000+250.04 грн
Мінімальне замовлення: 115 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL0302DG
Код товару: 174070
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 260V 200W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302D
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DGONSEMIDescription: ONSEMI - NJL1302DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 10899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
106+335.91 грн
500+318.23 грн
1000+300.55 грн
10000+272.77 грн
Мінімальне замовлення: 106 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DGONSEMICategory: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5
Type of transistor: PNP + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+363.14 грн
10+273.40 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DGonsemiDescription: TRANS PNP 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP + Diode (Isolated)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+601.97 грн
25+344.39 грн
100+288.36 грн
500+228.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DGON SemiconductorTrans GP BJT PNP 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DGonsemiBipolar Transistors - BJT PNPBIP PWR THERM TRK PPD
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL1302DGON Semiconductor
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21193DG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21193DGonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21193DGONSEMIDescription: ONSEMI - NJL21193DG - NJL21193DG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21193DGonsemiDescription: TRANS PNP 250V 16A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+132.95 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21194DGonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 175 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21194DGONSEMIDescription: ONSEMI - NJL21194DG - NJL21194DG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21194DGonsemiDescription: TRANS NPN 250V 16A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
Frequency - Transition: 4MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 2320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+132.95 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21194DG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21H380
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21H380AJRC09+
на замовлення 240 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21H380F3
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21H380F3.
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21H400A
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21H400AF3-M
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21V380
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21V380.
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21V380AM
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21V380AM-#ZZZB
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21V380AM-TE1-#Z
на замовлення 879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21V400A
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21V400A.
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL21V400B-M
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL22H400B
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL23H367AJRC
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL29V360AP
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL31H380
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL31H380.
на замовлення 7296 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL31H380F3
на замовлення 26114 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL31V380
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL31V380.
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL31V380A-M
на замовлення 7867 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DONTO264 05+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DonsemiBipolar Transistors - BJT 15A 260V 200W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+476.54 грн
100+384.51 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+476.54 грн
100+384.51 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN BIPPWR THERM TRAK
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+449.26 грн
50+448.15 грн
100+444.82 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+799.86 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+799.86 грн
25+478.37 грн
100+437.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGONSEMICategory: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN + diode; bipolar; 260V; 15A; 200W; TO264-5
Type of transistor: NPN + diode
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 260V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO264-5
Pulsed collector current: 25A
Current gain: 45...150
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 30MHz
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+513.90 грн
2+451.19 грн
5+398.36 грн
10+356.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGONSEMIDescription: ONSEMI - NJL3281DG - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 260 V, 15 A, 200 W, TO-264, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-264
Dauerkollektorstrom: 15A
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 260V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGonsemiDescription: TRANS NPN 260V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 260 V
Power - Max: 200 W
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+675.65 грн
25+391.85 грн
100+330.27 грн
500+263.74 грн
1000+259.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJL3281DGON SemiconductorTrans GP BJT NPN 260V 15A 200000mW 5-Pin(5+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4201DG
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4281DonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4281DGonsemiDescription: TRANS NPN 350V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 230 W
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+243.63 грн
Мінімальне замовлення: 83 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4281DG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4281DGONSEMIDescription: ONSEMI - NJL4281DG - NJL4281DG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4281DGonsemiDescription: TRANS NPN 350V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN + Diode (Isolated)
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4281DGonsemiBipolar Transistors - BJT NPN BIPPWR THERM TRAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4302DonsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4302DGonsemiDescription: TRANS PNP 350V 15A TO-264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-5
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5A, 5V
Frequency - Transition: 35MHz
Supplier Device Package: TO-264-5
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 230 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4302DGonsemiBipolar Transistors - BJT PNP BIPPWR THERM TRAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJL4302DG
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL5102D
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL5111D
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL5121D
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL5121DBJRC98 DIP6P
на замовлення 158 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL5125D
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NJL5126DJRC93+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]