Продукція > NJT
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NJT4030PT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4030PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4030PT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJT4030PT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 160MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4030PT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 15793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4030PT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4030PT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR | на замовлення 9891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4030PT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4030PT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4030PT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 40V 3A PNP BIPOLAR POWER TRANSISTOR | на замовлення 32145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4030PT3G | onsemi | Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 100276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4030PT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4030PT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4031NT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 100 Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 215 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 856 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP | на замовлення 31700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 7424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4031NT3G | ON Semiconductor | на замовлення 2719 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
NJT4031NT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 9137 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
NJT4031NT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP SOT223 | на замовлення 4478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 215MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 2 W | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT4031NT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 3835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
NJT44 | на замовлення 55000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NJT4558M | на замовлення 376 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NJT9616D | на замовлення 2022 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
NJTY 3266TA Код товару: 195600
Додати до обраних
Обраний товар
| Інструмент та обладнання > Прилади вимірювальні (Мультиметри, Тестери) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |