Продукція > NVC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVC0-SM447
на замовлення 875 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC020N120SC1ON SemiconductorSilicon Carbide MOSFET, N Channel, 1200 V, 20 m, Bare Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVC100
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC1000NEXTCHIPQFP
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC1001
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC1100M
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC1300NEXTCHIPQFP
на замовлення 3325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC1301NEXTCHIP05NOPB
на замовлення 912 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC1400
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC1600DNEXTCHIP0946+ BGA
на замовлення 156 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC1600F
на замовлення 5837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC1600S
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC160N120SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE MOSFET, NCHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 224mOhm @ 12A, 20V
Power Dissipation (Max): 119W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 665 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVC2MCIA-T
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC3S5A51PLZT1GON Semiconductor
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC3S5A51PLZT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
на замовлення 4966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC3S5A51PLZT1GON SemiconductorMOSFET PCH 1.8A 60V 4V DRIVE
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC3S5A51PLZT1GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 1.8A 3-CPH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC4276A-5.0
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC6S5A354PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVC6S5A354PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 42832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1350+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 1350
В кошику  од. на суму  грн.
NVC6S5A354PLZT1GON Semiconductor
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC6S5A354PLZT1GON SemiconductorMOSFET PCH 4V DRIVE SERIES
на замовлення 15088 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC6S5A354PLZT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 4A 6CPH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-CPH
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVC6S5A444NLZT1GON SemiconductorMOSFET NCH4.5A60V4.5V DRIV E CPH6
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC6S5A444NLZT1GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 4.5A CPH6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVC6S5A444NLZT1GON Semiconductor
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC7356G
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVC7517
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVCAA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVCAA93C46
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVCAA9527STSOP-8
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVCAA9535STSOP-8
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVCAA9548STSOP-8
на замовлення 40 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVCAA9601STSOP-8
на замовлення 62 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVCR5C426NonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V RINGPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVCR5C426NON SemiconductorON Semiconductor T6-D3F 40V NFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVCR8LS025N65S3AonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 37.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 595W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): 30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 236 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVCR8LS4D1N15MCAonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, 150 V,
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: Wafer
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVCW3SS0D5N03CLAON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 370A Die MTFRM Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVCW4LS001N08HAonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, 80 V, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: Wafer
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.