НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVVR26A120M1WSBONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 400A; AHPM5-CDE; screw,THT
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 400A
Case: AHPM5-CDE
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw; THT
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 1kW
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSBonsemiMOSFET Modules SIC A1HPM 1200 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+30653.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSBonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDE
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1000W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1750nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDE
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26101.06 грн
12+24613.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSSONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 400A; AHPM5-CDI; screw,THT
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 400A
Case: AHPM5-CDI
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw; THT
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 1kW
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSSonsemiDiscrete Semiconductor Modules SIC A1HPM 1200 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+35338.92 грн
12+30356.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSSonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDI
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1000W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1750nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDI
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26101.06 грн
12+24613.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSTonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V AHPM15-CDA
Packaging: Tube
Package / Case: 15-PowerDIP Module (2.441", 62.00mm)
Mounting Type: Through Hole
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1000W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 31700pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 400A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1750nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.2V @ 150mA
Supplier Device Package: AHPM15-CDA
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+26101.06 грн
12+24613.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSTONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 400A; AHPM5-CDA; screw,THT
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 400A
Case: AHPM5-CDA
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: screw; THT
On-state resistance: 4.6mΩ
Power dissipation: 1kW
Technology: SiC
Gate-source voltage: -10...25V
Kind of package: tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVVR26A120M1WSTonsemiMOSFET Modules SIC A1HPM 1200 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+31456.49 грн
12+30215.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.