Продукція > P3M

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
P3MSwitchcraftXLR Connectors 3P GOOSENECK PLUG
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1014.66 грн
10+ 999.4 грн
20+ 792.46 грн
50+ 759.17 грн
100+ 684.58 грн
P3MSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE 3PIN
товар відсутній
P3M-42D-K800+
на замовлення 12560 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P3M-42D-K8
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P3M06040K3PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 68A TO247-3
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+859.39 грн
11+ 786.32 грн
101+ 769.73 грн
P3M06040K4PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 68A TO247-4
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+859.39 грн
11+ 786.32 грн
101+ 769.73 грн
P3M06300D8PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 9A DFN8*8
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+351.54 грн
11+ 321.74 грн
101+ 294.65 грн
P3M06300T3PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 650V 9A TO-220-3
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+362.34 грн
11+ 331.26 грн
101+ 303.37 грн
1001+ 245.43 грн
2000+ 196.35 грн
P3M12017K4PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 151A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 151A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 75A, 15V
Power Dissipation (Max): 789W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 75mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
P3M12025K3PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 113A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 113A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 524W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 17.7mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +21V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
P3M12025K4PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 112A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 112A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 577W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2070.32 грн
11+ 1893.94 грн
P3M12040G7PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 69A TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 53mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
P3M12040K3PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 63A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 63A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 40A, 15V
Power Dissipation (Max): 349W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 40mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
P3M12080G7PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 32A TO-263-7
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 136W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30mA (Typ)
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
P3M12080K3PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
P3M12080K4PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 47A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 221W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
P3M12160K3PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-3L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
P3M12160K4PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1200V 19A TO-247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 192mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 110W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 2.5mA (Typ)
Supplier Device Package: TO-247-4L
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +21V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
товар відсутній
P3M171K0T3PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 6A TO-220-3
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+443.74 грн
11+ 401.45 грн
101+ 367.33 грн
P3M173K0T3PN Junction SemiconductorDescription: SICFET N-CH 1700V 4A TO-220-3
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.55 грн
11+ 334.36 грн
101+ 298.79 грн
P3MBSwitchcraft Inc.Description: CONN RCPT MALE 3PIN BLACK
товар відсутній
P3MBSwitchcraftXLR Connectors PEM W/BLACK HOUSING
товар відсутній
P3MMApex Tool GroupDescription: NUT DRIVER HEX SOCKET 3MM 3.5"
товар відсутній
P3MS650100H-4CRonsemiDescription: IC CLK GEN EMI REDUCTION 4WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 60MHz
Input: LVCMOS
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 4-WDFN (1x1.2)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: No/No
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
P3MS650100H-4CRON SemiconductorClock Generator 15MHz to 60MHz-IN 60MHz-OUT 4-Pin WDFN T/R
товар відсутній
P3MS650100H-4CRonsemiDescription: IC CLK GEN EMI REDUCTION 4WDFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 60MHz
Input: LVCMOS
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 4-WDFN (1x1.2)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: No/No
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 60070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+47.89 грн
Мінімальне замовлення: 417
P3MS650103H-4CRonsemiDescription: IC CLK GEN EMI REDUCTION 4WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 60MHz
Input: LVCMOS
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Ratio - Input:Output: 1:1
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 4-WDFN (1x1.2)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: No/No
Part Status: Obsolete
Number of Circuits: 1
DigiKey Programmable: Not Verified
товар відсутній
P3MS650103H-4CRON SemiconductorClock Generators & Support Products 1.8V/2.5V/3.3V GP EMI
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
P3MS650103H-4CRON Semiconductor1.8V/2.5V/3.3V, LVCMOS Peak EMI Reduction Clock Generator
товар відсутній
P3MS650103H-4CRonsemiDescription: P3MS650103 - 1.8V/2.5V/3.3V GP E
Packaging: Bulk
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Package / Case: 4-WFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVCMOS
Frequency - Max: 60MHz
Input: LVCMOS
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 1.6V ~ 3.6V
Differential - Input:Output: No/No
Supplier Device Package: 4-WDFN (1x1.2)
PLL: Yes
Divider/Multiplier: No/No
Number of Circuits: 1
на замовлення 17190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+50.55 грн
Мінімальне замовлення: 396