Продукція > RGF
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
RGF02-20 | на замовлення 5700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF10A | на замовлення 37800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF10G | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF10J | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF10K | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF10M | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF10M(FR107) | на замовлення 8698 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF10M-F | на замовлення 13700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF10M/ZR10M | ZOWIE | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
RGF15D | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF1A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1A | Fairchild Semiconductor | Description: RECTIFIER DIODE, 1A, 50V, DO-214 | на замовлення 34845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1A | EIC | SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1A | ONSEMI | RGF1A SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1A | onsemi / Fairchild | Rectifiers 50V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 14214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1A-E3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1A-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 50 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 3531 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1A-E3/67A | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1A-E3/67A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF1A-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 5913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1A-E3/67A | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1AHE3-A/H | Vishay | Rectifiers 1A 50V 150NS FS. RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1AHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1AHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 50 Volt 150ns 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | на замовлення 6970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 100V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B | onsemi / Fairchild | Rectifiers 100V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 7180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1B | ONSEMI | RGF1B SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | на замовлення 20437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1B-E3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 100V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 6822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1B-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1B-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 100 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1BHE3-A/H | Vishay | Rectifiers 1A 100V 150NS FS. RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1BHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 100 Volt 150ns 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1BHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D | ONSEMI | RGF1D SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D | onsemi / Fairchild | Rectifiers 200V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 6356 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1D | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 5805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1D | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D-E3/17A | на замовлення 13700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF1D-E3/1TA | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,200V,150NS,FS. SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D-E3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1D-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1D-E3/67A | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 25665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1D-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 6007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1D-E3/67A Код товару: 185133
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
RGF1D-E3/67A | VISHAY | Description: VISHAY - RGF1D-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 41762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 13243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1DHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1DHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 5992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1DHE3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1DHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 14375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1G | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 14375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1G | EIC | SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G | onsemi / Fairchild | Rectifiers 400V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 14068 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G | ONSEMI | RGF1G SMD universal diodes | на замовлення 2752 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1G-1HE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G-1HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1A 400V 150NS FS. RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G-E3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G-E3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G-E3/67A | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1G-E3/67A | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G-E3/67A | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF1G-E3/67A | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1G-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 5584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1G-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 400 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1G/17A | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching RECOMMENDED ALT 625-RGF1G-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1GHE3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1GHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 400 Volt 150ns 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1GHE3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1GHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1GHE3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 400V 30Amp AEC-Q101 | на замовлення 1392 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J | EIC | SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J | ONSEMI | RGF1J SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 6897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J | onsemi / Fairchild | Rectifiers 600V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 9303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 6128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 6897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J(RGF1J) | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF1J-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 5075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM | на замовлення 5677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J-E3/67A | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J-E3/67A | VISHAY | RGF1J-E3/67A SMD universal diodes | на замовлення 4682 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM | на замовлення 3024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J-E3/67A | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1J-E3/67A | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1J/17A(RJ) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF1JHE3/5CA | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM | на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1JHE3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1JHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1JHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1JHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 600V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 600V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 7383 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1K | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K | onsemi / Fairchild | Rectifiers 800V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1K | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1K - 1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K | EIC | SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K-E3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K-E3/67A | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 5546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1K-E3/67A | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1K-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 800 Volt 500ns 30 Amp IFSM | на замовлення 6980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1K-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1K-E3/67A | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1KHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1KHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1KHE3_A/H | Vishay | Diode Switching 800V 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,800V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1KHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1KHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 800V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1KHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RGF1M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 18277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | EIC | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RGF1M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 18277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1000V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 19634 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | ONSEMI | RGF1M SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M | onsemi | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 34072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | EIC | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | onsemi | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M-7000HE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M-7000HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M-7000HE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM | на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 4246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying Type of diode: rectifying | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | VISHAY | Description: VISHAY - RGF1M-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Superectifier RGF1x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 6241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | VISHAY | Description: VISHAY - RGF1M-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Superectifier RGF1x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1MHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1MHE3/5CA | Vishay | Diode Switching 1KV 1A Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1MHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1MHE3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 1A 500ns Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1MHE3_A/H | Vishay | 1A,1000V,500NS,FS. SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | на замовлення 5403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF1MHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1000V 30Amp AEC-Q101 | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGF1MHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1000V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF20G | ZOWIE | 2A | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGF20K/ZR20K | ZOWIE | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
RGF30B | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
RGF320 | Rego Electronics | CPU & Chip Coolers Aluminum stacked fins w/ Copper base w/ heat pipesFan 92x25 Axial w/ PWM | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA1204011DFT | Walsin | Antennas PCB Antenna | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA1204021A1T | Walsin | Antennas PCB Antenna | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA1204021A1T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA1204021A1T - Chip-Antenne, Keramik, 2.45GHz, 2dBi, 12mm x 4mm x 2mm tariffCode: 85291030 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Antennenbaugröße: 12mm x 4mm x 2mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.45GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RGFRA Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA1204021A1T | Walsin Technol.Corp. | ANTENNA BLUETOOTH, WiFi, f:2.4GHz?2.5GHz, 2dBi , SMD , 50 Ohm RGFRA1204021A1T RF RGFRA1204021A1T кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA1204021A1T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA1204021A1T - Chip-Antenne, Keramik, 2.45GHz, 2dBi, 12mm x 4mm x 2mm tariffCode: 85291030 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Antennenbaugröße: 12mm x 4mm x 2mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.45GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RGFRA Series SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA1204021A1T | WALSIN | RGFRA1204021A1T WiFi/Bluetooth antennas | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA1903041A1T | Walsin Technology Corporation | Description: RF ANT 2.4GHZ CHIP SOLDER SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA1903041A1T | Walsin Technology Corporation | Description: RF ANT 2.4GHZ CHIP SOLDER SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA1903041A1T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA1903041A1T - Antenne, Chip-Antenne, 2.4GHz, ISM-Band, 50 Ohm, linear, 19mm x 3mm x 3.8mm tariffCode: 85177900 productTraceability: No Antennenbaugröße: 19mm x 3mm x 3.8mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.4GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Produktreihe RGFRA SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA1903041A1T | Walsin | Antennas 2.45GHz 2dBi 19x3.0x3.8 | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA1903041A1T | Walsin Technology | 2.4 GHz ISM Band Working Frequency | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA1903041A1T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA1903041A1T - Antenne, Chip-Antenne, 2.4GHz, ISM-Band, 50 Ohm, linear, 19mm x 3mm x 3.8mm tariffCode: 85177900 productTraceability: No Antennenbaugröße: 19mm x 3mm x 3.8mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.4GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Produktreihe RGFRA SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA1903041A5T | Walsin | Antennas PCB Antenna | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA8010110A2T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA8010110A2T - Antenne, Chip-Antenne, 2.4GHz, ISM-Band, 8mm x 1mm x 1.1mm tariffCode: 85177900 productTraceability: No Antennenbaugröße: 8mm x 1mm x 1.1mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.4GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Produktreihe RGFRA SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA8010110A2T | Walsin Technology Corporation | Description: TAPE & REEL (TR) Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz Applications: Bluetooth, ISM Gain: 3.61dBi Termination: Solder Number of Bands: 1 Antenna Type: Chip Height (Max): 0.051" (1.30mm) Return Loss: -9.6dB Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz) Frequency (Center/Band): 2.45GHz RF Family/Standard: Bluetooth | на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA8010110A2T | Walsin Technology Corporation | Description: TAPE & REEL (TR) Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz Applications: Bluetooth, ISM Gain: 3.61dBi Termination: Solder Number of Bands: 1 Antenna Type: Chip Height (Max): 0.051" (1.30mm) Return Loss: -9.6dB Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz) Frequency (Center/Band): 2.45GHz RF Family/Standard: Bluetooth | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA8010110A2T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA8010110A2T - Antenne, Chip-Antenne, 2.4GHz, ISM-Band, 8mm x 1mm x 1.1mm tariffCode: 85177900 productTraceability: No Antennenbaugröße: 8mm x 1mm x 1.1mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.4GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Produktreihe RGFRA SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA9937380A3T | WALSIN | RGFRA9937380A3T WiFi/Bluetooth antennas | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA9937380A3T | Walsin Technology | 2.4 GHz ISM Band Working Frequency | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA9937380A3T | Walsin Technol.Corp. | 2.4 GHz ISM Band Working Frequency ANTENA BLUETOOTH,WIFI, F:2.4GHz?2.5GHz, 2dBi, SMD, 50Ohm RGFRA9937380A3T RF RGFRA9937380A3T кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
RGFRA9937380A3T | Walsin | Antennas 2.55GHz 2dBi 9.9x3.7x3.8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFRA9937380AxT | Walsin | Antennas PCB Antenna | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
RGFW-I002A | WCDMA 1036+ BGA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |