Продукція > RGF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RGF02-20 | на замовлення 5700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF10A | на замовлення 37800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF10G | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF10J | на замовлення 2800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF10K | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF10M | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF10M(FR107) | на замовлення 8698 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF10M-F | на замовлення 13700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF10M/ZR10M | ZOWIE | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| RGF15D | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF1A | EIC | SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1A | Fairchild Semiconductor | Description: RECTIFIER DIODE, 1A, 50V, DO-214 | на замовлення 34845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1A | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 50V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1A | onsemi / Fairchild | Rectifiers 50V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 13729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1A-E3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1A-E3/67A | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 50 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 5479 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1A-E3/67A | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1A-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V | на замовлення 5913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1A-E3/67A | Vishay | Diode Switching 50V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1AHE3-A/H | Vishay | Rectifiers 1A 50V 150NS FS. RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1AHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 50V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1AHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 50 Volt 150ns 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1B | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1B | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | на замовлення 20437 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | на замовлення 6970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1B | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1B - Diode mit Standard-Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1B | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1B | onsemi / Fairchild | Rectifiers 100V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 4790 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1B-E3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 100 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 5076 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1B-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 6822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1B-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 100V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1B-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 100V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1BHE3-A/H | Vishay | Rectifiers 1A 100V 150NS FS. RECT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1BHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 100 Volt 150ns 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1BHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 1A DO214BA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1D | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 5805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1D | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1D | onsemi | Rectifiers 200V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 9925 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1D | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AC Packaging: Bulk Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1D | onsemi / Fairchild | Rectifiers 200V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 9945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/17A | на замовлення 13700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF1D-E3/1TA | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,200V,150NS,FS. SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/67A | VISHAY | Description: VISHAY - RGF1D-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 35408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 25665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 9376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/67A | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF1D-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1D-E3/67A Код товару: 185133
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди обмежувальні (cупрессори) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| RGF1D-E3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 200V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 6007 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1DHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1DHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 200 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 5992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1DHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1DHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 200V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G | EIC | SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G | ONSEMI | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 8.5pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Power dissipation: 1.76W Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2726 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G | onsemi | Rectifiers 400V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 11176 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 12810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin SMA T/R | на замовлення 3550 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G | onsemi | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 28034 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G | ONSEMI | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 400V; 1A; 150ns; SMA; Ufmax: 1.3V; Ifsm: 30A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 1A Reverse recovery time: 150ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Capacitance: 8.5pF Case: SMA Max. forward voltage: 1.3V Max. forward impulse current: 30A Power dissipation: 1.76W Kind of package: reel; tape | на замовлення 2726 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1G - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 150ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 12810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G-1HE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G-1HE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes RECT 400V 1A SM FST SWTCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1700 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G-E3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G-E3/67A | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF1G-E3/67A | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G-E3/67A | Vishay | Diode Switching 400V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 400 Volt 150ns 30 Amp IFSM | на замовлення 9860 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 400V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | на замовлення 8610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1G-E3\5CA | Vishay | Small Signal Switching Diodes 1A,400V,150NS,FS. SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1G/17A | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching RECOMMENDED ALT 625-RGF1G-E3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1GHE3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1GHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 150 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1GHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 400 Volt 150ns 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1GHE3/67A | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 1A 150ns Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1GHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 400V 30Amp AEC-Q101 | на замовлення 1389 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1GHE3_A\H | Vishay | Rectifiers 1A,400V,150NS,SUPERECT,NOT FOR NEW DESN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1J | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 5517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J | onsemi / Fairchild | Rectifiers 600V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 7963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J | EIC | SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1J | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 6128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1J - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1 A, Einfach, 1.3 V, 250 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 250ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 5517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1J | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1J(RGF1J) | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF1J-E3/5CA | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1J-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1J-E3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 5075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J-E3/5CA | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM | на замовлення 5240 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J-E3/67A | VISHAY | RGF1J-E3/67A SMD universal diodes | на замовлення 4630 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J-E3/67A | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1J-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM | на замовлення 7676 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J-E3/67A | Vishay | Diode Switching 600V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1J-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 600V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1J/17A(RJ) | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF1JHE3/5CA | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM | на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1JHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1JHE3/5CA | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 1A 250ns Automotive 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1JHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 250 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1JHE3/67A | Vishay General Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching 1 Amp 600 Volt 250ns 30 Amp IFSM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1JHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 600V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1JHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 600V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1K | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 800V 1A 500ns 2-Pin SMA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1K | onsemi | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 7183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1K | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1K - 1.0A FAST RECOVERY RECTIFIER SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1K | onsemi / Fairchild | Rectifiers 800V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1K | EIC | SURFACE MOUNT FAST RECOVERY RECTIFIERS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1K | onsemi | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1K-E3/5CA | Vishay Semiconductors | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1K-E3/67A | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1K-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1K-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 800 Volt 500ns 30 Amp IFSM | на замовлення 5677 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1K-E3/67A | Vishay | Diode Switching 800V 1A 2-Pin DO-214BA T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1K-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1K-E3\67A | Vishay Semiconductors | Small Signal Switching Diodes 1A,800V,500NS,FS. SUPERECT,SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1KHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1KHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1KHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,800V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1KHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1KHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 800V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1KHE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | onsemi | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | EIC | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RGF1M productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 9326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | EIC | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1M | onsemi | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214AC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AC, SMA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214AC (SMA) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 34072 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 2879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | ON Semiconductor | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin SMA T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1M | ONSEMI | Description: ONSEMI - RGF1M - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: RGF1M productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 9326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M | onsemi / Fairchild | Rectifiers 1000V 1a Rectifier Glass Passivated | на замовлення 4390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M-7000HE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1M-7000HE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1M-7000HE3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | VISHAY | Description: VISHAY - RGF1M-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Superectifier RGF1x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 8080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1 Amp 1000Volt 500ns 30 Amp IFSM | на замовлення 9888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 4246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO214BA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | на замовлення 6241 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | VISHAY | Description: VISHAY - RGF1M-E3/67A - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.3 V, 500 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214BA Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 500ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Superectifier RGF1x Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 8110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1M-E3/67A | Vishay | Diode Switching 1KV 1A 2-Pin DO-214BA T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1MHE3/5CA | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1MHE3/67A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Discontinued at Digi-Key Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | на замовлення 5403 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1MHE3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 1A DO214BA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-214BA Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 500 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 8.5pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: DO-214BA (GF1) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1MHE3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 1A,1000V,500NS,FS. AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF1MHE3_B/H | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1000V 30Amp AEC-Q101 | на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF1MHE3_B/I | Vishay General Semiconductor | Small Signal Switching Diodes 1000V 30Amp AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF20G | ZOWIE | 2A | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF20K/ZR20K | ZOWIE | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| RGF30B | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| RGF320 | Rego Electronics | CPU & Chip Coolers Aluminum stacked fins w/ Copper base w/ heat pipesFan 92x25 Axial w/ PWM | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF36160CU33A | Square D | Circuit Breakers PowerPacT R-Frame circuit breakers are designed to protect electrical systems from damage caused by overloads and short circuits. PowerPacT R-Frame circuit breakers have either a fixed long time electronic trip unit, ET 1.0I, or Micrologi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF36250CU33A | Square D | Circuit Breakers PowerPacT R-Frame circuit breakers are designed to protect electrical systems from damage caused by overloads and short circuits. PowerPacT R-Frame circuit breakers have either a fixed long time electronic trip unit, ET 1.0I, or Micrologi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF36300CU33A | Square D | Circuit Breakers PowerPacT R-Frame circuit breakers are designed to protect electrical systems from damage caused by overloads and short circuits. PowerPacT R-Frame circuit breakers have either a fixed long time electronic trip unit, ET 1.0I, or Micrologi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGF48020A-001 | TDK-Lambda | Power Line Filters Filter, 80VDC 20A, PCB Mount, 2x1 | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGF48040A-001 | TDK-Lambda | Power Line Filters Filter, 80VDC 40A, PCB Mount, 2x1 | на замовлення 37 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA1204011DFT | Walsin | Antennas PCB Antenna | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGFRA1204021A1T | Walsin Technol.Corp. | ANTENNA BLUETOOTH, WiFi, f:2.4GHz?2.5GHz, 2dBi , SMD , 50 Ohm RGFRA1204021A1T RF RGFRA1204021A1T кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA1204021A1T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA1204021A1T - Chip-Antenne, Keramik, 2.45GHz, 2dBi, 12mm x 4mm x 2mm tariffCode: 85291030 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Antennenbaugröße: 12mm x 4mm x 2mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.45GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RGFRA Series SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA1204021A1T | Walsin | Antennas PCB Antenna | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGFRA1204021A1T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA1204021A1T - Chip-Antenne, Keramik, 2.45GHz, 2dBi, 12mm x 4mm x 2mm tariffCode: 85291030 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Antennenbaugröße: 12mm x 4mm x 2mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.45GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: RGFRA Series SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA1903041A1T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA1903041A1T - Antenne, Chip-Antenne, 2.4GHz, ISM-Band, 50 Ohm, linear, 19mm x 3mm x 3.8mm tariffCode: 85177900 productTraceability: No Antennenbaugröße: 19mm x 3mm x 3.8mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.4GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Produktreihe RGFRA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA1903041A1T | Walsin Technology Corporation | Description: RF ANT 2.4GHZ CHIP SOLDER SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGFRA1903041A1T | Walsin | Antennas 2.45GHz 2dBi 19x3.0x3.8 | на замовлення 351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA1903041A1T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA1903041A1T - Antenne, Chip-Antenne, 2.4GHz, ISM-Band, 50 Ohm, linear, 19mm x 3mm x 3.8mm tariffCode: 85177900 productTraceability: No Antennenbaugröße: 19mm x 3mm x 3.8mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.4GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Produktreihe RGFRA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA1903041A1T | Walsin Technology Corporation | Description: RF ANT 2.4GHZ CHIP SOLDER SMD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGFRA1903041A5T | Walsin | Antennas PCB Antenna | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGFRA8010110A2T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA8010110A2T - Antenne, Chip-Antenne, 2.4GHz, ISM-Band, 8mm x 1mm x 1.1mm tariffCode: 85177900 productTraceability: No Antennenbaugröße: 8mm x 1mm x 1.1mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.4GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Produktreihe RGFRA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA8010110A2T | Walsin Technology Corporation | Description: TAPE & REEL (TR) Packaging: Cut Tape (CT) Mounting Type: Surface Mount Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz Applications: Bluetooth, ISM Gain: 3.61dBi Termination: Solder Number of Bands: 1 Antenna Type: Chip Height (Max): 0.051" (1.30mm) Return Loss: -9.6dB Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz) Frequency (Center/Band): 2.45GHz RF Family/Standard: Bluetooth | на замовлення 2003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA8010110A2T | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - RGFRA8010110A2T - Antenne, Chip-Antenne, 2.4GHz, ISM-Band, 8mm x 1mm x 1.1mm tariffCode: 85177900 productTraceability: No Antennenbaugröße: 8mm x 1mm x 1.1mm rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false Mittenfrequenz: 2.4GHz rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Produktpalette: Produktreihe RGFRA SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA8010110A2T | Walsin Technology Corporation | Description: TAPE & REEL (TR) Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Frequency Range: 2.4GHz ~ 2.5GHz Applications: Bluetooth, ISM Gain: 3.61dBi Termination: Solder Number of Bands: 1 Antenna Type: Chip Height (Max): 0.051" (1.30mm) Return Loss: -9.6dB Frequency Group: UHF (2GHz ~ 3GHz) Frequency (Center/Band): 2.45GHz RF Family/Standard: Bluetooth | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGFRA9937380A3T | Walsin | Antennas 2.55GHz 2dBi 9.9x3.7x3.8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGFRA9937380A3T | Walsin Technol.Corp. | 2.4 GHz ISM Band Working Frequency ANTENA BLUETOOTH,WIFI, F:2.4GHz?2.5GHz, 2dBi, SMD, 50Ohm RGFRA9937380A3T RF RGFRA9937380A3T кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| RGFRA9937380AxT | Walsin | Antennas PCB Antenna | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| RGFW-I002A | WCDMA 1036+ BGA | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |