Продукція > RRQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RRQ020P03ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ020P03TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+48.42 грн
273+46.48 грн
500+44.80 грн
1000+41.79 грн
2500+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ020P03TCRROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET P-CH 30V 2A
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+51.36 грн
12+31.94 грн
100+17.93 грн
500+13.69 грн
1000+12.25 грн
3000+9.93 грн
6000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ020P03TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
на замовлення 2928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+48.49 грн
12+29.10 грн
100+18.63 грн
500+13.26 грн
1000+11.89 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ020P03TCRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ020P03TCRRohm SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 2A 6-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+48.42 грн
273+46.48 грн
500+44.80 грн
1000+41.79 грн
2500+37.55 грн
Мінімальне замовлення: 262
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ030P03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ030P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.95 грн
10+42.11 грн
100+28.87 грн
500+22.60 грн
1000+20.49 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ030P03HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs Pch -30V -3A Small Signal MOSFET
на замовлення 3139 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+56.78 грн
10+46.85 грн
100+28.02 грн
500+22.17 грн
1000+20.33 грн
3000+17.77 грн
6000+16.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ030P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 1.5A, 4V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+19.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ030P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ030P03TRROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET P-CH 30V 3A TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ030P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ030P03TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ035N03
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03
на замовлення 123800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRQ045P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+71.92 грн
17+53.96 грн
100+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03FRATRROHMDescription: ROHM - RRQ045P03FRATR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.025 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.32 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTRROHMDescription: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.25W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.025ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.78 грн
500+50.61 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTRROHMDescription: ROHM - RRQ045P03HZGTR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2809 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+142.77 грн
10+96.08 грн
100+68.78 грн
500+50.61 грн
1000+40.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTRRohm SemiconductorDescription: AUTOMOTIVE PCH -30V -4.5A SMALL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.85 грн
10+95.55 грн
100+64.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs AECQ
на замовлення 5885 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+139.14 грн
10+78.15 грн
100+54.91 грн
500+44.50 грн
1000+41.14 грн
3000+36.02 грн
6000+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
на замовлення 5444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+115.16 грн
10+70.29 грн
100+46.60 грн
500+34.19 грн
1000+31.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 4.5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 600mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ045P03TRROHM SemiconductorMOSFETs Med Pwr, Sw MOSFET P Chan, -30V, -4.5A
на замовлення 2432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+103.66 грн
10+73.18 грн
100+43.54 грн
500+34.66 грн
1000+30.98 грн
3000+27.13 грн
6000+25.37 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RRQ3-433
Код товару: 150269
Додати до обраних Обраний товар

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.