Продукція > RUQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RUQ050N02
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02FRAROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02FRATRROHMDescription: ROHM - RUQ050N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Verlustleistung: 1.25
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02FRATRROHMDescription: ROHM - RUQ050N02FRATR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 1.25
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5
Verlustleistung: 1.25
Bauform - Transistor: TSMT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.022
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTRROHMDescription: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.06 грн
500+30.96 грн
1000+20.78 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTRROHM SemiconductorMOSFETs 20V Drive 5A Nch MOSFET
на замовлення 3558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.82 грн
10+45.89 грн
100+29.27 грн
500+25.27 грн
1000+22.78 грн
3000+20.02 грн
6000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTRROHMDescription: ROHM - RUQ050N02HZGTR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 5 A, 0.022 ohm, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TSMT
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.51 грн
15+56.14 грн
100+39.14 грн
500+31.04 грн
1000+18.09 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02HZGTRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 950mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.00 грн
10+43.68 грн
100+32.83 грн
500+25.41 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2786 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.22 грн
10+47.79 грн
100+31.47 грн
500+22.93 грн
1000+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02TRRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 1mA
Supplier Device Package: TSMT6 (SC-95)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02TR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RUQ050N02TRROHM SemiconductorMOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 20V, 5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.