Продукція > RW4

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
RW4-002PRO SIGNALDescription: PRO SIGNAL - RW4-002 - UHF-Stecker vernickelt Messing RG59U
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: -
Steckverbinderausführung: -
Steckverbindermontage: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Koaxialanschluss: -
Impedanz: -
Steckverbindertyp: -
Produktpalette: -
Koaxialkabeltypen: -
productTraceability: No
Frequenz, max.: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.10 грн
10+113.48 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
RW4-002 ZINCPRO SIGNALDescription: PRO SIGNAL - RW4-002 ZINC - UHF-Stecker Zink RG59U
tariffCode: 85369010
rohsCompliant: YES
Kontaktüberzug: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kontaktmaterial: 0
Steckverbinderausführung: 0
Steckverbindermontage: 0
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Koaxialanschluss: 0
Impedanz: 0
Steckverbindertyp: 0
Produktpalette: 0
Koaxialkabeltypen: 0
productTraceability: No
Frequenz, max.: 0
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 389 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.92 грн
17+52.08 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
RW4032AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING #4 NYLON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4050AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING #4 NYLON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4062AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING #4 NYLON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW40B17G201D3MDescription: MICRO-KLEAN RW SERIES FILTER CAR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4125AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING #4 NYLON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW42316UGMagnetics, a division of Spang & Co.Description: R-RM DESIGN
Packaging: Bulk
Material: W
Length: 0.913" (23.20mm)
Width: 0.425" (10.80mm)
Height: 0.323" (8.20mm)
Core Type: RM
Inductance Factor (Al): 10.6 µH
Initial Permeability (µi): 10000
Finish: Uncoated
Gap: Ungapped
Effective Length (le) mm: 35.5
Effective Area (Ae) mm²: 52.0
Minimum Core Cross Section (Amin) mm²: 36.9
Effective Magnetic Volume (Ve) mm³: 1850.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW437032AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING 7/16 NYLON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW437062AEssentra ComponentsDescription: WASHER FLAT RETAINING 7/16 NYLON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW47V2R7OhmiteWirewound Resistors - Through Hole **EXPORT CONTROLLED**
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW47V862OhmiteWirewound Resistors - Through Hole **EXPORT CONTROLLED**
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4C045BCTCL1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN1616 P-CH 20V 4.5A
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.74 грн
10+50.61 грн
100+28.84 грн
500+22.27 грн
1000+20.16 грн
3000+16.00 грн
6000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RW4C045BCTCL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -20V -4.5A POWER MOSFET: RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 30787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.93 грн
10+53.94 грн
100+35.62 грн
500+26.58 грн
1000+23.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RW4C045BCTCL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -20V -4.5A POWER MOSFET: RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 10 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 4.5A 7-Pin HEML T/R
на замовлення 1992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
630+19.66 грн
654+18.95 грн
1000+18.34 грн
Мінімальне замовлення: 630
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN1616 N-CH 30V 4.5A
на замовлення 5429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.69 грн
10+65.11 грн
100+37.59 грн
500+29.67 грн
1000+26.72 грн
3000+22.65 грн
6000+21.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045AJTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 4.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 15 V
на замовлення 2452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+80.84 грн
10+63.38 грн
100+49.30 грн
500+39.22 грн
1000+31.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1ROHM SemiconductorMOSFET Pch -30V -4.5A Power MOSFET
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.85 грн
10+54.35 грн
100+32.69 грн
300+27.33 грн
900+23.25 грн
2400+20.68 грн
4800+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1ROHMDescription: ROHM - RW4E045ATTCL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.034 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.034ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+30.40 грн
500+25.08 грн
1000+17.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1ROHMDescription: ROHM - RW4E045ATTCL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.034 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.034ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+84.68 грн
16+54.96 грн
100+37.09 грн
500+27.05 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E045ATTCL1Rohm SemiconductorDescription: PCH -30V -4.5A POWER MOSFET. RW4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 485 pF @ 15 V
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.09 грн
10+56.30 грн
100+37.02 грн
500+26.98 грн
1000+24.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E065GNTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
на замовлення 2437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.76 грн
10+76.35 грн
100+50.94 грн
500+37.59 грн
1000+34.30 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E065GNTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 6.5A, HEML1616L7, POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22.5mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E065GNTCL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 6.5A(Id), (4.5V Drive)
на замовлення 2705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.32 грн
10+63.63 грн
100+36.76 грн
500+28.69 грн
1000+25.74 грн
3000+22.80 грн
6000+21.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1ROHMDescription: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+93.15 грн
14+63.09 грн
100+47.85 грн
500+32.55 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 11517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.93 грн
10+66.37 грн
100+51.64 грн
500+41.07 грн
1000+33.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1ROHM SemiconductorMOSFETs DFN1616 N CHAN 30V
на замовлення 5495 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+98.64 грн
10+65.20 грн
100+42.95 грн
500+36.46 грн
1000+31.86 грн
6000+29.67 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1ROHMDescription: ROHM - RW4E075AJTCL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.5 A, 0.0185 ohm, DFN1616, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: DFN1616
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0185ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0185ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.85 грн
500+32.55 грн
1000+27.07 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RW4E075AJTCL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 30V 7.5A POWER MOSFET: RW4E0
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerUFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 7.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 2mA
Supplier Device Package: DFN1616-7T
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+34.85 грн
6000+31.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.