Продукція > S4P
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
S4P-VH | JST Sales America Inc. | Description: CONN HEADER R/A 4POS 3.96MM Packaging: Bulk Connector Type: Header Voltage Rating: 250V Current Rating (Amps): 10A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 4 Number of Rows: 1 Style: Board to Cable/Wire Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Contact Type: Male Pin Fastening Type: Locking Ramp Number of Positions Loaded: All Termination: Solder Material Flammability Rating: UL94 V-0 Contact Material: Brass Insulation Color: Natural Pitch - Mating: 0.156" (3.96mm) Contact Finish - Mating: Tin Contact Finish - Post: Tin Contact Shape: Square Contact Length - Post: 0.142" (3.60mm) Insulation Height: 0.335" (8.51mm) Shrouding: Shrouded - 1 Wall Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Contact Length - Mating: 0.303" (7.70mm) | на замовлення 187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4P-VH (LF)(SN) | J.S.T. Deutschland GmbH | Conn Wire to Board HDR 4 POS 3.96mm Solder RA Side Entry Thru-Hole Box | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4P-VH(LF)(SN) | JST Commercial | Headers & Wire Housings VH HEADER (SIDE) | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4P-VH(LF)(SN) | JST Sales America Inc. | Description: CONN HEADER R/A 4POS 3.96MM Packaging: Bulk Connector Type: Header Voltage Rating: 250V Current Rating (Amps): 10A Mounting Type: Through Hole, Right Angle Number of Positions: 4 Number of Rows: 1 Style: Board to Cable/Wire Operating Temperature: -25°C ~ 85°C Contact Type: Male Pin Fastening Type: Locking Ramp Number of Positions Loaded: All Termination: Solder Material Flammability Rating: UL94 V-0 Contact Material: Brass Insulation Color: Natural Pitch - Mating: 0.156" (3.96mm) Contact Finish - Mating: Tin Contact Finish - Post: Tin Part Status: Active Contact Shape: Square Contact Length - Post: 0.142" (3.60mm) Insulation Height: 0.335" (8.51mm) Shrouding: Shrouded - 1 Wall Insulation Material: Polyamide (PA66), Nylon 6/6 Contact Length - Mating: 0.303" (7.70mm) | на замовлення 7515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4P01 | MOTOROLA | SOP8 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4P01 | MOT | 00+ SOP8P | на замовлення 170 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4P01 | MOTOROLA | на замовлення 613 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S4P01 | MOC | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
S4P01 | MOT | 09+ SOP8 | на замовлення 1165 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PB-M3/86A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 100 Volt | на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PB-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PB-M3/86A | VISHAY | S4PB-M3/86A SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PB-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V | на замовлення 2840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PB-M3/87A | Vishay | Diode Switching 100V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PB-M3/87A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 100 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PB-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PB-M3/87A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 4.0 Amp 100 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PBHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PBHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PBHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PBHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 100V, SMPC STD, SM Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PBHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 100V, SMPC STD, SM Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PBHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PBHM3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PBHM3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 100V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PD-M3/86A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 200 Volt | на замовлення 2988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PD-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 3952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PD-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PD-M3/87A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PD-M3/87A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 4.0 Amp 200 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PD-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PDHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PDHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PDHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PDHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 200V, SMPC STD, SM Rect | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PDHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PDHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 200V, SMPC STD, SM Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PDHM3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PDHM3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 200V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PG-M3/86A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 400 Volt | на замовлення 1221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PG-M3/86A | Vishay | Diode Switching 400V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PG-M3/86A | Vishay | Diode Switching 400V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PG-M3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PG-M3/87A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 400 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PG-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PG-M3/87A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 4.0 Amp 400 Volt | на замовлення 3433 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PG-M3/87A | Vishay | Diode Switching 400V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PGHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PGHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PGHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PGHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 400V, SMPC STD, SM Rect | на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PGHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A | на замовлення 2940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PGHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 400V, SMPC STD, SM Rect | на замовлення 13000 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PGHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PGHM3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 400V 4A 2500ns Automotive 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PGHM3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PGHM3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 400V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 600 Volt | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | VISHAY | Description: VISHAY - S4PJ-M3/86A - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 860 mV, 2.5 µs, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 860mV Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: eSMP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 4A 2500ns 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 4A; SMPC,TO277A; Ufmax: 0.86V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: SMPC; TO277A Max. forward voltage: 0.86V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1500pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 1494 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 4A 2500ns 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | VISHAY | Description: VISHAY - S4PJ-M3/86A - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 860 mV, 2.5 µs, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-277A Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 860mV Sperrverzögerungszeit: 2.5µs usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: eSMP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 1513 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | Vishay | Rectifier Diode Switching 600V 4A 2500ns 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | VISHAY | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 4A; SMPC,TO277A; Ufmax: 0.86V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 4A Semiconductor structure: single diode Case: SMPC; TO277A Max. forward voltage: 0.86V Max. forward impulse current: 100A Kind of package: 7 inch reel Quantity in set/package: 1500pcs. Features of semiconductor devices: glass passivated | на замовлення 1494 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PJ-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V | на замовлення 1400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PJ-M3/87A | Vishay | Diode Switching 600V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJ-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJ-M3/87A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 600 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJHM3/86A | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
S4PJHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 600V, SMPC STD, SM Rect | на замовлення 2133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PJHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PJHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PJHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 600V, SMPC STD, SM Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJHM3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJHM3_B/H | Vishay | 4A, 600V, SMPC, STD SM RECT. | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PJHM3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PK-M3/86A | Vishay | Diode Switching 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PK-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PK-M3/86A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 800 Volt | на замовлення 38733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PK-M3/86A | Vishay | Diode Switching 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PK-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V | на замовлення 6125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PK-M3/87A | Vishay | Diode Switching 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PK-M3/87A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PK-M3/87A | Vishay | Diode Switching 800V 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PK-M3/87A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 800 Volt | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PKHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PKHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 800V 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PKHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PKHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 800V, SMPC STD, SM Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PKHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 800V, SMPC STD, SM Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PKHM3_A/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PKHM3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 800V 4A 2500ns Automotive 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PKHM3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PKHM3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 800V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PM-M3/86A | Vishay | Diode Switching 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PM-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 4A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 4591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PM-M3/86A | VISHAY | S4PM-M3/86A SMD universal diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PM-M3/86A | Vishay | Diode Switching 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PM-M3/86A | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE STANDARD 1000V 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PM-M3/86A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 1000 Volt | на замовлення 3719 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PM-M3/87A | Vishay | Diode Switching 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PM-M3/87A | Vishay Semiconductors | Rectifiers 4.0 Amp 1000 Volt | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PM-M3/87A | Vishay | Diode Switching 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PM-M3/87A | Vishay | Diode Switching 1KV 4A 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PM-M3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PM-M3/87A | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4.0 Amp 1000 Volt | на замовлення 6500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PMHM3/86A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PMHM3/86A | Vishay | Diode Switching 1KV 4A Automotive 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PMHM3/87A | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PMHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PMHM3_A/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Last Time Buy Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PMHM3_A/H | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 1000V, SMPC STD, SM Rect | на замовлення 2505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
S4PMHM3_A/I | Vishay General Semiconductor | Rectifiers 4A, 1000V, SMPC STD, SM Rect | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PMHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PMHM3_A/I | Vishay | Rectifier Diode Switching 1KV 4A 2500ns Automotive 3-Pin(2+Tab) SMPC T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PMHM3_B/H | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
S4PMHM3_B/I | Vishay General Semiconductor - Diodes Division | Description: DIODE GEN PURP 1KV 4A TO277A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2.5 µs Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-277A (SMPC) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |