Продукція > SUG
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SUG | Skyworks | SOT-143 | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUG-288 | Essentra | Essentra | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUG-415A | на замовлення 750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| SUG80050E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SUG80050E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 5400 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5400µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SUG80050E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-247 | на замовлення 2390 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| SUG80050E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247 Technology: TrenchFET® Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate charge: 165nC On-state resistance: 6.3mΩ Power dissipation: 500W Drain current: 100A Drain-source voltage: 150V Pulsed drain current: 300A Gate-source voltage: ±20V Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUG80050E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUG80050E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V | на замовлення 776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SUG90090E-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SUG90090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 9500 µohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 395W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ThunderFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 1962 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SUG90090E-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUG90090E-GE3 | VISHAY | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 100A Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 395W Case: TO247 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10.4mΩ Mounting: THT Gate charge: 129nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUG90090E-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 395W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247AC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUG90090E-GE3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUGP-01 | BASEUS | Category: Car Holders Description: Car holder; black; air vent; 56÷85mm Type of car audio accessories: car holder Colour: black Mounting: air vent Size: 56...85mm | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| SUGRU-001 | Pimoroni Ltd | Description: SUGRU (3 PACK) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| SUGRU-002 | Pimoroni Ltd | Description: SUGRU (8 PACK) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| SUGRU-003 | Pimoroni Ltd | Description: MAKE EVERYTHING MAGNETIC-SUGRU Packaging: Bulk Features: Hand Formable, Black Type: Silicone Part Status: Obsolete | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |