Продукція > SUG

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
SUGSkyworksSOT-143
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUG-288EssentraEssentra
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG-415A
на замовлення 750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 150V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 165 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 75 V
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+442.47 грн
10+291.05 грн
100+209.64 грн
500+164.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+228.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUG80050E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 100 A, 0.0045 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+435.75 грн
10+312.78 грн
100+226.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 150V Vds 20V Vgs TO-247
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+450.61 грн
10+318.95 грн
25+267.79 грн
100+200.84 грн
500+177.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 150V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG80050E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SUG90090E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 100 A, 0.0079 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0079ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+380.46 грн
10+355.70 грн
100+203.02 грн
500+156.33 грн
1000+142.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs 200V Vds ThunderFET 100A Id +/-20V Vgs
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.66 грн
10+351.10 грн
25+211.14 грн
100+175.83 грн
250+172.15 грн
500+150.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 200V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 395W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 129nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 395W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 129nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SUG90090E-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 395W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 129 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5220 pF @ 100 V
на замовлення 962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.93 грн
25+215.71 грн
100+177.94 грн
500+138.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUGP-01BASEUSCategory: Car Holders
Description: Car holder; black; air vent; 56÷85mm
Colour: black
Size: 56...85mm
Type of car audio accessories: car holder
Mounting: air vent
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+367.25 грн
3+318.03 грн
5+298.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SUGRU-001Pimoroni LtdDescription: SUGRU (3 PACK)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SUGRU-002Pimoroni LtdDescription: SUGRU (8 PACK)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1385.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SUGRU-003Pimoroni LtdDescription: MAKE EVERYTHING MAGNETIC-SUGRU
Packaging: Bulk
Features: Hand Formable, Black
Type: Silicone
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.