Продукція > TJ8
Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
TJ8 | Eaton | Terminal Block Tools & Accessories 2P JUMPER FOR TBDT3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ8-4P4C Розетка 4Р4С тип 8 на плату | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8-4P4C Розетка 4Р4С тип 8 на плату Код товару: 116901
Додати до обраних
Обраний товар
| Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інші | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
TJ8-6P6C Розетка 6Р6С тип 8 на плату | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8-6P6C розетка на плату Код товару: 113967
Додати до обраних
Обраний товар
| Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIB | OMEGA | Description: OMEGA - TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIB - Thermoelement, K, Inconel, 80 ", 2.03 m Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 3 Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 76.2 Sensorgehäusematerial: Inconel Anschlusslänge - metrisch: 2.03 Anschlusslänge - imperial: 80 Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 116 Erfassungstemperatur, min.: - Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 2.95 Erfassungstemperatur, max.: - Produktpalette: Produktreihe TJ80 Thermoelement: K SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ80-ICSS-18G-17-SB-OSTW-M | OMEGA | Description: OMEGA - TJ80-ICSS-18G-17-SB-OSTW-M - Thermoelement, J, Edelstahl, 80 ", 2.03 m tariffCode: 90259000 Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 17 rohsCompliant: NO Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 431.8 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Sensorgehäusematerial: Edelstahl Anschlusslänge - metrisch: 2.03 Anschlusslänge - imperial: 80 usEccn: EAR99 Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 18 euEccn: NLR Erfassungstemperatur, min.: - Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 457.2 Erfassungstemperatur, max.: - Produktpalette: Produktreihe TJ80 productTraceability: No Thermoelement: J SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ8002 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ80110C | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ80110H | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V | на замовлення 1228 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | на замовлення 7256 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ80S04M3L(T6L1,NQ | Toshiba | MOSFETs P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ80S04M3L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ80S04M3L,LXHQ | Toshiba | MOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 4141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ80S04M3L,LXHQ | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ80S04M3L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ80S04M3L,LXHQ(O | Toshiba | TJ80S04M3L,LXHQ(O | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ8200 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8203 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8208 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8504 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8603-5 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8605-2 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8703 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8708 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8727-1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8761 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
TJ8E | TOSHIBA | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
TJ8S06M3L | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ8S06M3L | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TJ8S06M3L - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.08 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 27W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 5647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | MOSFETs P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104 | на замовлення 11209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ8S06M3L(T6L1,NQ) | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ8S06M3L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ8S06M3L,LXHQ | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ8S06M3L,LXHQ | Toshiba | MOSFETs 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 47339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ8S06M3L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
TJ8S06M3L,LXHQ(O | Toshiba | Silicon P-Channel MOS Automotive AEC-Q101 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
TJ8S06M3L,LXHQ(O | Toshiba | Silicon P-Channel MOS Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|