НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TJ8EatonTerminal Block Tools & Accessories 2P JUMPER FOR TBDT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8-4P4C---Розніми телефонні та RJ-45
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8-4P4C Розетка 4P4C тип 8 на плату
Код товару: 116901
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Інші
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8-4P4C Розетка 4Р4С тип 8 на плату
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8-6P6C---Розніми телефонні та RJ-45
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8-6P6C Розетка 6Р6С тип 8 на плату
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8-6P6C розетка на плату
Код товару: 113967
Додати до обраних Обраний товар
Роз'єми, клеми, з'єднувачі > Телефонні (RJ9, RJ11, RJ12, RJ45)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIBOmegaDescription: TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIBOMEGADescription: OMEGA - TJ80-CAIN-116U-3-CC-XCIB - Thermoelement, K, Inconel, 80 ", 2.03 m
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 3
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 76.2
Sensorgehäusematerial: Inconel
Anschlusslänge - metrisch: 2.03
Anschlusslänge - imperial: 80
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 116
Erfassungstemperatur, min.: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 2.95
Erfassungstemperatur, max.: -
Produktpalette: Produktreihe TJ80
Thermoelement: K
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80-CASS-18U-40-SB-OSTW-MOmegaDescription: TJ80-CASS-18U-40-SB-OSTW-M
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80-ICSS-032U-6-SB-SMPW-MOmegaDescription: TJ80-ICSS-032U-6-SB-SMPW-M
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80-ICSS-18G-17-SB-OSTW-MOMEGADescription: OMEGA - TJ80-ICSS-18G-17-SB-OSTW-M - Thermoelement, J, Edelstahl, 80 ", 2.03 m
tariffCode: 90259000
Tastkopf-/Messfühlerlänge, imperial: 17
rohsCompliant: NO
Tastkopf-/Messfühlerlänge, metrisch: 431.8
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
Sensorgehäusematerial: Edelstahl
Anschlusslänge - metrisch: 2.03
Anschlusslänge - imperial: 80
usEccn: EAR99
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, imperial: 18
euEccn: NLR
Erfassungstemperatur, min.: -
Tastkopf-/Messfühlerdurchmesser, metrisch: 457.2
Erfassungstemperatur, max.: -
Produktpalette: Produktreihe TJ80
productTraceability: No
Thermoelement: J
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8002
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80110C
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80110H
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaMOSFETs P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.47 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 7256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+120.22 грн
127+111.61 грн
174+81.33 грн
200+74.10 грн
500+57.36 грн
1000+53.85 грн
2000+52.64 грн
4000+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+56.72 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L(T6L1,NQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7770 pF @ 10 V
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.65 грн
10+66.87 грн
100+52.06 грн
500+41.41 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 80A DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQToshibaMOSFETs 100W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 4069 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ80S04M3L,LXHQ(OToshibaTJ80S04M3L,LXHQ(O
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+83.65 грн
177+79.91 грн
250+76.70 грн
500+71.29 грн
1000+63.86 грн
Мінімальне замовлення: 170 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8200
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8203
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8208
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8504
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8603-5
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8605-2
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8703
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8708
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8727-1
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8761
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8ETOSHIBA
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3LToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+112.44 грн
167+85.08 грн
Мінімальне замовлення: 126 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)TOSHIBADescription: TOSHIBA - TJ8S06M3L(T6L1,NQ) - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8 A, 0.104 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 27W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: -
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.104ohm
на замовлення 3021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.88 грн
10+84.65 грн
100+61.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L(T6L1,NQ)ToshibaMOSFETs P-Ch MOS -8A -60V 27W 890pF 0.104
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L,LXHQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L,LXHQToshibaMOSFETs 27W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 44764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 60V 8A DPAK
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DPAK+
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 104mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ8S06M3L,LXHQ(OToshibaTrans MOSFET P-CH Si 60V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 81 шт
В кошику  од. на суму  грн.