Продукція > TJ9

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TJ9-8P8C Розетка 8Р8С тип 9 на плату
товар відсутній
TJ90S04M3L,LQToshibaMOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ
на замовлення 14848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.05 грн
10+ 126.36 грн
100+ 87.24 грн
250+ 80.58 грн
500+ 73.25 грн
1000+ 69.26 грн
2000+ 58.4 грн
Мінімальне замовлення: 3
TJ90S04M3L,LQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товар відсутній
TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+46.46 грн
Мінімальне замовлення: 2000
TJ90S04M3L,LXHQToshibaMOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 17353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.88 грн
10+ 91.9 грн
100+ 63.8 грн
250+ 60.73 грн
500+ 53.14 грн
1000+ 45.55 грн
2000+ 43.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 6385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.01 грн
10+ 82.41 грн
100+ 65.6 грн
500+ 52.09 грн
1000+ 44.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
TJ9198GSF5-3.3DSTMicroelectronics
на замовлення 42020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ9198GSF5-3.3DTAEJIN TECHNOLOGY / HTC KoreaCategory: LDO unregulated voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,fixed; 3.3V; 0.3A; SOT23-5; SMD; Ch: 1
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: TJ9198
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.3A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO
товар відсутній
TJ9198GSF5-3.3DTAEJIN TECHNOLOGY / HTC KoreaCategory: LDO unregulated voltage regulators
Description: IC: voltage regulator; LDO,fixed; 3.3V; 0.3A; SOT23-5; SMD; Ch: 1
Case: SOT23-5
Mounting: SMD
Manufacturer series: TJ9198
Output voltage: 3.3V
Output current: 0.3A
Type of integrated circuit: voltage regulator
Number of channels: 1
Kind of voltage regulator: fixed; LDO
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
TJ92UEB222LVishayPower Inductors - Leaded 2200uH 15%
на замовлення 18 шт:
термін постачання 117-126 дні (днів)
1+1340.97 грн
9+ 1275.87 грн
27+ 1054.18 грн
54+ 1020.88 грн
TJ92UEB222LVishay / DalePower Inductors - Leaded 2200uH 15%
на замовлення 17 шт:
термін постачання 228-237 дні (днів)
1+1459.06 грн
9+ 1366.23 грн
27+ 1149.4 грн
TJ92UTG471LVishayFixed Inductors Toroid 470uH
товар відсутній
TJ98500117-P
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TJ9910AGDTAEJIN TECHNOLOGY / HTC KoreaTJ9910AGD-TT Voltage regulators - PWM circuits
товар відсутній
TJ9A10M3,S4QToshibaMOSFET PWR MOS PD=19W F=1MHZ
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
TJ9A10M3,S4QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 100V 9A Magazine
товар відсутній
TJ9A10M3,S4QTOSHIBACategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9A
Power dissipation: 19W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
TJ9A10M3,S4QTOSHIBACategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9A
Power dissipation: 19W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній
TJ9A10M3,S4Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3
товар відсутній