Продукція > TJ9
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TJ9-8P8C Розетка 8Р8С тип 9 на плату | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TJ90S04M3L | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LQ | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LQ | Toshiba | MOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ | на замовлення 5938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LQ транзистор Код товару: 214290
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LXHQ | Toshiba | MOSFETs 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101 | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LXHQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 180W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: DPAK+ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ90S04M3L,LXHQ(O | Toshiba | MOSFET Silicon P-Channel Mos (U-Mos 1 ) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ90S04M3LLQ(O | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ9198GSF5-3.3D | STMicroelectronics | на замовлення 42020 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TJ9198GSF5-3.3D | TAEJIN | Description: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SOT23-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Output Type: Fixed Mounting Type: Surface Mount Current - Output: 300mA Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Positive Current - Quiescent (Iq): 0.035 mA Voltage - Input (Max): 5.5V Number of Regulators: 1 Supplier Device Package: SOT-23-5L Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V Control Features: Enable PSRR: 55dB (1kHz) Voltage Dropout (Max): 0.19V @ 300mA Protection Features: Over Current, Over Temperature | на замовлення 34443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ9198GSF5-3.3D | TAEJIN TECHNOLOGY / HTC Korea | Category: LDO fixed voltage regulators Description: IC: voltage regulator; LDO,fixed; 3.3V; 0.3A; SOT23-5; SMD; TJ9198 Mounting: SMD Kind of voltage regulator: fixed; LDO Kind of package: reel Case: SOT23-5 Type of integrated circuit: voltage regulator Output current: 0.3A Number of channels: 1 Output voltage: 3.3V Manufacturer series: TJ9198 | на замовлення 94 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ91UEB562L | Vishay | Power Inductors - Leaded TJ9-1U 5.6K 15% EB E2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ92UEB222L | Vishay | Power Inductors - Leaded 2200uH 15% | на замовлення 18 шт: термін постачання 117-126 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ92UEB222L | Vishay / Dale | Power Inductors - Leaded 2200uH 15% | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TJ92UTG152L | Vishay / Dale | Power Inductors - Leaded Toroid 1500uH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2520 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ92UTG471L | Vishay | Fixed Inductors Toroid 470uH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ92UTG471L | Vishay / Dale | Power Inductors - Leaded Toroid 470uH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ95-ICSS-032U-17-OSTW-M | Omega | Description: TJ95-ICSS-032U-17-OSTW-M Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ96-ICSS-032U-2-SB | Omega | Description: TJ96-ICSS-032U-2-SB Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ96-ICSS-14E-3-BX | Omega | Description: TJ96-ICSS-14E-3-BX Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ98500117-P | на замовлення 4500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TJ9A10M3 | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ9A10M3,S4Q | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ9A10M3,S4Q | Toshiba | MOSFET PWR MOS PD=19W F=1MHZ | на замовлення 215 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ9A10M3,S4Q(M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TJ9A10M3,S5Q(J) | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | на замовлення 860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

