Продукція > TJ9

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
TJ9-8P8C Розетка 8Р8С тип 9 на плату
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3LToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQToshibaMOSFETs Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK+ PD=180W F=1MHZ
на замовлення 12467 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+172.55 грн
10+131.90 грн
25+113.95 грн
50+107.15 грн
100+82.25 грн
500+67.91 грн
1000+66.33 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+216.31 грн
10+134.89 грн
100+93.10 грн
500+70.60 грн
1000+65.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQToshibaTrans MOSFET P-CH Si 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK+ T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LQToshiba Semiconductor and StorageDescription: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+51.50 грн
4000+47.96 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LXHQToshibaMOSFET 180W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 17353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+126.77 грн
10+104.14 грн
100+72.29 грн
250+68.82 грн
500+60.22 грн
1000+51.61 грн
2000+48.97 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3L,LXHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 90A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: DPAK+
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 172 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 10 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.85 грн
10+94.72 грн
100+72.47 грн
500+55.13 грн
1000+49.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
TJ90S04M3LLQ(OToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9198GSF5-3.3DTAEJINDescription: IC REG LINEAR 3.3V 300MA SOT23-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Output Type: Fixed
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output: 300mA
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Current - Quiescent (Iq): 0.035 mA
Voltage - Input (Max): 5.5V
Number of Regulators: 1
Supplier Device Package: SOT-23-5L
Voltage - Output (Min/Fixed): 3.3V
Control Features: Enable
PSRR: 55dB (1kHz)
Voltage Dropout (Max): 0.19V @ 300mA
Protection Features: Over Current, Over Temperature
на замовлення 34443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9198GSF5-3.3DTAEJIN TECHNOLOGY / HTC KoreaTJ9198GSF5-3.3D-TT LDO unregulated voltage regulators
на замовлення 94 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+71.11 грн
95+11.70 грн
261+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9198GSF5-3.3DSTMicroelectronics
на замовлення 42020 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ92UEB222LVishay / DalePower Inductors - Leaded 2200uH 15%
на замовлення 9 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
1+1688.55 грн
9+1581.12 грн
27+1331.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TJ92UEB222LVishayPower Inductors - Leaded 2200uH 15%
на замовлення 18 шт:
термін постачання 117-126 дні (днів)
1+1519.52 грн
9+1445.75 грн
27+1194.54 грн
54+1156.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TJ92UTG471LVishayFixed Inductors Toroid 470uH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ98500117-P
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9910AGDTAEJIN TECHNOLOGY / HTC KoreaTJ9910AGD-TT Voltage regulators - PWM circuits
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
5+60.95 грн
36+31.13 грн
98+29.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9A10M3ToshibaMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9A10M3,S4QToshibaMOSFET PWR MOS PD=19W F=1MHZ
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9A10M3,S4QTOSHIBACategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9A
Power dissipation: 19W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9A10M3,S4QToshibaTrans MOSFET P-CH Si 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9A10M3,S4QTOSHIBACategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -9A; 19W; TO220FP
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -9A
Power dissipation: 19W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 47nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9A10M3,S4Q(MToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TJ9A10M3,S4Q(MToshibaTrans MOSFET P-CH Si 100V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS Magazine
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.