Продукція > W66
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| W66 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| W66001YRZ | AD | SOP-8 | на замовлення 42 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66125DSX-1 | Magnecraft | W66125DSX-1 | на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W6612CF-44 | на замовлення 540 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| W6630CR | WINBOND | на замовлення 91 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| W6630CR | WINBOND | 01+ SSOP | на замовлення 89 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W6631CS | N/A | SMD | на замовлення 330 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W6631CS | WORKS | 09+ SOP14 | на замовлення 1134 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W6631CS | WINBOND | 09+ | на замовлення 138 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W6662CF | Winbond | 03+ | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W6672TJ320 | IXYS | Rectifiers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W6672TJ320 | IXYS | Description: DIODE GEN PURP 1.75KV 6672A - Packaging: Box Package / Case: TO-200AF Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 52 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 6672A Supplier Device Package: TO-200AF Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 160°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1750 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.37 V @ 5000 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 mA @ 1750 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66880CF | Winbond | 1999 | на замовлення 4608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66880CF | WINBOND | 00+ QFP | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W6690DSX-1 | Magnecraft | W6690DSX-1 | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W6692CF | WINBOND | на замовлення 990 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| W66AP6NBHAFJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAFJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAFJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAFJ TR | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAGJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAGJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.867 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAGJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAGJ TR | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.867 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAHJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA Packaging: Tray Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAHJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAHJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBHAHJ TR | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 100VFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAFJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W66AP6NBQAFJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | на замовлення 127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W66AP6NBQAFJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAFJ TR | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAGJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAGJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.867 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAGJ TR | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.867 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAGJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAHJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAHJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAHJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBQAHJ TR | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAFJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAFJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAFJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAFJ TR | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.6 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAFJ/REEL | Winbond | W66AP6NBUAFJ/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAFJ/TRAY | Winbond | W66AP6NBUAFJ/TRAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAGJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAGJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.867 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAGJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAGJ TR | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 1.867 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAHJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAHJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAHJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AP6NBUAHJ TR | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 1GBIT LVSTL 200WFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBHAHJ | Winbond Electronics | Description: 1GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tray Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBHAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 1GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBQAHJ | Winbond Electronics | Description: 1GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBQAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 1GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBUAFJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, -40C~105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBUAFJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, -40C~105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBUAGJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4X, x16, 1866MHz, -40C~105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBUAGJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4X, x16, 1866MHz, -40C~105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBUAHJ | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, -40C~105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBUAHJ | Winbond Electronics | Description: 1GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBUAHJ TR | Winbond | DRAM 1Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, -40C~105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66AQ6NBUAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 1GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BL6NBUAFI | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BL6NBUAFI | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BL6NBUAFI TR | Winbond | 2Gb / 4Gb LPDDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BL6NBUAFI/REEL | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BL6NBUAGI | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BL6NBUAHI | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BL6NBUAHI | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAFI | Winbond | LPDDR4 DRAM Chip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAFI | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAFI TR | Winbond | 2Gb / 4Gb LPDDR4X | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAFJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAFJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAGI | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1866MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAGJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 1866MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAGJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 1866MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAHI | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, Industrial Temp | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BM6NBUAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP2NQQAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4, DDP, X32, 2133MHZ, - Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP2NQQAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4, DDP, X32, 2133MHZ, - Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP2NQUAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4, DDP, X32, 2133MHZ, - Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP2NQUAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4, DDP, X32, 2133MHZ, - Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBHAFJ/TRAY | Winbond | W66BP6NBHAFJ/TRAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBHAGJ/REEL | Winbond | W66BP6NBHAGJ/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBHAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4, X16, 2133MHZ, -40C~1 Packaging: Tray Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBHAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4, X16, 2133MHZ, -40C~1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBHAHJ/REEL | Winbond | W66BP6NBHAHJ/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBQAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4, X16, 2133MHZ, -40C~1 Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBQAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4, X16, 2133MHZ, -40C~1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAFJ | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W66BP6NBUAFJ | Winbond | Low Power Chip DDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAFJ TR | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 1600MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAFJ/REEL | Winbond | W66BP6NBUAFJ/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAGJ | Winbond | Low Power Chip DDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAGJ | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAGJ TR | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 1866MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAGK/REEL | Winbond | LPDDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAHJ | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAHJ | Winbond | Low Power Chip DDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAHJ TR | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4, x16, 2133MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAHJ TR | Winbond | 2Gb / 4Gb LPDDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAHJ/REEL | Winbond | LPDDR4,4Gb, x16,WFBGA, 200 ball, -40°C-105°c | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BP6NBUAHJ/TRAY | Winbond | LPDDR4,4Gb, x16,WFBGA, 200 ball, -40°C-105°c | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ2NQQAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ2NQQAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ2NQUAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ2NQUAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 64M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBHAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tray Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBHAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 100-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 100-VFBGA (10x7.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBQAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBQAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_06 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAFJ | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4X SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.1V/1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAFJ | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, -40C-105C | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAFJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAFJ TR | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1600MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAFJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 1600MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAFJ/REEL | Winbond | W66BQ6NBUAFJ/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAGJ | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1866MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAGJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 1866MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAGJ | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4X SDRAM 2Gbit 128Mx16 1.1V/1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAGJ TR | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 1866MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAGJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 1866MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAHJ | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAHJ | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAHJ TR | Winbond | DRAM 2Gb LPDDR4X, x16, 2133MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 2GB LPDDR4X, X16, 2133MHZ, -40C~ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66BQ6NBUAHJ/TRAY | Winbond | W66BQ6NBUAHJ/TRAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAFA/REEL | Winbond | W66CL2NQUAFA/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAFI | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAFI | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1600MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAFI TR | Winbond | 2Gb / 4Gb LPDDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAFI/REEL | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAFI/TRAY | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAFJ | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAFJ/TRAY | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAGI | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1866MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAGI | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAGI TR | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAHI | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CL2NQUAHI | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 2133MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAFI | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1600MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAFI | Winbond | LPDDR4 DRAM Chip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAFI TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1600MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAFJ | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1600MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAFJ TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1600MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAGI | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1866MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAGI TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAGI TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAGI/REEL | Winbond | W66CM2NQUAGI/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAGI/TRAY | Winbond | W66CM2NQUAGI/TRAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAGJ | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAGJ TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAHI | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAHI | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 2133MHz, Industrial Temp | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAHI TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAHJ | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CM2NQUAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CN-T | SINOICOM | 2002 | на замовлення 166 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQQAFJ/REEL | Winbond | LPDDR4-3200, -40°C105°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQQAHJ | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4, DDP, X32, 2133MHZ, - Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQQAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4, DDP, X32, 2133MHZ, - Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAFJ | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1600MHz, -40C-105C | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W66CP2NQUAFJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4 Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Part Status: Active Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W66CP2NQUAFJ | Winbond | 2Gb / 4Gb LPDDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAFJ TR | Winbond | LPDDR4-3200, -40°C105°C, WFBGA 200 ball (DDP), 1.8V/1.1V/1.1Vn TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAFJ/REEL | Winbond | 2Gb / 4Gb LPDDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAFJ/TRAY | Winbond | 2Gb / 4Gb LPDDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAFK/REEL | Winbond | W66CP2NQUAFK/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAFS/REEL | Winbond | LPDDR4x, 4GB, x32 DRAM Chip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAGJ | Winbond | 2Gb / 4Gb LPDDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAGJ TR | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1866MHz, -40C-105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAGJ TR | Winbond | 4Gb LPDDR4, DDP, x32, 1866MHz, -40C105C, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAGJ/REEL | Winbond | W66CP2NQUAGJ/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAGJ/TRAY | Winbond | W66CP2NQUAGJ/TRAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAHJ | Winbond | 2Gb / 4Gb LPDDR4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP2NQUAHJ/TRAY | Winbond | LPDDR4, -40°-105°C, WFBGA 200 ball | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP6RBQAHJ/REEL | Winbond | 1.8V/1.1V/1.1 or 0.6V 16 TFBGA 200 ball (SDP) LPDDR4/4X-4267, -40°C105°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CP6RBQAHJ/TRAY | Winbond | 1.8V/1.1V/1.1 or 0.6V 16 TFBGA 200 ball (SDP) LPDDR4/4X-4267, -40°C105°C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQQAHJ | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, Packaging: Tray Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQQAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 200-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5) Write Cycle Time - Word, Page: 18ns Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.6 ns Memory Organization: 128M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAFJ | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1600MHz, -40C-105C | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAFJ | Winbond Electronics | Description: IC DRAM 4GBIT LVSTL 11 200WFBGA Packaging: Tray Package / Case: 200-WFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TC) Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X Clock Frequency: 2.133 GHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 200-WFBGA (10x14.5) Part Status: Active Memory Interface: LVSTL_11 Access Time: 3.5 ns Memory Organization: 128M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAFJ | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4X SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAFJ TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1600MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAFJ/REEL | Winbond | W66CQ2NQUAFJ/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAGJ | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4X SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAGJ | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAGJ | Winbond | DRAM 4Gb LPDDR4X, DDP, x32, 1866MHz, -40C-105C | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAGJ TR | Winbond | LPDDR4X DRAM Chip | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAGJ TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 1866MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAGJ/REEL | Winbond | W66CQ2NQUAGJ/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAGJ/TRAY | Winbond | W66CQ2NQUAGJ/TRAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAHJ | Winbond | DRAM Chip Mobile LPDDR4X SDRAM 4Gbit 128Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin WFBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAHJ | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66CQ2NQUAHJ TR | Winbond Electronics | Description: 4GB LPDDR4X, DDP, X32, 2133MHZ, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66DP2NQUAFI/TRAY | Winbond | W66DP2NQUAFI/TRAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66DP2NQUAFK/REEL | Winbond | W66DP2NQUAFK/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66DP2NQUAFS/REEL | Winbond | W66DP2NQUAFS/REEL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W66DP2NQUAGK/TRAY | Winbond | W66DP2NQUAGK/TRAY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |