Продукція > XPW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XPW100100B-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5175.75 грн
5+5017.93 грн
10+4707.92 грн
20+4254.39 грн
50+3996.66 грн
100+3920.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100B-01LantronixServers xPico Wi-Fi Device Server Module, Bulk
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3382.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100B-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100B-01Lantronix, Inc.Description: RF TXRX MODULE WIFI IEEE 802.11
Packaging: Box
Package / Case: Module
Frequency: 2.4GHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Protocol: 802.11b/g/n
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: GPIO, SPI, USB
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2753.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100K-01LantronixNetworking Development Tools xPico Wi-Fi Device Server Dev Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100K-01LantronixXPW100100B-01/XPW100100S-01 Serial Server Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100K-01Lantronix, Inc.Description: XPICO WI-FI LOW POWER EMBEDDED I
Packaging: Box
Frequency: 2.4GHz
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13848.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100S-01Lantronix, Inc.Description: RF TXRX MODULE WIFI IEEE 802.11
Packaging: Box
Package / Case: Module
Frequency: 2.4GHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Protocol: 802.11b/g/n
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: GPIO, SPI, USB
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3392.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100S-01LANTRONIXDescription: LANTRONIX - XPW100100S-01 - Device-Server-Modul, IEEE 802.11 b/g/n, erweiterter Temperaturbereich, RoHS
Modulanwendungsbereiche: M2M, Internet of Things
Modulschnittstelle: SPI
HF-Frequenz: 2.4
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100S-01LantronixServers xPico Wi-Fi Device Server Module Sample
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3702.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100S-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100A003-01-BLantronixAntennas Strip Antenna for xPico WiFi Module
на замовлення 1333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100A003-01-BLantronix, Inc.Description: STRIP ANTENNA
Packaging: Box
Accessory Type: Strip Antenna
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.14 грн
10+129.90 грн
100+89.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.01 грн
10+134.96 грн
100+81.46 грн
500+68.27 грн
1000+65.31 грн
2500+63.51 грн
5000+57.71 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.94 грн
10+121.15 грн
100+83.25 грн
500+62.91 грн
1000+58.02 грн
2000+53.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+59.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+161.88 грн
10+108.76 грн
100+68.07 грн
500+56.88 грн
1000+53.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPW6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, DSOP Advance M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+94.23 грн
500+72.99 грн
1000+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPW6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, DSOP Advance M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
Verlustleistung: 132W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: DSOP Advance M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
на замовлення 3282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+188.46 грн
10+124.03 грн
100+94.23 грн
500+72.99 грн
1000+62.20 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.