Продукція > XPW

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
XPW100100B-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100B-01Lantronix, Inc.Description: RF TXRX MODULE WIFI IEEE 802.11
Packaging: Box
Package / Case: Module
Frequency: 2.4GHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Protocol: 802.11b/g/n
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: GPIO, SPI, USB
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3084.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100B-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+4626.73 грн
5+4485.66 грн
10+4208.53 грн
20+3803.11 грн
50+3572.72 грн
100+3504.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100B-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100B-01LantronixServers xPico Wi-Fi Device Server Module, Bulk
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3733.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100K-01LantronixXPW100100B-01/XPW100100S-01 Serial Server Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100K-01LantronixNetworking Development Tools xPico Wi-Fi Device Server Dev Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100K-01LantronixXPW100100B-01/XPW100100S-01 Serial Server Evaluation Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100K-01Lantronix, Inc.Description: XPICO WI-FI LOW POWER EMBEDDED I
Packaging: Box
Frequency: 2.4GHz
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15438.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100S-01LantronixServers xPico Wi-Fi Device Server Module Sample
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4292.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100S-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100S-01Lantronix, Inc.Description: RF TXRX MODULE WIFI IEEE 802.11
Packaging: Box
Package / Case: Module
Frequency: 2.4GHz
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Protocol: 802.11b/g/n
RF Family/Standard: WiFi
Serial Interfaces: GPIO, SPI, USB
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3843.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100S-01LantronixSerial to Wi-Fi Server IEEE 802.11b/g/n
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100100S-01LANTRONIXDescription: LANTRONIX - XPW100100S-01 - Device-Server-Modul, IEEE 802.11 b/g/n, erweiterter Temperaturbereich, RoHS
Modulanwendungsbereiche: M2M, Internet of Things
Modulschnittstelle: SPI
HF-Frequenz: 2.4
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100A003-01-BLantronixAntenna PCB 2.5dBi Gain 2490MHz 4-Pin Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100A003-01-BLantronixAntennas Strip Antenna for xPico WiFi Module
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPW100A003-01-BLantronix, Inc.Description: STRIP ANTENNA
Packaging: Box
Accessory Type: Strip Antenna
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+258.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.05 грн
10+144.83 грн
100+100.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQToshibaMOSFETs POWER MOSFET TRANSISTOR DSOP Advance(WF)M PD=170W F=1MHZ
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.66 грн
10+156.48 грн
100+94.45 грн
500+79.16 грн
1000+75.72 грн
2500+73.64 грн
5000+66.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPW4R10ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 70A AEC-Q101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4970 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 5312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.33 грн
10+135.07 грн
100+92.81 грн
500+70.14 грн
1000+64.69 грн
2000+60.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 100V 45A 8DSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 22.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 500µA
Supplier Device Package: 8-DSOP Advance
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3240 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+65.93 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQToshibaMOSFETs 132W 1MHz Automotive; AEC-Q101
на замовлення 4982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+187.70 грн
10+126.11 грн
100+78.92 грн
500+65.96 грн
1000+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPW6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, DSOP Advance M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DSOP Advance M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+171.50 грн
10+114.93 грн
100+71.47 грн
500+60.20 грн
1000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
XPW6R30ANB,L1XHQ(OTOSHIBADescription: TOSHIBA - XPW6R30ANB,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45 A, 6300 µohm, DSOP Advance M, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: DSOP Advance M
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII-H Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6300µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.47 грн
500+60.20 грн
1000+53.26 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.