Продукція > NEXPERIA USA INC. > Всі товари виробника NEXPERIA USA INC. (31403) > Сторінка 245 з 524

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 52 104 156 208 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 260 312 364 416 468 520 524  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Nexperia USA Inc. 2N7002KQB.pdf Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQBZ 2N7002KQBZ Nexperia USA Inc. 2N7002KQB.pdf Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G32GXX 74LVC2G32GXX Nexperia USA Inc. 74LVC2G32.pdf Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8X2SON
Current - Quiescent (Max): 4 µA
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.8V
Input Logic Level - High: 0.95V ~ 3.4V
Supplier Device Package: 8-X2SON (1.35x0.8)
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: OR Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 58353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1406+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 1406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1/DG/B4VL Nexperia USA Inc. PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER 9.05V 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1/DG/B3:2 Nexperia USA Inc. PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER 9.05V 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P,127 Nexperia USA Inc. PSMN057-200P.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP011-20QXJ PXP011-20QXJ Nexperia USA Inc. Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP011-20QXJ PXP011-20QXJ Nexperia USA Inc. Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.85 грн
11+27.61 грн
25+24.69 грн
100+20.16 грн
250+18.73 грн
500+17.86 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZ BC856AQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZ BC856AQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZ BC856AQCZ Nexperia USA Inc. BC856XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZ BC856AQCZ Nexperia USA Inc. BC856XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.93 грн
36+8.62 грн
100+5.32 грн
500+3.65 грн
1000+3.22 грн
2000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G79GW125 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT1G79.pdf Description: NOW NEXPERIA 74AHCT1G79GW-Q100 -
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G80GF132 74AUP1G80GF132 Nexperia USA Inc. 74AUP1G80.pdf Description: IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 6XSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G80GM,115 74LVC1G80GM,115 Nexperia USA Inc. PHGLS25117-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC FF D-TYPE SINGLE 1BIT 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 400 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 6-XSON (1.45x1)
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 159792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1462+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 1462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856BQCZ Nexperia USA Inc. BC856XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856BQCZ Nexperia USA Inc. BC856XQC_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.93 грн
36+8.55 грн
100+5.32 грн
500+3.65 грн
1000+3.21 грн
2000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856BQC-QZ Nexperia USA Inc. BC856XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.93 грн
35+8.85 грн
100+5.51 грн
500+3.78 грн
1000+3.33 грн
2000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZU7.5B,115 PZU7.5B,115 Nexperia USA Inc. PZUXB_SER.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 310MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 310 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZU7.5B,115 PZU7.5B,115 Nexperia USA Inc. PZUXB_SER.pdf Description: DIODE ZENER 7.5V 310MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 310 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+18.07 грн
29+10.67 грн
100+6.65 грн
500+4.59 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005ESF315 PMEG4005ESF315 Nexperia USA Inc. PMEG4005ESF.pdf Description: NEXPERIA PMEG4005ESF - RECTIFIER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7969+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 7969 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005EGW,115 PMEG4005EGW,115 Nexperia USA Inc. PMEG4005EGW.pdf Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.5A,
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005EH/6X PMEG4005EH/6X Nexperia USA Inc. PMEG4005EH.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 43pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLHX Nexperia USA Inc. PSMN1R5-50YLH.pdf Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLHX Nexperia USA Inc. PSMN1R5-50YLH.pdf Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.15 грн
10+195.02 грн
100+137.69 грн
500+110.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLHAX Nexperia USA Inc. PSMN1R2-55SLH.pdf Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLHAX Nexperia USA Inc. PSMN1R2-55SLH.pdf Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLH PSMN1R2-55SLH Nexperia USA Inc. PSMN1R2-55SLH.pdf Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLH PSMN1R2-55SLH Nexperia USA Inc. PSMN1R2-55SLH.pdf Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.73 грн
10+248.12 грн
100+203.27 грн
500+162.39 грн
1000+136.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLD,115 PSMN1R2-25YLD,115 Nexperia USA Inc. Description: PSMN1R2-25YLD - N-CHANNEL 25V, 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLD115 Nexperia USA Inc. NEXP-S-A0003107878-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NOW NEXPERIA PSMN1R7-25YLD - POW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30EL,127 Nexperia USA Inc. PSMN1R1-30EL.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT10DB,112 74HCT10DB,112 Nexperia USA Inc. PHGL-S-A0002307496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE NAND
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT10DB,112 74HCT10DB,112 Nexperia USA Inc. PHGL-S-A0002307496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC GATE NAND
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
384+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP6R1-30QLJ PXP6R1-30QLJ Nexperia USA Inc. PXP6R1-30QL.pdf Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP6R1-30QLJ PXP6R1-30QLJ Nexperia USA Inc. PXP6R1-30QL.pdf Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G125GF,132 74AHCT1G125GF,132 Nexperia USA Inc. 74AHC_AHCT1G125.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6XSON
Output Type: 3-State
Package / Case: 6-XFDFN
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT891 (1x1)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
на замовлення 130643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
658+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC20PW118 74HC20PW118 Nexperia USA Inc. Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMT1 PUMT1 Nexperia USA Inc. PHGLS19727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: PUMT1 - PNP GENERAL PURPOSE DOUB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJ PXN5R4-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN5R4-30QL.pdf Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJ PXN5R4-30QLJ Nexperia USA Inc. PXN5R4-30QL.pdf Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.99 грн
11+27.69 грн
100+19.19 грн
500+15.06 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C62-QX BZX58550-C62-QX Nexperia USA Inc. BZX58550-Q_SER.pdf Description: BZX58550-C62-Q/SOD523/SC-79
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C62-QX BZX58550-C62-QX Nexperia USA Inc. BZX58550-Q_SER.pdf Description: BZX58550-C62-Q/SOD523/SC-79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV28,115 BCV28,115 Nexperia USA Inc. BCV28.pdf Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV28,115 BCV28,115 Nexperia USA Inc. BCV28.pdf Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.20 грн
10+32.38 грн
100+20.83 грн
500+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G08GF/S500,1 74LVC1G08GF/S500,1 Nexperia USA Inc. PHGLS25110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AND SNGL 2-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G08GM,115 74LVC1G08GM,115 Nexperia USA Inc. 74LVC1G08.pdf Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 22760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.00 грн
41+7.49 грн
47+6.57 грн
100+5.24 грн
250+4.79 грн
500+4.53 грн
1000+4.24 грн
2500+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3USB30Z PESD3USB30Z Nexperia USA Inc. PESDxUSB30.pdf Description: TVS DIODE 5.5VWM 15WLCSP
на замовлення 17350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1159+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 1159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3USB3S/CZ Nexperia USA Inc. PESDXUSB3S_SER.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 15WLCSP
Supplier Device Package: 15-WLCSP (2.37x1.17)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Applications: HDMI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 15-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD2USB3S/CZ PESD2USB3S/CZ Nexperia USA Inc. PESDXUSB3S_SER.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 10WLCSP
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Applications: HDMI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.57x1.17)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD1USB3S/CZ PESD1USB3S/CZ Nexperia USA Inc. PESDXUSB3S_SER.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 5WLCSP
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 5-WLCSP (0.77x1.17)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Applications: HDMI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-B47,215 BZB84-B47,215 Nexperia USA Inc. PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER ARRAY 47V SOT-23
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 32.9 V
на замовлення 9273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9273+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 9273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-C4V3,215 BZB84-C4V3,215 Nexperia USA Inc. PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT-23
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: SOT-23
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Configuration: 1 Pair Common Anode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10764+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 10764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-B30,215 BZB84-B30,215 Nexperia USA Inc. PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: DIODE ZENER ARRAY 30V TO-236AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 21 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-236AB
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Configuration: 1 Pair Common Anode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
на замовлення 58251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9616+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 9616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQCZ PDTA143ZQCZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143XQC-QZ PDTA143XQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143XQC-QZ PDTA143XQC-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.71 грн
33+9.23 грн
100+5.70 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
2000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EQB-QZ PDTA143EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EQB-QZ PDTA143EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.71 грн
33+9.30 грн
100+5.79 грн
500+3.98 грн
1000+3.51 грн
2000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQBZ 2N7002KQB.pdf
2N7002KQBZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N7002KQBZ 2N7002KQB.pdf
2N7002KQBZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: 2N7002KQB/SOT8015/DFN1110D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 720mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 720mA, 10V
Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), 4.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC2G32GXX 74LVC2G32.pdf
74LVC2G32GXX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE OR 2CH 2-INP 8X2SON
Current - Quiescent (Max): 4 µA
Number of Circuits: 2
Part Status: Active
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4ns @ 5V, 50pF
Input Logic Level - Low: 0.1V ~ 0.8V
Input Logic Level - High: 0.95V ~ 3.4V
Supplier Device Package: 8-X2SON (1.35x0.8)
Number of Inputs: 2
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Logic Type: OR Gate
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 58353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1406+14.06 грн
Мінімальне замовлення: 1406 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1/DG/B4VL PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 9.05V 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84-C9V1/DG/B3:2 PHGLS29437-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 9.05V 250MW TO236AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN057-200P,127 PSMN057-200P.pdf
PSMN057-200P,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 200V 39A TO220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 17A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3750 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP011-20QXJ
PXP011-20QXJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP011-20QXJ
PXP011-20QXJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP011-20QX/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4200 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.4mOhm @ 10.5A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 56.6A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+40.85 грн
11+27.61 грн
25+24.69 грн
100+20.16 грн
250+18.73 грн
500+17.86 грн
1000+16.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZ BC856XQC-Q_SER.pdf
BC856AQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQC-QZ BC856XQC-Q_SER.pdf
BC856AQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 360 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856AQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856AQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856AQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.93 грн
36+8.62 грн
100+5.32 грн
500+3.65 грн
1000+3.22 грн
2000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G79GW125 74AHC_AHCT1G79.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NOW NEXPERIA 74AHCT1G79GW-Q100 -
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G80GF132 74AUP1G80.pdf
74AUP1G80GF132
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE SNGL 1BIT 6XSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G80GM,115 PHGLS25117-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74LVC1G80GM,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC FF D-TYPE SINGLE 1BIT 6XSON
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Inverted
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Function: Standard
Type: D-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Quiescent (Iq): 200 µA
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Trigger Type: Positive Edge
Clock Frequency: 400 MHz
Input Capacitance: 5 pF
Supplier Device Package: 6-XSON (1.45x1)
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4.5ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Bits per Element: 1
на замовлення 159792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1462+14.02 грн
Мінімальне замовлення: 1462 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856BQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQCZ BC856XQC_SER.pdf
BC856BQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.93 грн
36+8.55 грн
100+5.32 грн
500+3.65 грн
1000+3.21 грн
2000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856XQC-Q_SER.pdf
BC856BQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC856BQC-QZ BC856XQC-Q_SER.pdf
BC856BQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1412D-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 360 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
22+14.93 грн
35+8.85 грн
100+5.51 грн
500+3.78 грн
1000+3.33 грн
2000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZU7.5B,115 PZUXB_SER.pdf
PZU7.5B,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 7.5V 310MW SOD323F
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Grade: Automotive
Part Status: Active
Power - Max: 310 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PZU7.5B,115 PZUXB_SER.pdf
PZU7.5B,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER 7.5V 310MW SOD323F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-90, SOD-323F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 7.5 V
Impedance (Max) (Zzt): 10 Ohms
Supplier Device Package: SOD-323F
Part Status: Active
Power - Max: 310 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 nA @ 4 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
18+18.07 грн
29+10.67 грн
100+6.65 грн
500+4.59 грн
1000+4.06 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005ESF315 PMEG4005ESF.pdf
PMEG4005ESF315
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA PMEG4005ESF - RECTIFIER
Part Status: Active
Packaging: Bulk
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
7969+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 7969 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005EGW,115 PMEG4005EGW.pdf
PMEG4005EGW,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.5A,
Part Status: Active
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMEG4005EH/6X PMEG4005EH.pdf
PMEG4005EH/6X
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 500MA SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 43pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 500mA
Supplier Device Package: SOD-123F
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 470 mV @ 500 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLH.pdf
PSMN1R5-50YLHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R5-50YLHX PSMN1R5-50YLH.pdf
PSMN1R5-50YLHX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R5-50YLH/SOT1023/4 LEADS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Supplier Device Package: LFPAK56, Power-SO8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 181 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11143 pF @ 25 V
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+307.15 грн
10+195.02 грн
100+137.69 грн
500+110.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLH.pdf
PSMN1R2-55SLHAX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLHAX PSMN1R2-55SLH.pdf
PSMN1R2-55SLHAX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R2-55SLH/SOT1235/LFPAK88
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLH PSMN1R2-55SLH.pdf
PSMN1R2-55SLH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-55SLH PSMN1R2-55SLH.pdf
PSMN1R2-55SLH
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: N-CHANNEL 55 V, 1.03 MOHM, 330 A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25773 pF @ 27 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 395 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: LFPAK88 (SOT1235)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 375W (Ta)
FET Feature: Schottky Diode (Isolated)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.03mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 330A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-1235
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+286.73 грн
10+248.12 грн
100+203.27 грн
500+162.39 грн
1000+136.96 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLD,115
PSMN1R2-25YLD,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PSMN1R2-25YLD - N-CHANNEL 25V, 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-25YLD115 NEXP-S-A0003107878-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: NOW NEXPERIA PSMN1R7-25YLD - POW
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30EL,127 PSMN1R1-30EL.pdf
PSMN1R1-30EL,127
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14850 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 243 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 338W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
333+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT10DB,112 PHGL-S-A0002307496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74HCT10DB,112
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE NAND
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
384+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HCT10DB,112 PHGL-S-A0002307496-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74HCT10DB,112
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE NAND
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4056 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
384+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 384 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP6R1-30QLJ PXP6R1-30QL.pdf
PXP6R1-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXP6R1-30QLJ PXP6R1-30QL.pdf
PXP6R1-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXP6R1-30QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.5A (Ta), 71.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 13.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 116.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AHCT1G125GF,132 74AHC_AHCT1G125.pdf
74AHCT1G125GF,132
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC BUFFER NON-INVERT 5.5V 6XSON
Output Type: 3-State
Package / Case: 6-XFDFN
Number of Elements: 1
Mounting Type: Surface Mount
Current - Output High, Low: 8mA, 8mA
Number of Bits per Element: 1
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT891 (1x1)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
на замовлення 130643 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
658+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74HC20PW118
74HC20PW118
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE NAND 2CH 4-INP 14TSSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMT1 PHGLS19727-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PUMT1
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PUMT1 - PNP GENERAL PURPOSE DOUB
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11901 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJ PXN5R4-30QL.pdf
PXN5R4-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN5R4-30QLJ PXN5R4-30QL.pdf
PXN5R4-30QLJ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: PXN5R4-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 39W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 14.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 66A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 32449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+32.99 грн
11+27.69 грн
100+19.19 грн
500+15.06 грн
1000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C62-QX BZX58550-Q_SER.pdf
BZX58550-C62-QX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BZX58550-C62-Q/SOD523/SC-79
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX58550-C62-QX BZX58550-Q_SER.pdf
BZX58550-C62-QX
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: BZX58550-C62-Q/SOD523/SC-79
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCV28,115 BCV28.pdf
BCV28,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-89
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BCV28,115 BCV28.pdf
BCV28,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT-89
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-89
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 1.3 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
6+54.20 грн
10+32.38 грн
100+20.83 грн
500+14.87 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G08GF/S500,1 PHGLS25110-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
74LVC1G08GF/S500,1
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC AND SNGL 2-INP
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 245000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
720+30.08 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
74LVC1G08GM,115 74LVC1G08.pdf
74LVC1G08GM,115
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: IC GATE AND 1CH 2-INP 6XSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Logic Type: AND Gate
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 1.65V ~ 5.5V
Current - Output High, Low: 32mA, 32mA
Number of Inputs: 2
Supplier Device Package: 6-XSON, SOT886 (1.45x1)
Input Logic Level - High: 1.7V ~ 2V
Input Logic Level - Low: 0.7V ~ 0.8V
Max Propagation Delay @ V, Max CL: 4ns @ 5V, 50pF
Part Status: Active
Number of Circuits: 1
Current - Quiescent (Max): 4 µA
на замовлення 22760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
29+11.00 грн
41+7.49 грн
47+6.57 грн
100+5.24 грн
250+4.79 грн
500+4.53 грн
1000+4.24 грн
2500+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3USB30Z PESDxUSB30.pdf
PESD3USB30Z
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5.5VWM 15WLCSP
на замовлення 17350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1159+19.41 грн
Мінімальне замовлення: 1159 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3USB3S/CZ PESDXUSB3S_SER.pdf
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5VWM 15WLCSP
Supplier Device Package: 15-WLCSP (2.37x1.17)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Applications: HDMI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 15-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PESD2USB3S/CZ PESDXUSB3S_SER.pdf
PESD2USB3S/CZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5VWM 10WLCSP
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Applications: HDMI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 10-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: 10-WLCSP (1.57x1.17)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD1USB3S/CZ PESDXUSB3S_SER.pdf
PESD1USB3S/CZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TVS DIODE 5VWM 5WLCSP
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Voltage - Breakdown (Min): 6V
Unidirectional Channels: 1
Supplier Device Package: 5-WLCSP (0.77x1.17)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 5-UFBGA, WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 8A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 0.45pF @ 1MHz
Applications: HDMI, USB
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Type: Zener
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-B47,215 PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZB84-B47,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER ARRAY 47V SOT-23
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 47 V
Impedance (Max) (Zzt): 170 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 32.9 V
на замовлення 9273 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9273+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 9273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-C4V3,215 PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZB84-C4V3,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER ARRAY 4.3V SOT-23
Packaging: Bulk
Current - Reverse Leakage @ Vr: 3 µA @ 1 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: SOT-23
Impedance (Max) (Zzt): 90 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 4.3 V
Configuration: 1 Pair Common Anode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
на замовлення 168000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10764+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 10764 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZB84-B30,215 PHGLS18928-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BZB84-B30,215
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: DIODE ZENER ARRAY 30V TO-236AB
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 21 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Supplier Device Package: TO-236AB
Impedance (Max) (Zzt): 80 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 30 V
Configuration: 1 Pair Common Anode
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±2%
Packaging: Bulk
на замовлення 58251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
9616+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 9616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143ZQCZ PDTA143X_TO_124XQC_SER.pdf
PDTA143ZQCZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143XQC-QZ PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf
PDTA143XQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143XQC-QZ PDTA143X_TO_124XQC-Q_SER.pdf
PDTA143XQC-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1412D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 360 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.71 грн
33+9.23 грн
100+5.70 грн
500+3.92 грн
1000+3.46 грн
2000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EQB-QZ PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf
PDTA143EQB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA143EQB-QZ PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf
PDTA143EQB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
20+15.71 грн
33+9.30 грн
100+5.79 грн
500+3.98 грн
1000+3.51 грн
2000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 52 104 156 208 240 241 242 243 244 245 246 247 248 249 250 260 312 364 416 468 520 524  [ Наступна Сторінка >> ]