Продукція > NEXPERIA > Всі товари виробника NEXPERIA (71593) > Сторінка 1180 з 1194

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 119 238 357 476 595 714 833 952 1071 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1190 1194  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PDTA144VU,115 PDTA144VU,115 NEXPERIA PDTA144V_SER.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122,115 NEXPERIA BSP122.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+41.67 грн
14+30.87 грн
50+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126,115 NEXPERIA BSP126.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.11 грн
12+36.09 грн
25+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115 BSP19,115 NEXPERIA BSP19.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.2W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 70MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16,115 BCX54-16,115 NEXPERIA BCX54_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16,135 BCX54-16,135 NEXPERIA BCX54_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16-QX NEXPERIA BCX54-Q_SER.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ALVCH16501DGGY NEXPERIA 74ALVCH16501DGGY.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 18bit,3-state,bus transceiver; CMOS,TTL; SMD; ALVCH
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; 18bit; bus transceiver
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 1.2...3.6V DC
Family: ALVCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD24VS2UT,215 PESD24VS2UT,215 NEXPERIA PESD24VS2UT.pdf Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.5÷27.5V; 3A; 160W; SOT23; Ch: 2; ESD
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.5...27.5V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: common anode; double; unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 0.16kW
на замовлення 16728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
14+34.42 грн
20+21.53 грн
100+13.37 грн
500+9.34 грн
1000+6.98 грн
3000+6.31 грн
15000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3V3L1BAZ PESD3V3L1BAZ NEXPERIA PESD3V3L1BA.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 500W; 5.8÷6.9V; 18A; bidirectional; SC76,SOD323
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.8...6.9V
Max. forward impulse current: 18A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SC76; SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3V6Z1BCSFYL PESD3V6Z1BCSFYL NEXPERIA PESD3V6Z1BCSF.pdf Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8V; bidirectional; DSN0603-2,SOD962-2
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3.6V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DSN0603-2; SOD962-2
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125D,118 NEXPERIA 74VHC_VHCT125.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,line driver; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs: 2
Supply voltage: 2...5.5V DC
Number of channels: 4
Kind of output: 3-state
Family: VHC
Case: SO14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125PW,118 NEXPERIA 74VHC_VHCT125.pdf Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,line driver; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs: 2
Supply voltage: 2...5.5V DC
Number of channels: 4
Kind of output: 3-state
Family: VHC
Case: TSSOP14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN5R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 74A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 8.3mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+163.06 грн
10+113.56 грн
100+101.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YLX NEXPERIA PSMN4R1-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+113.24 грн
10+87.48 грн
25+78.23 грн
100+72.34 грн
250+69.82 грн
500+62.25 грн
1000+61.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLDX NEXPERIA PSMN013-40VLD.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.62 грн
10+61.41 грн
25+51.31 грн
100+46.26 грн
250+42.90 грн
500+40.38 грн
1000+37.01 грн
1500+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN1R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+147.66 грн
10+114.40 грн
25+103.46 грн
100+95.89 грн
250+91.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLDX NEXPERIA PSMN4R0-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
13+37.14 грн
15+29.36 грн
25+26.41 грн
100+24.48 грн
250+23.38 грн
500+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YLX NEXPERIA PSMN7R5-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+89.68 грн
10+70.66 грн
25+63.09 грн
100+58.88 грн
250+55.52 грн
500+50.47 грн
1000+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC,115 NEXPERIA PSMN013-30MLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.55 грн
22+20.02 грн
25+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS,118 NEXPERIA PSMN1R7-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+264.52 грн
5+211.14 грн
10+194.31 грн
25+187.58 грн
50+175.81 грн
100+165.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS,115 NEXPERIA PSMN8R5-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 303A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 5.6mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+80.62 грн
10+67.29 грн
25+62.25 грн
100+58.88 грн
250+52.99 грн
500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 NEXPERIA PSMN3R5-30YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 74W
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS,115 NEXPERIA PSMN017-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+61.60 грн
10+48.45 грн
25+39.37 грн
100+35.08 грн
250+32.47 грн
500+31.04 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS,118 NEXPERIA PSMN015-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+110.52 грн
10+80.75 грн
25+70.66 грн
100+64.77 грн
250+62.25 грн
500+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YLX NEXPERIA PSMN013-60YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+56.16 грн
11+38.69 грн
25+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC,115 NEXPERIA PSMN0R9-25YLC.115.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.28 грн
10+126.18 грн
25+105.99 грн
100+95.89 грн
250+88.32 грн
500+84.12 грн
1000+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC,115 NEXPERIA PSMN013-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+44.39 грн
12+35.50 грн
25+32.22 грн
100+23.30 грн
250+21.03 грн
500+19.43 грн
1000+18.59 грн
1500+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLDX NEXPERIA PSMN0R9-30YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+164.87 грн
10+148.05 грн
25+142.16 грн
100+137.95 грн
250+132.91 грн
500+129.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS,115 NEXPERIA PSMN030-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+43.48 грн
14+30.37 грн
25+27.34 грн
100+25.24 грн
250+24.14 грн
500+21.70 грн
1000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC,115 NEXPERIA PSMN1R2-25YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+83.34 грн
10+61.41 грн
25+52.99 грн
100+50.47 грн
250+46.26 грн
500+44.58 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC,115 NEXPERIA PSMN2R2-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+139.51 грн
10+103.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YLX NEXPERIA PSMN038-100YL.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+65.22 грн
10+45.17 грн
25+40.88 грн
100+37.85 грн
250+36.09 грн
500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS,118 NEXPERIA PSMN4R6-60BS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+184.80 грн
10+128.70 грн
25+116.08 грн
100+107.67 грн
250+102.62 грн
500+92.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE,115 NEXPERIA PSMN2R0-30YLE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+105.08 грн
10+88.32 грн
25+81.59 грн
100+77.39 грн
250+70.66 грн
500+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS,127 NEXPERIA PSMN3R0-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+276.29 грн
3+237.21 грн
10+234.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PSQ NEXPERIA PSMN3R9-60PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+176.65 грн
10+166.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL,127 NEXPERIA PSMN2R0-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+148.89 грн
10+132.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC,115 NEXPERIA PSMN7R0-30YLC.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.26 грн
11+38.27 грн
25+34.40 грн
100+31.88 грн
250+30.45 грн
500+27.34 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS,115 NEXPERIA PSMN012-100YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+143.13 грн
10+98.42 грн
25+82.44 грн
100+74.02 грн
250+68.98 грн
500+65.61 грн
1000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL,127 NEXPERIA PSMN017-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS,127 NEXPERIA PSMN8R0-40PS.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
7+73.38 грн
10+63.09 грн
25+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL,127 NEXPERIA PSMN1R1-30PL.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1609A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 243nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+328.84 грн
3+275.91 грн
10+269.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS,115 NEXPERIA PSMN7R0-60YS.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+138.60 грн
10+95.89 грн
25+86.64 грн
100+80.75 грн
250+77.39 грн
500+68.98 грн
1000+65.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P,127 NEXPERIA PSMN009-100P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+185.06 грн
10+176.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJ NEXPERIA PSMN1R8-80SSF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 222nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 341W
Drain current: 205A
Pulsed drain current: 1158A
Case: LFPAK88; SOT1235
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX NEXPERIA PSMN1R2-25YLD.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Mounting: SMD
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60.3nC
On-state resistance: 2.87mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 172W
Drain current: 205A
Pulsed drain current: 1163A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LV4060PW,112 74LV4060PW,112 NEXPERIA 74LV4060.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 14bit,binary counter; TTL; SMD; TSSOP16; LV; -40÷125°C
Technology: TTL
Case: TSSOP16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Family: LV
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1...5.5V DC
Kind of integrated circuit: 14bit; binary counter
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+40.76 грн
13+33.98 грн
25+31.38 грн
96+29.95 грн
192+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
74LV4060DB,112 74LV4060DB,112 NEXPERIA 74LV4060.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 14bit,binary counter; TTL; SMD; SSOP16; LV; -40÷125°C
Technology: TTL
Case: SSOP16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Family: LV
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1...5.5V DC
Kind of integrated circuit: 14bit; binary counter
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+57.98 грн
9+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HEF4541BT-Q100J NEXPERIA HEF4541B_Q100.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 16-stage,binary counter; SO14; -40÷85°C; 3÷15VDC
Type of integrated circuit: digital
Case: SO14
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...15V DC
Kind of integrated circuit: 16-stage; binary counter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HEF4541BT,118 NEXPERIA HEF4541B.pdf Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 16-stage,binary counter; CMOS; SMD; SO14; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Technology: CMOS
Case: SO14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...15V DC
Kind of integrated circuit: 16-stage; binary counter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH17,115 PUMH17,115 NEXPERIA PEMH17_PUMH17.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 47kΩ; R2: 22kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4531,113 NEXPERIA 1N4531_2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; reel; Ifsm: 1A; DO34; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel
Case: DO34
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 75V
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.45A
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4531,133 1N4531,133 NEXPERIA 1N4531_2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO34; 500mW
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO34
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 75V
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.45A
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4531,143 NEXPERIA 1N4531_2.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO34; 500mW
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO34
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 75V
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.45A
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH11,115 PEMH11,115 NEXPERIA PEMH11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH11,315 PEMH11,315 NEXPERIA PEMH11.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH13,115 PUMH13,115 NEXPERIA PEMH13_PUMH13.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 19599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.25 грн
80+5.30 грн
93+4.54 грн
119+3.55 грн
250+2.67 грн
500+2.37 грн
1000+2.22 грн
3000+2.07 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH10,115 PUMH10,115 NEXPERIA PEMH10_PUMH10.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Kind of transistor: BRT
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Frequency: 230MHz
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
63+7.25 грн
75+5.64 грн
104+4.07 грн
124+3.40 грн
250+2.57 грн
500+2.31 грн
1000+2.18 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH1,115 PUMH1,115 NEXPERIA PEMH1_PUMH1.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 22kΩ; R2: 22kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 19318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
50+9.06 грн
72+5.89 грн
107+3.94 грн
119+3.55 грн
250+2.67 грн
500+2.37 грн
1000+2.22 грн
3000+2.07 грн
15000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA144VU,115 PDTA144V_SER.pdf
PDTA144VU,115
Виробник: NEXPERIA
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 40
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSP122,115 BSP122.pdf
BSP122,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.55A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.55A
On-state resistance: 2.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±2V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 203 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.67 грн
14+30.87 грн
50+24.06 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
BSP126,115 BSP126.pdf
BSP126,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.375A; 1.5W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 0.375A
On-state resistance: 7.5Ω
Power dissipation: 1.5W
Gate-source voltage: ±20V
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 659 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+47.11 грн
12+36.09 грн
25+30.87 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
BSP19,115 BSP19.pdf
BSP19,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 400V; 0.1A; 1.2W; SC73,SOT223
Case: SC73; SOT223
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 1.2W
Current gain: 40
Collector-emitter voltage: 400V
Frequency: 70MHz
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16,115 BCX54_SER.pdf
BCX54-16,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16,135 BCX54_SER.pdf
BCX54-16,135
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BCX54-16-QX BCX54-Q_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 1A; 1.35W; SC62,SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 1A
Power dissipation: 1.35W
Case: SC62; SOT89
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 180MHz
Current gain: 100...250
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74ALVCH16501DGGY 74ALVCH16501DGGY.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 18bit,3-state,bus transceiver; CMOS,TTL; SMD; ALVCH
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; 18bit; bus transceiver
Technology: CMOS; TTL
Mounting: SMD
Case: TSSOP56
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: reel; tape
Kind of output: 3-state
Supply voltage: 1.2...3.6V DC
Family: ALVCH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD24VS2UT,215 PESD24VS2UT.pdf
PESD24VS2UT,215
Виробник: NEXPERIA
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 26.5÷27.5V; 3A; 160W; SOT23; Ch: 2; ESD
Type of diode: TVS array
Version: ESD
Max. off-state voltage: 24V
Breakdown voltage: 26.5...27.5V
Max. forward impulse current: 3A
Semiconductor structure: common anode; double; unidirectional
Case: SOT23
Mounting: SMD
Leakage current: 1µA
Number of channels: 2
Application: automotive industry
Peak pulse power dissipation: 0.16kW
на замовлення 16728 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+34.42 грн
20+21.53 грн
100+13.37 грн
500+9.34 грн
1000+6.98 грн
3000+6.31 грн
15000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3V3L1BAZ PESD3V3L1BA.pdf
PESD3V3L1BAZ
Виробник: NEXPERIA
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 500W; 5.8÷6.9V; 18A; bidirectional; SC76,SOD323
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3.3V
Breakdown voltage: 5.8...6.9V
Max. forward impulse current: 18A
Semiconductor structure: bidirectional
Case: SC76; SOD323
Mounting: SMD
Leakage current: 2µA
Peak pulse power dissipation: 0.5kW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PESD3V6Z1BCSFYL PESD3V6Z1BCSF.pdf
PESD3V6Z1BCSFYL
Виробник: NEXPERIA
Category: Bidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; 6.8V; bidirectional; DSN0603-2,SOD962-2
Type of diode: TVS
Version: ESD
Max. off-state voltage: 3.6V
Breakdown voltage: 6.8V
Semiconductor structure: bidirectional
Case: DSN0603-2; SOD962-2
Mounting: SMD
Leakage current: 50nA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125D,118 74VHC_VHCT125.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,line driver; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs: 2
Supply voltage: 2...5.5V DC
Number of channels: 4
Kind of output: 3-state
Family: VHC
Case: SO14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74VHC125PW,118 74VHC_VHCT125.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Buffers, transceivers, drivers
Description: IC: digital; 3-state,buffer,line driver; Ch: 4; IN: 2; CMOS; SMD
Type of integrated circuit: digital
Kind of integrated circuit: 3-state; buffer; line driver
Technology: CMOS
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...125°C
Number of inputs: 2
Supply voltage: 2...5.5V DC
Number of channels: 4
Kind of output: 3-state
Family: VHC
Case: TSSOP14
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN5R5-60YS,115 PSMN5R5-60YS.pdf
PSMN5R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 74A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 74A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 56nC
On-state resistance: 8.3mΩ
Power dissipation: 130W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1170 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+163.06 грн
10+113.56 грн
100+101.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R1-60YLX PSMN4R1-60YL.pdf
PSMN4R1-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 593A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 593A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 103nC
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 238W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+113.24 грн
10+87.48 грн
25+78.23 грн
100+72.34 грн
250+69.82 грн
500+62.25 грн
1000+61.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-40VLDX PSMN013-40VLD.pdf
PSMN013-40VLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; NextPowerS3; unipolar; 40V; 30A; Idm: 169A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 169A
Power dissipation: 46W
Case: LFPAK56D; SOT1205
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 19.4nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: NextPowerS3
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.62 грн
10+61.41 грн
25+51.31 грн
100+46.26 грн
250+42.90 грн
500+40.38 грн
1000+37.01 грн
1500+36.17 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R0-30YLC,115 PSMN1R0-30YLD.pdf
PSMN1R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 272W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.15mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 251 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+147.66 грн
10+114.40 грн
25+103.46 грн
100+95.89 грн
250+91.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R0-30YLDX PSMN4R0-30YLD.pdf
PSMN4R0-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 95A; Idm: 378A; 64W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 378A
Drain current: 95A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 9.1nC
On-state resistance: 4.4mΩ
Power dissipation: 64W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
13+37.14 грн
15+29.36 грн
25+26.41 грн
100+24.48 грн
250+23.38 грн
500+21.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R5-60YLX PSMN7R5-60YL.pdf
PSMN7R5-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 61A; Idm: 346A; 147W
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 346A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 60.6nC
On-state resistance: 19.7mΩ
Power dissipation: 147W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1231 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+89.68 грн
10+70.66 грн
25+63.09 грн
100+58.88 грн
250+55.52 грн
500+50.47 грн
1000+49.63 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30MLC,115 PSMN013-30MLC.pdf
PSMN013-30MLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 39A; Idm: 157A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 157A
Power dissipation: 38W
Case: LFPAK33; SOT1210
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 74 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
20+23.55 грн
22+20.02 грн
25+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R7-60BS,118 PSMN1R7-60BS.pdf
PSMN1R7-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 120A; 306W; D2PAK,SOT404
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 120A
Power dissipation: 306W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 137nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.52 грн
5+211.14 грн
10+194.31 грн
25+187.58 грн
50+175.81 грн
100+165.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R5-60YS,115 PSMN8R5-60YS.pdf
PSMN8R5-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 76A; Idm: 303A; 106W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 303A
Drain current: 76A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 39nC
On-state resistance: 5.6mΩ
Power dissipation: 106W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1388 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+80.62 грн
10+67.29 грн
25+62.25 грн
100+58.88 грн
250+52.99 грн
500+50.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R5-30YL,115 PSMN3R5-30YL.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 447A; 74W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 19nC
On-state resistance: 3.37mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 30V
Power dissipation: 74W
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 447A
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-60YS,115 PSMN017-60YS.pdf
PSMN017-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 44A; 74W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 44A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 20nC
On-state resistance: 36.1mΩ
Power dissipation: 74W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+61.60 грн
10+48.45 грн
25+39.37 грн
100+35.08 грн
250+32.47 грн
500+31.04 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN015-60BS,118 PSMN015-60BS.pdf
PSMN015-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 36A; Idm: 201A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 201A
Power dissipation: 86W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 34mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 20.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 609 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+110.52 грн
10+80.75 грн
25+70.66 грн
100+64.77 грн
250+62.25 грн
500+55.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-60YLX PSMN013-60YL.pdf
PSMN013-60YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 53A; Idm: 212A; 95W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 212A
Drain current: 53A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 33.2nC
On-state resistance: 12.1mΩ
Power dissipation: 95W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 65 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+56.16 грн
11+38.69 грн
25+34.49 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-25YLC,115 PSMN0R9-25YLC.115.pdf
PSMN0R9-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; 272W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 110nC
On-state resistance: 2.125mΩ
Power dissipation: 272W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1037 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+151.28 грн
10+126.18 грн
25+105.99 грн
100+95.89 грн
250+88.32 грн
500+84.12 грн
1000+75.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN013-30YLC,115 PSMN013-30YLC.pdf
PSMN013-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; 26W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 32A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 8.3nC
On-state resistance: 27.2mΩ
Power dissipation: 26W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1758 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+44.39 грн
12+35.50 грн
25+32.22 грн
100+23.30 грн
250+21.03 грн
500+19.43 грн
1000+18.59 грн
1500+16.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN0R9-30YLDX PSMN0R9-30YLD.pdf
PSMN0R9-30YLDX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 284A; Idm: 1.8kA; 291W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 1.8kA
Power dissipation: 291W
Case: LFPAK56E; PowerSO8; SOT1023
On-state resistance: 1.44mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 109nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 1331 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+164.87 грн
10+148.05 грн
25+142.16 грн
100+137.95 грн
250+132.91 грн
500+129.54 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN030-60YS,115 PSMN030-60YS.pdf
PSMN030-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 29A; Idm: 116A; 56W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 116A
Drain current: 29A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 13nC
On-state resistance: 49.6mΩ
Power dissipation: 56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1471 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+43.48 грн
14+30.37 грн
25+27.34 грн
100+25.24 грн
250+24.14 грн
500+21.70 грн
1000+21.37 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLC,115 PSMN1R2-25YLC.pdf
PSMN1R2-25YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 100A; Idm: 1133A; 179W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 1133A
Drain current: 100A
Drain-source voltage: 25V
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 1.35mΩ
Power dissipation: 179W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+83.34 грн
10+61.41 грн
25+52.99 грн
100+50.47 грн
250+46.26 грн
500+44.58 грн
1000+40.38 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R2-30YLC,115 PSMN2R2-30YLC.pdf
PSMN2R2-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 141W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 141W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 55nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+139.51 грн
10+103.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN038-100YLX PSMN038-100YL.pdf
PSMN038-100YLX
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21.3A; Idm: 120A; 94.9W
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 120A
Drain current: 21.3A
Drain-source voltage: 100V
Gate charge: 39.2nC
On-state resistance: 103.5mΩ
Power dissipation: 94.9W
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+65.22 грн
10+45.17 грн
25+40.88 грн
100+37.85 грн
250+36.09 грн
500+32.39 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN4R6-60BS,118 PSMN4R6-60BS.pdf
PSMN4R6-60BS,118
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 565A; 211W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 565A
Power dissipation: 211W
Case: D2PAK; SOT404
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 70.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+184.80 грн
10+128.70 грн
25+116.08 грн
100+107.67 грн
250+102.62 грн
500+92.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30YLE,115 PSMN2R0-30YLE.pdf
PSMN2R0-30YLE,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; Idm: 1015A; 238W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 1015A
Power dissipation: 238W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 87nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+105.08 грн
10+88.32 грн
25+81.59 грн
100+77.39 грн
250+70.66 грн
500+68.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R0-60PS,127 PSMN3R0-60PS.pdf
PSMN3R0-60PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; Idm: 824A; 306W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 824A
Power dissipation: 306W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+276.29 грн
3+237.21 грн
10+234.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN3R9-60PSQ PSMN3R9-60PS.pdf
PSMN3R9-60PSQ
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 130A; Idm: 705A; 263W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 130A
Pulsed drain current: 705A
Power dissipation: 263W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.94mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 103nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 66 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.65 грн
10+166.55 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN2R0-30PL,127 PSMN2R0-30PL.pdf
PSMN2R0-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 100A; 211W; SOT78,TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 100A
Power dissipation: 211W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 117nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 42 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.89 грн
10+132.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-30YLC,115 PSMN7R0-30YLC.pdf
PSMN7R0-30YLC,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; Idm: 245A; 48W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Pulsed drain current: 245A
Drain current: 61A
Drain-source voltage: 30V
Gate charge: 7.9nC
On-state resistance: 7.6mΩ
Power dissipation: 48W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+55.26 грн
11+38.27 грн
25+34.40 грн
100+31.88 грн
250+30.45 грн
500+27.34 грн
1000+26.92 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN012-100YS,115 PSMN012-100YS.pdf
PSMN012-100YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 130W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 130W
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 64nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+143.13 грн
10+98.42 грн
25+82.44 грн
100+74.02 грн
250+68.98 грн
500+65.61 грн
1000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN017-30PL,127 PSMN017-30PL.pdf
PSMN017-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 32A; Idm: 152A; 45W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 152A
Power dissipation: 45W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 24mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+73.18 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN8R0-40PS,127 PSMN8R0-40PS.pdf
PSMN8R0-40PS,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 55A; Idm: 309A; 86W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 55A
Pulsed drain current: 309A
Power dissipation: 86W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 21nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
7+73.38 грн
10+63.09 грн
25+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R1-30PL,127 PSMN1R1-30PL.pdf
PSMN1R1-30PL,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 1609A; 338W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 1609A
Power dissipation: 338W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 243nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 32 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+328.84 грн
3+275.91 грн
10+269.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN7R0-60YS,115 PSMN7R0-60YS.pdf
PSMN7R0-60YS,115
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 63A; 117W
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Drain current: 63A
Drain-source voltage: 60V
Gate charge: 45nC
On-state resistance: 14.7mΩ
Power dissipation: 117W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+138.60 грн
10+95.89 грн
25+86.64 грн
100+80.75 грн
250+77.39 грн
500+68.98 грн
1000+65.61 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN009-100P,127 PSMN009-100P.pdf
PSMN009-100P,127
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 65A; Idm: 400A; 230W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 400A
Power dissipation: 230W
Case: SOT78; TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 23.8mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 781 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+185.06 грн
10+176.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R8-80SSFJ PSMN1R8-80SSF.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 205A; Idm: 1158A; 341W
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 222nC
On-state resistance: 4.1mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 80V
Power dissipation: 341W
Drain current: 205A
Pulsed drain current: 1158A
Case: LFPAK88; SOT1235
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PSMN1R2-25YLDX PSMN1R2-25YLD.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; NextPowerS3; unipolar; 25V; 205A; Idm: 1163A
Mounting: SMD
Technology: NextPowerS3
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Polarisation: unipolar
Gate charge: 60.3nC
On-state resistance: 2.87mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 25V
Power dissipation: 172W
Drain current: 205A
Pulsed drain current: 1163A
Case: LFPAK56; PowerSO8; SOT669
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74LV4060PW,112 74LV4060.pdf
74LV4060PW,112
Виробник: NEXPERIA
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 14bit,binary counter; TTL; SMD; TSSOP16; LV; -40÷125°C
Technology: TTL
Case: TSSOP16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Family: LV
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1...5.5V DC
Kind of integrated circuit: 14bit; binary counter
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 232 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+40.76 грн
13+33.98 грн
25+31.38 грн
96+29.95 грн
192+26.83 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
74LV4060DB,112 74LV4060.pdf
74LV4060DB,112
Виробник: NEXPERIA
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 14bit,binary counter; TTL; SMD; SSOP16; LV; -40÷125°C
Technology: TTL
Case: SSOP16
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Family: LV
Operating temperature: -40...125°C
Supply voltage: 1...5.5V DC
Kind of integrated circuit: 14bit; binary counter
Type of integrated circuit: digital
на замовлення 141 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+57.98 грн
9+47.95 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HEF4541BT-Q100J HEF4541B_Q100.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 16-stage,binary counter; SO14; -40÷85°C; 3÷15VDC
Type of integrated circuit: digital
Case: SO14
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...15V DC
Kind of integrated circuit: 16-stage; binary counter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HEF4541BT,118 HEF4541B.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: Counters/dividers
Description: IC: digital; 16-stage,binary counter; CMOS; SMD; SO14; HEF4000B
Type of integrated circuit: digital
Family: HEF4000B
Technology: CMOS
Case: SO14
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 3...15V DC
Kind of integrated circuit: 16-stage; binary counter
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH17,115 PEMH17_PUMH17.pdf
PUMH17,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 47kΩ; R2: 22kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 47kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4531,113 1N4531_2.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; reel; Ifsm: 1A; DO34; Ufmax: 1V
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: reel
Case: DO34
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 75V
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.45A
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4531,133 1N4531_2.pdf
1N4531,133
Виробник: NEXPERIA
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO34; 500mW
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO34
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 75V
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.45A
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
1N4531,143 1N4531_2.pdf
Виробник: NEXPERIA
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 75V; 200mA; Ammo Pack; Ifsm: 1A; DO34; 500mW
Type of diode: switching
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
Case: DO34
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 75V
Features of semiconductor devices: fast switching
Reverse recovery time: 4ns
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.45A
Max. forward impulse current: 1A
Max. forward voltage: 1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH11,115 PEMH11.pdf
PEMH11,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PEMH11,315 PEMH11.pdf
PEMH11,315
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; SOT666; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT666
Current gain: 80
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 10kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 10kΩ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH13,115 PEMH13_PUMH13.pdf
PUMH13,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 19599 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.25 грн
80+5.30 грн
93+4.54 грн
119+3.55 грн
250+2.67 грн
500+2.37 грн
1000+2.22 грн
3000+2.07 грн
6000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH10,115 PEMH10_PUMH10.pdf
PUMH10,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 2.2kΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Collector current: 0.1A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.3W
Kind of transistor: BRT
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Frequency: 230MHz
на замовлення 4994 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
63+7.25 грн
75+5.64 грн
104+4.07 грн
124+3.40 грн
250+2.57 грн
500+2.31 грн
1000+2.18 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
PUMH1,115 PEMH1_PUMH1.pdf
PUMH1,115
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 300mW; R1: 22kΩ; R2: 22kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SC88; SOT363; TSSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 230MHz
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
на замовлення 19318 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
50+9.06 грн
72+5.89 грн
107+3.94 грн
119+3.55 грн
250+2.67 грн
500+2.37 грн
1000+2.22 грн
3000+2.07 грн
15000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 119 238 357 476 595 714 833 952 1071 1175 1176 1177 1178 1179 1180 1181 1182 1183 1184 1185 1190 1194  [ Наступна Сторінка >> ]