Продукція > ON SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника ON SEMICONDUCTOR (100190) > Сторінка 404 з 1670
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE243G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шткількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| MJE253G | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шткількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| MJE340 | ON Semiconductor |
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| MJE350 | ON Semiconductor |
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| MJE350G | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шткількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| MJE4343G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, Pd=125W, TO–218 (CASE 340D–02)-(20.35x15.2x4.9, Rm=5.5)mm, t= -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO–218 Од. вим: шткількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1020 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| MJE5730G | ON Semiconductor |
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=1A, F=10MHz).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| MPS651RLRMG | ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 200 мА, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| MPS751G | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 200 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| MPSA18 | ON Semiconductor |
Транзистор NPN малошумний, Uceo, В = 45, Ic = 250 мА, ft, МГц = 160, hFE = 1150 @ Ic = 10 mA, Uce = 5 V, Icutoff-max = 50 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, Pb-free,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| MPSA92 | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,62, Uceo, В = -300, Ic = -500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = -250 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| MPSA92G | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = 55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| MPSA92RL1G | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 25 @ 30 мА, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 2 мА, 20 мА, Р, Вт = 0,265 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 2272 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| MPSW92 | ON Semiconductor |
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 966 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| MTP6N60E | ON Semiconductor | N-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| P2N2222ARL1 | ON Semiconductor |
Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| MCH6541-TL-E | ON Semiconductor |
Транзисторна збірка NPN-PNP, Uceo, В = 30, Ic = 700 мА, hFE = 300 @ 50 мA, 2 В / 200 @ 10 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,19 @ 10 мA, 200 мA / 0,22 @ 10 мA, 200 мА, Р, Вт = 0,55, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ft, МГц =кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| MMUN2211LT1 | ON Semiconductor |
Транзистор NPN з BRT, Ptot, Вт = 0,246, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 35...60 @ 5 mA, 10 V, Icutoff-max = 500 нА, Тексп, °С = -55...+150, R1, kOm = 10, R1/R2 = 1,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шткількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| NSVMMUN2212LT1G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN з BRT, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 60, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 uA, 10 mA, Р, Вт = 0,246, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 25 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| BD681G | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-12кількість в упаковці: 500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| BDX33B | ON Semiconductor |
Транзистор NPN составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| BDX33C | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 750 @ 3 A, 3 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 V @ 6 мA, 3 A, Р, Вт = 70 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| BDX34B | ON Semiconductor |
Транзистор PNP составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| BSP52 | ON Semiconductor |
Транзистор биполярный составной (Дарлингтона), Ic = 0.8, Ptot,Вт = 1, VCEO,В = 80, VCEO(sat),В = 1 @ 500 мкА, 500 мА, Тип монт. = smd, Тип стр. = N-P-N,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| MJD112 | ON Semiconductor |
Транзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| MJD117 | ON Semiconductor |
Транзистор PNP составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| MJD122T4G | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,75, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 4, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: Dкількість в упаковці: 2500 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| MJE800 | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 4, hFE = 750 @ 2 A, 3 V, Icutoff-max = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вимкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| MJF127G | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, hFE = 2000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 20 мA, 5 А, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP Окількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| MJH6284G | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 20 А, ft, МГц = 4, hFE = 750 @ 10 A, 3 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 200 мA, 20 А, Р, Вт = 160, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус:кількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| TIP107 | ON Semiconductor |
Транзистор PNP Дарлінгтона, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, hFE = 1000...20000 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шткількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| TIP110TU | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 1 A, 4 В, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 8 мA, 2 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вкількість в упаковці: 1000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| TIP122G | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 А, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Одкількість в упаковці: 50 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| TIP142G | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 125, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 1000 @ 5 A, 4 В, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 30 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| ULN2003ADR2G | ON Semiconductor |
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA, Тексп, °С = -20...+85,... Транзистори Корпус: SOICN-16 Од. вим: шткількість в упаковці: 2500 шт |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| BCR 562 E6327 | ON Semiconductor |
Транзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,5, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,3, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзисткількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| DTC114EET1G | ON Semiconductor |
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 35 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC75/SOT-416кількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| DTC124XET1G | ON Semiconductor |
Транзистор NPN цифровой (Uce=50V, Ic=100mA, R1=22K, R2=47K, B>80 (150 typ) @I=5mA, P=200mW, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SC-75 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| DTC143ZET1G | ON Semiconductor |
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьскількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 85 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||
| MUN5235DW1T1G | ON Semiconductor |
Транзистор подвоєний цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 80 @ 5 мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпкількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| NSVMUN5333DW1T1G | ON Semiconductor |
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = 1 NPN, 1 PNP, Ic = 100 мА, hFE = 80 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 1 мА, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25,... Транзистори Корпус: TSSOP-6 Од. вим: шткількість в упаковці: 3000 шт |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||
| EMI2121MTTAG | On Semiconductor |
Протизавадні фільтри |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| EMI4183MUTAG | On Semiconductor |
CMC 100MA 6LN SMD ESD Протизавадні фільтри |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| EMI9408MUTAG | On Semiconductor |
FILTER 8-Ch LC(PI) 70NH/11.5PF, SMD (UFDFN-16) Протизавадні фільтри |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| NUF2042XV6T1G | On Semiconductor |
FILTER RC(PI) 22 OHM/42PF SMD Протизавадні фільтри |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
| NUF8610MNTXG | On Semiconductor |
EMI Filter 2nd Order Low Pass 8 Channel R = 50Ohms, C = 8.5pF 16-VFDF Протизавадні фільтри |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
BAS16LT1G | On Semiconductor |
SOT-23-3(SMD) Діоди та діодні збірки |
на замовлення 18 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
| BAS21AHT1G | On Semiconductor |
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 Діоди та діодні збірки |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||
|
BAS21SLT1G | On Semiconductor |
0.2A, 250V, 50ns, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
|
BAS40-06LT1G | On Semiconductor |
Два диода Schottky с ОА 0.12A, 40V, 1V@40mA, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
| BAS40LT1G | On Semiconductor |
Діод: перемикальний Шотткі; SOT23; SMD; 40В; 0,12А; Діоди та діодні збірки |
на замовлення 940 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
BAS70LT1G | On Semiconductor |
Діоди та діодні збірки |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
| BAT54CWT1G | On Semiconductor |
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323 Діоди та діодні збірки |
на замовлення 200 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||||
|
BAT54HT1G | On Semiconductor |
SCHOTTKY 30V 200MA SOD-323 Діоди та діодні збірки |
на замовлення 1630 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
| BAT54SLT1G | On Semiconductor |
SOT23 Діоди та діодні збірки |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||
|
BAT54T1 | On Semiconductor |
диод Шоттки 30 В 200 мА падение до 0.8V@0.1A, .SOD123 Діоди та діодні збірки |
на замовлення 2086 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
|
BAV70LT1G | On Semiconductor |
Здвоєний з ОК 0.2A, 70V, 6ns, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||
|
BAV99LT1G | On Semiconductor |
SOT-23, High-speed double diode, If=150mA, Vr= 75V, Vf=1V@50mA, Trr=4ns, -65...+150 Діоди та діодні збірки |
на замовлення 3 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
|
ESD5Z3.3T1G | On Semiconductor |
SOD-523 Діоди та діодні збірки |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||||
| FSV1060V | On Semiconductor |
DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO2773 Діоди та діодні збірки |
на замовлення 10 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
| MJE243G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
Транзистор NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, ft, МГц = 40, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Р, Вт = 1,5, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MJE253G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
Транзистор PNP, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, hFE = 40 @ 200 мA, 1 В, Icutoff-max = 4 А, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 100 мA, 1 А, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MJE340 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Транзистор NPN (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MJE350 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=500mA, P=20W, B=30-240, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-126 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MJE350G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 20, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, Тип монт. = вивідний, hFE = 30 (при 50 мА, 10 В), Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-225AA Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 12.96 грн |
| MJE4343G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, Pd=125W, TO–218 (CASE 340D–02)-(20.35x15.2x4.9, Rm=5.5)mm, t= -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO–218 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
Транзистор NPN (Uce=250V, Ic=16A, Pd=125W, TO–218 (CASE 340D–02)-(20.35x15.2x4.9, Rm=5.5)mm, t= -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO–218 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1020 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MJE5730G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=1A, F=10MHz).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Транзистор PNP (Uce=300V, Ic=1A, F=10MHz).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MPS651RLRMG |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 200 мА, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 200 мА, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 17.52 грн |
| MPS751G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 200 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,625, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 75, hFE = 75 @ 1 A, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 200 мA, 2 A, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MPSA18 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN малошумний, Uceo, В = 45, Ic = 250 мА, ft, МГц = 160, hFE = 1150 @ Ic = 10 mA, Uce = 5 V, Icutoff-max = 50 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, Pb-free,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
Транзистор NPN малошумний, Uceo, В = 45, Ic = 250 мА, ft, МГц = 160, hFE = 1150 @ Ic = 10 mA, Uce = 5 V, Icutoff-max = 50 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний, Pb-free,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 2.52 грн |
| MPSA92 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,62, Uceo, В = -300, Ic = -500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = -250 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Транзистор PNP, Ptot, Вт = 0,62, Uceo, В = -300, Ic = -500 мА, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ -10 mA, -10 V, Icutoff-max = -250 нА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MPSA92G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = 55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Р, Вт = 0,625 Вт, Тексп, °C = 55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 29.06 грн |
| MPSA92RL1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 25 @ 30 мА, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 2 мА, 20 мА, Р, Вт = 0,265 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 25 @ 30 мА, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.5 @ 2 мА, 20 мА, Р, Вт = 0,265 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 2272 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 2.87 грн |
| MPSW92 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
Транзистор PNP, Uceo, В = 300, Ic = 500 мА, ft, МГц = 50, hFE = 40 @ 10 мA, 10 В, Icutoff-max = 250 нА, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 966 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 5.83 грн |
| MTP6N60E |
Виробник: ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
N-канальный ПТ (Vds=600V, Id=6A@T=25C, Id=4.6A@T=100C, Rds=0.94R@Vgs=10V, P=125W, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| P2N2222ARL1 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
Транзистор NPN (Uce=40V, Ic=600mA, P=625mW, B=100-300@I=10mA, f=300MHz, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-92 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MCH6541-TL-E |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзисторна збірка NPN-PNP, Uceo, В = 30, Ic = 700 мА, hFE = 300 @ 50 мA, 2 В / 200 @ 10 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,19 @ 10 мA, 200 мA / 0,22 @ 10 мA, 200 мА, Р, Вт = 0,55, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ft, МГц =
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзисторна збірка NPN-PNP, Uceo, В = 30, Ic = 700 мА, hFE = 300 @ 50 мA, 2 В / 200 @ 10 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,19 @ 10 мA, 200 мA / 0,22 @ 10 мA, 200 мА, Р, Вт = 0,55, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, ft, МГц =
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MMUN2211LT1 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN з BRT, Ptot, Вт = 0,246, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 35...60 @ 5 mA, 10 V, Icutoff-max = 500 нА, Тексп, °С = -55...+150, R1, kOm = 10, R1/R2 = 1,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
Транзистор NPN з BRT, Ptot, Вт = 0,246, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, Тип монт. = smd, hFE = 35...60 @ 5 mA, 10 V, Icutoff-max = 500 нА, Тексп, °С = -55...+150, R1, kOm = 10, R1/R2 = 1,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NSVMMUN2212LT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN з BRT, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 60, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 uA, 10 mA, Р, Вт = 0,246, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 25 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN з BRT, Uceo, В = 50, Ic = 100 мА, hFE = 60, Icutoff-max = 500 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 uA, 10 mA, Р, Вт = 0,246, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23 Очікується: 25 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 5.89 грн |
| BD681G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-12
кількість в упаковці: 500 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 40, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 4 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 750 @ 1,5 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 30 мA, 1.5 А, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: TO-12
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BDX33B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Транзистор NPN составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BDX33C |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 750 @ 3 A, 3 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 V @ 6 мA, 3 A, Р, Вт = 70 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 750 @ 3 A, 3 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 V @ 6 мA, 3 A, Р, Вт = 70 Вт, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| BDX34B |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
Транзистор PNP составной (Uce=80V, Ic=10A, P=70W, B>750, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BSP52 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор биполярный составной (Дарлингтона), Ic = 0.8, Ptot,Вт = 1, VCEO,В = 80, VCEO(sat),В = 1 @ 500 мкА, 500 мА, Тип монт. = smd, Тип стр. = N-P-N,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Транзистор биполярный составной (Дарлингтона), Ic = 0.8, Ptot,Вт = 1, VCEO,В = 80, VCEO(sat),В = 1 @ 500 мкА, 500 мА, Тип монт. = smd, Тип стр. = N-P-N,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MJD112 | ![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Транзистор NPN составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MJD117 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
Транзистор PNP составной (Uce=100V, Ic=2A, P=20W, B>1000, -65 to +150C).... Транзистори Корпус: DPAK Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MJD122T4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,75, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 4, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D
кількість в упаковці: 2500 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 1,75, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, Тип монт. = smd, ft, МГц = 4, hFE = 1000 @ 4 A, 4 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 80 мA, 8 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: D
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MJE800 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 4, hFE = 750 @ 2 A, 3 V, Icutoff-max = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим
кількість в упаковці: 500 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 4, hFE = 750 @ 2 A, 3 V, Icutoff-max = 100, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,8 @ 2 A, 40 mA, Р, Вт = 40 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-126-3 Од. вим
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 10.38 грн |
| MJF127G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, hFE = 2000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 20 мA, 5 А, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP О
кількість в упаковці: 50 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = PNP, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, hFE = 2000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 10 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3,5 @ 20 мA, 5 А, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220FP О
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 40.29 грн |
| 100+ | 34.55 грн |
| MJH6284G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 20 А, ft, МГц = 4, hFE = 750 @ 10 A, 3 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 200 мA, 20 А, Р, Вт = 160, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус:
кількість в упаковці: 30 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 20 А, ft, МГц = 4, hFE = 750 @ 10 A, 3 В, Icutoff-max = 1 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 200 мA, 20 А, Р, Вт = 160, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус:
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TIP107 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP Дарлінгтона, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, hFE = 1000...20000 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
Транзистор PNP Дарлінгтона, Uceo, В = 100, Ic = 8 А, hFE = 1000...20000 @ 3 A, 4 В, Icutoff-max = 50 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 23.87 грн |
| 100+ | 20.46 грн |
| TIP110TU |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 1 A, 4 В, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 8 мA, 2 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. в
кількість в упаковці: 1000 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 60, Ic = 2 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 1 A, 4 В, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 2,5 @ 8 мA, 2 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од. в
кількість в упаковці: 1000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TIP122G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 А, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од
кількість в упаковці: 50 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 2, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 5 А, Тип монт. = вивідний, hFE = 1000 @ 3 A, 3 В, Icutoff-max = 500 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 4 @ 20 мA, 5 А, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Од
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику
од. на суму грн.
| TIP142G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 125, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 1000 @ 5 A, 4 В, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Ptot, Вт = 125, Тип стр. = NPN, Uceo, В = 100, Ic = 10 А, hFE = 1000 @ 5 A, 4 В, Icutoff-max = 2 мА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 3 @ 40 мA, 10 А, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 30 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику
од. на суму грн.
| ULN2003ADR2G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA, Тексп, °С = -20...+85,... Транзистори Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
Транзистор складений Дарлінгтона, Тип стр. = 7 NPN, Uceo, В = 50, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, hFE = 1000 @ 350 мA, 2 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,6 @ 500 мкA, 350 мA, Тексп, °С = -20...+85,... Транзистори Корпус: SOICN-16 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2500 шт
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 11.79 грн |
| BCR 562 E6327 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,5, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,3, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзист
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор цифровий smd, Структура = PNP, Uceo, В = 50, Ic, А = 0,5, ft, МГц = 150, hFE = 60 @ 50 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Ptot, Вт = 0,3, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 4,7, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,3 @ 2,5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -65...+150,... Транзист
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.02 грн |
| DTC114EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 35 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC75/SOT-416
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 35 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 10, R2, кОм = 10, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,2 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC75/SOT-416
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DTC124XET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор NPN цифровой (Uce=50V, Ic=100mA, R1=22K, R2=47K, B>80 (150 typ) @I=5mA, P=200mW, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SC-75 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор NPN цифровой (Uce=50V, Ic=100mA, R1=22K, R2=47K, B>80 (150 typ) @I=5mA, P=200mW, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SC-75 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| DTC143ZET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьс
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор цифровий, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, ft, МГц = 250, hFE = 80 @ 10mA, 5V, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = .25, Uсe, B = 50, Опис Транзистор цифровий, Р, Вт = 0.2, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SC-75 Очікуєтьс
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.52 грн |
| MUN5235DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор подвоєний цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 80 @ 5 мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корп
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор подвоєний цифровий smd, Тип стр. = NPN, Ic = 0,1, hFE = 80 @ 5 мА, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 2,2, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 300 мкA, 10 мA, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корп
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| NSVMUN5333DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = 1 NPN, 1 PNP, Ic = 100 мА, hFE = 80 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 1 мА, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25,... Транзистори Корпус: TSSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
Транзистор цифровий smd, Тип стр. = 1 NPN, 1 PNP, Ic = 100 мА, hFE = 80 @ 5 мA, 10 В, Icutoff-max = 500 нА, R1, кОм = 4,7, R2, кОм = 47, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 1 мА, 10 мА, Uсe, B = 50, Р, Вт = 0,25,... Транзистори Корпус: TSSOP-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EMI2121MTTAG |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
Протизавадні фільтри
Протизавадні фільтри
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EMI4183MUTAG |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
CMC 100MA 6LN SMD ESD Протизавадні фільтри
CMC 100MA 6LN SMD ESD Протизавадні фільтри
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EMI9408MUTAG |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
FILTER 8-Ch LC(PI) 70NH/11.5PF, SMD (UFDFN-16) Протизавадні фільтри
FILTER 8-Ch LC(PI) 70NH/11.5PF, SMD (UFDFN-16) Протизавадні фільтри
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NUF2042XV6T1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
FILTER RC(PI) 22 OHM/42PF SMD Протизавадні фільтри
FILTER RC(PI) 22 OHM/42PF SMD Протизавадні фільтри
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| NUF8610MNTXG |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
EMI Filter 2nd Order Low Pass 8 Channel R = 50Ohms, C = 8.5pF 16-VFDF Протизавадні фільтри
EMI Filter 2nd Order Low Pass 8 Channel R = 50Ohms, C = 8.5pF 16-VFDF Протизавадні фільтри
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BAS16LT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
SOT-23-3(SMD) Діоди та діодні збірки
SOT-23-3(SMD) Діоди та діодні збірки
на замовлення 18 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 17.33 грн |
| BAS21AHT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 Діоди та діодні збірки
DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323 Діоди та діодні збірки
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 31.20 грн |
| BAS21SLT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
0.2A, 250V, 50ns, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки
0.2A, 250V, 50ns, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 10.41 грн |
| BAS40-06LT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
Два диода Schottky с ОА 0.12A, 40V, 1V@40mA, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки
Два диода Schottky с ОА 0.12A, 40V, 1V@40mA, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 189+ | 1.65 грн |
| BAS40LT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
Діод: перемикальний Шотткі; SOT23; SMD; 40В; 0,12А; Діоди та діодні збірки
Діод: перемикальний Шотткі; SOT23; SMD; 40В; 0,12А; Діоди та діодні збірки
на замовлення 940 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| BAS70LT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
Діоди та діодні збірки
Діоди та діодні збірки
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 66+ | 4.76 грн |
| BAT54CWT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323 Діоди та діодні збірки
DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT323 Діоди та діодні збірки
на замовлення 200 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 65+ | 4.85 грн |
| BAT54HT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
SCHOTTKY 30V 200MA SOD-323 Діоди та діодні збірки
SCHOTTKY 30V 200MA SOD-323 Діоди та діодні збірки
на замовлення 1630 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 41.82 грн |
| BAT54SLT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
SOT23 Діоди та діодні збірки
SOT23 Діоди та діодні збірки
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| BAT54T1 |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
диод Шоттки 30 В 200 мА падение до 0.8V@0.1A, .SOD123 Діоди та діодні збірки
диод Шоттки 30 В 200 мА падение до 0.8V@0.1A, .SOD123 Діоди та діодні збірки
на замовлення 2086 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 78+ | 4.02 грн |
| BAV70LT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
Здвоєний з ОК 0.2A, 70V, 6ns, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки
Здвоєний з ОК 0.2A, 70V, 6ns, SOT-23 (SMD) Діоди та діодні збірки
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| BAV99LT1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
SOT-23, High-speed double diode, If=150mA, Vr= 75V, Vf=1V@50mA, Trr=4ns, -65...+150 Діоди та діодні збірки
SOT-23, High-speed double diode, If=150mA, Vr= 75V, Vf=1V@50mA, Trr=4ns, -65...+150 Діоди та діодні збірки
на замовлення 3 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 104.01 грн |
| ESD5Z3.3T1G |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
SOD-523 Діоди та діодні збірки
SOD-523 Діоди та діодні збірки
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 54+ | 5.87 грн |
| FSV1060V |
![]() |
Виробник: On Semiconductor
DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO2773 Діоди та діодні збірки
DIODE SCHOTTKY 60V 10A TO2773 Діоди та діодні збірки
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.16 грн |












