| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUR110G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR110G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 75 ns, 35 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 875mV Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MUR11 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MURD530T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURD530T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 5 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 75 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.05V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MURHB860CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MMUN2241LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2241LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 170900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
1N5338BRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5338BRLG - Zener-Diode, 5.1 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5338 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 20431 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MAX1617DBR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MAX1617DBR2 - EACHtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBZ20VALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 19V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 21V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 28V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MMBZ20VALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 19V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 21V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 28V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 12100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| HUFA76413D3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUFA76413D3S - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 15443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| HUFA76413D3ST | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUFA76413D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 12343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
UESD3.3DT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UESD3.3DT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOT-723, 3 Pin(s), 3.3 V, 240 mW, µESDtariffCode: 85363030 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V Betriebsspannung: 3.3V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 240mW usEccn: EAR99 |
на замовлення 14415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EGF1D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 22949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EGF1D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 22949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DTC115TM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC115TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| DTC115EET1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC115EET1 - DTC115EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MCR218-4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-4G - MCR218-4G, STANDARD RECOVERY RECTIFIERStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MCR218-2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-2G - THYRISTORtariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MCR218-8FP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-8FP - MCR218-8FP, STANDARD RECOVERY RECTIFIERStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 24732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MCR218-006 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-006 - THYRISTOR SCR 8A 400V TO-220ABtariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MCR218-004 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-004 - SILICON CONTROLLED RECTIFIERtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| MCR218-6T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-6T - EACHtariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
ESD5Z5.0T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T1G - ESD-Schutzbaustein, 18.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 500 mW, ESD5ZtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, max.: 6.2V usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 500mW Sperrspannung: 5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 174W Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.6V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD5Z productTraceability: Yes-Date/Lot Code Klemmspannung, max.: 11.6V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NSTB1002DXV5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB1002DXV5T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NSTB60BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NST856BF3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST856BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| TN5D01A-HCC11-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TN5D01A-HCC11-E - TN5D01A-HCC11-E, SHIFT REGISTERStariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NCP81152MNTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81152MNTWG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDSS2407_SB82086 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDSS2407_SB82086 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP81102MNTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81102MNTWG - NCP81102 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
NCP81118MNTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81118MNTWG - NCP81118 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NCP81108AMNTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81108AMNTXG - NCP81108 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
NCP5810CMUTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5810CMUTXG - NCP5810 - SWITCHING REGULATORtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MCX34063ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCX34063ADR2G - SWITCHING REGULATORtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MC33178DMR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: Micro8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz Eingangsoffsetspannung: 150µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MC33178DMR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2V/µs Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: Micro8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz Eingangsoffsetspannung: 150µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| LV52207NXB-VH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV52207NXB-VH - LED DRIVER, BOOST, 600KHZ, SOIC-8tariffCode: 85423190 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDMS86350ET80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2000 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86350 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2000 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86350 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2000 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS86350ET80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2000 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS8622 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS8622 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7678 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 4700 µohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS007N08LC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 4900 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS007N08LC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 4900 µohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 92.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.6W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS2506SDC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS2506SDC - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS5362L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS5362L - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDMS003N08C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 20030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FDMS0310S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS0310S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 42 A, 0.004 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal + Schottky Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FDMS0343S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS0343S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FDMS7620S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7620S - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3884 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
RFD16N05LSM9A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 60W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MC74HC244AFEL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC244AFEL - MC74HC244AFEL, MOTOR DRIVER ICtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MC74HC244AFR1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC244AFR1 - MC74HC244AFR1, MOTOR DRIVER ICtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MC74HC244AFL2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC244AFL2 - MC74HC244AFL2, MOTOR DRIVER ICtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| MC74HC244ADW | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC244ADW - MC74HC244ADW, MOTOR DRIVER ICtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 23472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
MC74HC244ADTEL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC244ADTEL - MC74HC244ADTEL, MOTOR DRIVER ICtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MC74HC244AFR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC244AFR2 - MC74HC244AFR2, MOTOR DRIVER ICtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MC74HC244AFL1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC74HC244AFL1 - MC74HC244AFL1, MOTOR DRIVER ICtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 15955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MUR110G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR110G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MUR110G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 40.26 грн |
| 34+ | 25.44 грн |
| 100+ | 17.05 грн |
| 500+ | 12.01 грн |
| 1000+ | 9.03 грн |
| MURD530T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD530T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 5 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - MURD530T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 5 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 111.37 грн |
| 11+ | 79.33 грн |
| 100+ | 78.56 грн |
| 500+ | 58.31 грн |
| 1000+ | 49.57 грн |
| MURHB860CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 116.51 грн |
| 10+ | 99.38 грн |
| 100+ | 78.39 грн |
| MMUN2241LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2241LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2241LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 170900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.23 грн |
| 1N5338BRLG | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5338BRLG - Zener-Diode, 5.1 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5338
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N5338BRLG - Zener-Diode, 5.1 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5338
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 20431 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 44.20 грн |
| 25+ | 34.78 грн |
| 100+ | 23.04 грн |
| 500+ | 16.55 грн |
| 1000+ | 12.19 грн |
| MAX1617DBR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MAX1617DBR2 - EACH
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MAX1617DBR2 - EACH
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 382+ | 75.65 грн |
| MMBZ20VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 19V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 21V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 17V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 19V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 21V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 17V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 76+ | 11.39 грн |
| 258+ | 3.33 грн |
| 329+ | 2.60 грн |
| 500+ | 2.19 грн |
| 1000+ | 1.95 грн |
| 5000+ | 1.84 грн |
| MMBZ20VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 19V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 21V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 17V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 19V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 21V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 17V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 12100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.19 грн |
| 1000+ | 1.95 грн |
| 5000+ | 1.84 грн |
| HUFA76413D3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76413D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - HUFA76413D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 15443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1233+ | 24.50 грн |
| HUFA76413D3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76413D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - HUFA76413D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 12343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1188+ | 25.44 грн |
| UESD3.3DT5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UESD3.3DT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOT-723, 3 Pin(s), 3.3 V, 240 mW, µESD
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 240mW
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - UESD3.3DT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOT-723, 3 Pin(s), 3.3 V, 240 mW, µESD
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 240mW
usEccn: EAR99
на замовлення 14415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 43.69 грн |
| 27+ | 32.21 грн |
| 100+ | 18.42 грн |
| 500+ | 13.21 грн |
| 1000+ | 8.44 грн |
| 2500+ | 7.93 грн |
| 8000+ | 6.28 грн |
| EGF1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EGF1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EGF1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 40.69 грн |
| 50+ | 30.16 грн |
| 250+ | 27.59 грн |
| 1000+ | 16.63 грн |
| 3000+ | 15.13 грн |
| EGF1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EGF1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EGF1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 22949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.16 грн |
| 250+ | 27.59 грн |
| 1000+ | 16.63 грн |
| 3000+ | 15.13 грн |
| DTC115TM3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC115TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DTC115TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16000+ | 3.20 грн |
| DTC115EET1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC115EET1 - DTC115EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DTC115EET1 - DTC115EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.94 грн |
| MCR218-4G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-4G - MCR218-4G, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-4G - MCR218-4G, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 46.95 грн |
| MCR218-2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-2G - THYRISTOR
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-2G - THYRISTOR
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 41.55 грн |
| MCR218-8FP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-8FP - MCR218-8FP, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-8FP - MCR218-8FP, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 972+ | 29.81 грн |
| MCR218-006 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-006 - THYRISTOR SCR 8A 400V TO-220AB
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-006 - THYRISTOR SCR 8A 400V TO-220AB
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 28.87 грн |
| MCR218-004 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-004 - SILICON CONTROLLED RECTIFIER
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-004 - SILICON CONTROLLED RECTIFIER
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 28.87 грн |
| MCR218-6T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-6T - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-6T - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 916+ | 32.90 грн |
| ESD5Z5.0T1G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T1G - ESD-Schutzbaustein, 18.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, max.: 6.2V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 174W
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.6V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Klemmspannung, max.: 11.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD5Z5.0T1G - ESD-Schutzbaustein, 18.6 V, SOD-523, 2 Pin(s), 5 V, 500 mW, ESD5Z
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, max.: 6.2V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 500mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 174W
Begrenzungsspannung Vc, max.: 18.6V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD5Z
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Klemmspannung, max.: 11.6V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 2.54 грн |
| 9000+ | 2.13 грн |
| NSTB1002DXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSTB1002DXV5T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSTB1002DXV5T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 6.43 грн |
| NSTB60BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NST856BF3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST856BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NST856BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 4.28 грн |
| TN5D01A-HCC11-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TN5D01A-HCC11-E - TN5D01A-HCC11-E, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - TN5D01A-HCC11-E - TN5D01A-HCC11-E, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 448.90 грн |
| NCP81152MNTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81152MNTWG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP81152MNTWG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 943+ | 43.69 грн |
| FDSS2407_SB82086 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDSS2407_SB82086 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDSS2407_SB82086 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 493+ | 84.81 грн |
| NCP81102MNTWG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81102MNTWG - NCP81102 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP81102MNTWG - NCP81102 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 52.34 грн |
| NCP81118MNTWG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81118MNTWG - NCP81118 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP81118MNTWG - NCP81118 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 55.43 грн |
| NCP81108AMNTXG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81108AMNTXG - NCP81108 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP81108AMNTXG - NCP81108 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 99.38 грн |
| NCP5810CMUTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5810CMUTXG - NCP5810 - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP5810CMUTXG - NCP5810 - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 116.51 грн |
| MCX34063ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCX34063ADR2G - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MCX34063ADR2G - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MC33178DMR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: Micro8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: Micro8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.84 грн |
| 500+ | 23.71 грн |
| 1000+ | 19.68 грн |
| 2500+ | 19.31 грн |
| MC33178DMR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: Micro8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: Micro8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 55.00 грн |
| 22+ | 39.24 грн |
| 100+ | 30.84 грн |
| 500+ | 23.71 грн |
| 1000+ | 19.68 грн |
| 2500+ | 19.31 грн |
| LV52207NXB-VH |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV52207NXB-VH - LED DRIVER, BOOST, 600KHZ, SOIC-8
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - LV52207NXB-VH - LED DRIVER, BOOST, 600KHZ, SOIC-8
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 720+ | 43.95 грн |
| FDMS86350ET80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 468.61 грн |
| 5+ | 418.06 грн |
| 10+ | 367.52 грн |
| 50+ | 311.83 грн |
| 100+ | 259.94 грн |
| 250+ | 254.80 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 392.36 грн |
| 10+ | 261.29 грн |
| 100+ | 185.90 грн |
| 500+ | 163.87 грн |
| 1000+ | 144.66 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 185.90 грн |
| 500+ | 163.87 грн |
| 1000+ | 144.66 грн |
| FDMS86350ET80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 2000 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 367.52 грн |
| 50+ | 311.83 грн |
| 100+ | 259.94 грн |
| 250+ | 254.80 грн |
| FDMS8622 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 48.75 грн |
| 500+ | 35.40 грн |
| 1000+ | 29.74 грн |
| FDMS8622 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.045 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 116.51 грн |
| 12+ | 73.42 грн |
| 100+ | 48.75 грн |
| 500+ | 35.40 грн |
| 1000+ | 29.74 грн |
| FDMS7678 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 4700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 4700 µohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4700µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.01 грн |
| 500+ | 32.54 грн |
| 1000+ | 27.24 грн |
| FDMS007N08LC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 4900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 4900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 196.18 грн |
| 10+ | 136.21 грн |
| 100+ | 101.95 грн |
| 500+ | 72.79 грн |
| 1000+ | 62.05 грн |
| FDMS007N08LC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 4900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 4900 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 101.95 грн |
| 500+ | 72.79 грн |
| 1000+ | 62.05 грн |
| FDMS2506SDC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS2506SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS2506SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 196+ | 212.46 грн |
| FDMS5362L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS5362L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS5362L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1144+ | 35.98 грн |
| FDMS003N08C |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 346.96 грн |
| FDMS0310S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0310S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 42 A, 0.004 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS0310S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal + Schottky, 30 V, 42 A, 0.004 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal + Schottky
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 42.06 грн |
| FDMS0343S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS0343S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS0343S - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1886+ | 14.99 грн |
| FDMS7620S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7620S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - FDMS7620S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3884 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 47.03 грн |
| RFD16N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 102.80 грн |
| 13+ | 69.39 грн |
| 100+ | 50.72 грн |
| 500+ | 41.45 грн |
| 1000+ | 34.88 грн |
| RFD16N05LSM9A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - RFD16N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 16 A, 0.047 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 60W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.047ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.047ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.72 грн |
| 500+ | 41.45 грн |
| 1000+ | 34.88 грн |
| MC74HC244AFEL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC244AFEL - MC74HC244AFEL, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74HC244AFEL - MC74HC244AFEL, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 14.74 грн |
| MC74HC244AFR1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC244AFR1 - MC74HC244AFR1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74HC244AFR1 - MC74HC244AFR1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1781+ | 16.53 грн |
| MC74HC244AFL2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC244AFL2 - MC74HC244AFL2, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74HC244AFL2 - MC74HC244AFL2, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1781+ | 16.53 грн |
| MC74HC244ADW |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC244ADW - MC74HC244ADW, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74HC244ADW - MC74HC244ADW, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1216+ | 24.84 грн |
| MC74HC244ADTEL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC244ADTEL - MC74HC244ADTEL, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74HC244ADTEL - MC74HC244ADTEL, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1188+ | 23.47 грн |
| MC74HC244AFR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC244AFR2 - MC74HC244AFR2, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74HC244AFR2 - MC74HC244AFR2, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1781+ | 16.53 грн |
| MC74HC244AFL1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC244AFL1 - MC74HC244AFL1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MC74HC244AFL1 - MC74HC244AFL1, MOTOR DRIVER IC
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1781+ | 16.53 грн |























