| Фото | Назва | Виробник | Інформація | 
                    Доступність                     | 
                 Ціна | 
            ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| KSB564ACYBU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 92534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| KSB564ACYTA | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 1624092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| MPS6651G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - MPS6651G - MPS6651G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 5854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
                                                              | 
                            MMBZ27VCLT1G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - MMBZ27VCLT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 25.65V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 28.35V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 22V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 38V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 31958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
| DTA143TM3T5G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - DTA143TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 1011000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMFS6H818NWFT1G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMFS6H818NWFT1G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 123A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NC7S14M5X | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NC7S14M5X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Logikfunktion: Wechselrichter Logik-IC-Familie: 7S Anzahl der Elemente: Eins Bauform - Logikbaustein: SOT-23 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 2.6mA IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: 7S14 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 6V Anzahl der Eingänge: 1Inputs Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 20255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
| FGPF45N45TTU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF45N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 5374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF30N30TDTU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF30N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 1355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF50N30TTU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF50N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF90N30 | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF90N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF120N30TU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF120N30TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 3985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF70N30TTU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 11656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF30N30 | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF30N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 2468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF70N30TDTU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 4534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF70N33BTTU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF70N33BTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 3950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF7N60LSDTU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF7N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 4927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF30N45TTU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF30N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 2543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FGPF30N30TTU | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FGPF30N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 5305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| SMT10002T3 | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - SMT10002T3 - EACHtariffCode: 85413000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 262500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| FLS2100A | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FLS2100A - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| DTA114EM3T5G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
                                                              | 
                            NCV4264-2CST33T3G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NCV4264-2CST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45V, 230mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOT-223-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 45V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 4.5V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)  | 
                        
                                                             на замовлення 10142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NCV4264-2ST33T3G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.8V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Outputs SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 7879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NCV4264-2ST33T3G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223 Nennausgangsspannung: 3.3V MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 6V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 1.8V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators productTraceability: Yes-Date/Lot Code Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0 Betriebstemperatur, max.: 150°C Anzahl der Ausgänge: 1Outputs SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 7879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            MBRD835LG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 510 mVtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 75A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A Anzahl der Pins: 4Pins euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 510mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99  | 
                        
                                                             на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            LC709205FXE-01TBG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer euEccn: NLR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)  | 
                        
                                                             на замовлення 3194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            LC709205FXE-01TBG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12tariffCode: 85423190 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 2.5V Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer euEccn: NLR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 5V Schnittstellen: I2C Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)  | 
                        
                                                             на замовлення 3194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            D44H8 | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 10A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMYS025N06CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMYS021N06CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 5663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NTMYS014N06CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 37W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 5883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NTMYS014N06CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 36A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 5883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMJS1D5N04CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMYS025N06CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 24W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 24W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMYS021N06CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 5663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMYS010N04CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 5512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMYS010N04CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 38A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 28W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 28W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 5512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NVMJS1D5N04CLTWG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 110W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            1N458ATR | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - 1N458ATR - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 278843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            NRVUS2MA | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NRVUS2MA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)  | 
                        
                                                             на замовлення 4126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
| NCP5661MN12T2G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NCP5661MN12T2G - IC, LDO, 1A 1.2V, SMD, DFN-6, 5661tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 31905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| NCP5661MNADJT2G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NCP5661MNADJT2G - IC, LDO, 1A ADJ, SMD, DFN-6, 5661tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
                                                              | 
                            SZMMBZ5245BLT1G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 88911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            SZMMBZ5245BLT1G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 15V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 88911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
| FDB3652-F085 | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 3307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
                                                              | 
                            74F240SC | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - 74F240SC - LEVEL SHIFTERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 4356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            74F240SCX | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - 74F240SCX - LEVEL SHIFTERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 8239 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            MJD117G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 3323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            MJD117T4G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 20W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            FQD11P06TM | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 6420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            FQD11P06TM | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 6420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
| TVS8181MUTBG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - TVS8181MUTBG - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
| SA64ALFG | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - SA64ALFG - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    |||||||||||||||||
                                                              | 
                            NUP4301MR6T1 | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - NUP4301MR6T1 - NUP4301 - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            1SMA5914BT3G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - 1SMA5914BT3G - Zener-Diode, 3.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5913BT3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 32604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            1SMA5914BT3G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - 1SMA5914BT3G - Zener-Diode, 3.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMA5913BT3 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: Lead (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 32604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            74VHC244SJX | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - 74VHC244SJX - LEVEL SHIFTERStariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)  | 
                        
                                                             на замовлення 22672 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    ||||||||||||||||
                                                              | 
                            MC74HC4051ADTR2G | ONSEMI | 
                            
                                                         Description: ONSEMI - MC74HC4051ADTR2G - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 190 Ohm, 2V bis 6V, 2V bis 12V, TSSOP-16tariffCode: 85423990 IC-Funktion: Analoger Multiplexer/Demultiplexer rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 2V bis 6V, 2V bis 12V Einschaltwiderstand, max.: 190ohm Einschaltwiderstand, typ.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -55°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1 Schalterkonfiguration: - euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e) Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 190ohm Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)  | 
                        
                                                             на замовлення 3514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | 
                        
                            
  | 
                    
| KSB564ACYBU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - KSB564ACYBU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 92534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 13889+ | 2.22 грн | 
| KSB564ACYTA | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - KSB564ACYTA - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1624092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 13889+ | 2.22 грн | 
| MPS6651G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MPS6651G - MPS6651G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - MPS6651G - MPS6651G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MMBZ27VCLT1G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ27VCLT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 25.65V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 28.35V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - MMBZ27VCLT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 22 V, 38 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 25.65V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 28.35V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 38V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 31958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 86+ | 10.00 грн | 
| 119+ | 7.20 грн | 
| 256+ | 3.35 грн | 
| 1000+ | 3.02 грн | 
| 12000+ | 1.44 грн | 
| DTA143TM3T5G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA143TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
    Description: ONSEMI - DTA143TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1011000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 16000+ | 3.48 грн | 
| NVMFS6H818NWFT1G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4+ | 249.56 грн | 
| 10+ | 184.60 грн | 
| 100+ | 141.02 грн | 
| 500+ | 127.77 грн | 
| NVMFS6H818NWFT1G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0037 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 141.02 грн | 
| 500+ | 127.77 грн | 
| NC7S14M5X | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NC7S14M5X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NC7S14M5X - Inverter, Schmitt-Trigger, NC7S14, 1 Eingang, 2.6mA, 2V bis 6V, SOT-23-5
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Logikfunktion: Wechselrichter
Logik-IC-Familie: 7S
Anzahl der Elemente: Eins
Bauform - Logikbaustein: SOT-23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 2.6mA
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: 7S14
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 6V
Anzahl der Eingänge: 1Inputs
Schmitt-Trigger-Eingang: Mit Schmitt-Trigger-Eingang
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20255 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 101+ | 8.52 грн | 
| 150+ | 5.72 грн | 
| 201+ | 4.26 грн | 
| 500+ | 3.33 грн | 
| 1000+ | 3.00 грн | 
| 5000+ | 2.20 грн | 
| FGPF45N45TTU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF45N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF45N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 311+ | 134.18 грн | 
| FGPF30N30TDTU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF30N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 395+ | 105.12 грн | 
| FGPF50N30TTU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF50N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF50N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 252+ | 164.95 грн | 
| FGPF90N30 | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF90N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF90N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 348+ | 119.65 грн | 
| FGPF120N30TU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF120N30TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF120N30TU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 77+ | 535.01 грн | 
| FGPF70N30TTU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF70N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 276+ | 151.27 грн | 
| FGPF30N30 | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF30N30 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 391+ | 83.93 грн | 
| FGPF70N30TDTU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 427+ | 96.58 грн | 
| FGPF70N33BTTU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF70N33BTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF70N33BTTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 344+ | 121.36 грн | 
| FGPF7N60LSDTU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF7N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF7N60LSDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 654+ | 64.10 грн | 
| FGPF30N45TTU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF30N45TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 356+ | 117.09 грн | 
| FGPF30N30TTU | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGPF30N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FGPF30N30TTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 395+ | 105.12 грн | 
| SMT10002T3 | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMT10002T3 - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - SMT10002T3 - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 262500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 13889+ | 2.31 грн | 
| FLS2100A | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FLS2100A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FLS2100A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 139+ | 225.63 грн | 
| DTA114EM3T5G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
    Description: ONSEMI - DTA114EM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 16000+ | 3.59 грн | 
| NCV4264-2CST33T3G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2CST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45V, 230mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
    Description: ONSEMI - NCV4264-2CST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 4.5V bis 45V, 230mV Dropout, 3.3V/100mAout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 45V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 4.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 230mV
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 230mV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 8+ | 116.23 грн | 
| 10+ | 92.30 грн | 
| 50+ | 75.55 грн | 
| 100+ | 54.60 грн | 
| 250+ | 49.08 грн | 
| 500+ | 47.76 грн | 
| 1000+ | 36.04 грн | 
| 2500+ | 35.97 грн | 
| NCV4264-2ST33T3G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
    Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 7+ | 134.18 грн | 
| 10+ | 110.25 грн | 
| 100+ | 77.43 грн | 
| 500+ | 48.73 грн | 
| 4000+ | 43.37 грн | 
| NCV4264-2ST33T3G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
    Description: ONSEMI - NCV4264-2ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 1.8V bis 6Vin, 1.266V Dropout, 3.3Vout und 100mAout, SOT-223-4
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 1.8V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 0
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Outputs
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 77.43 грн | 
| 500+ | 48.73 грн | 
| 4000+ | 43.37 грн | 
| MBRD835LG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 75A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pins
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 510mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
    Description: ONSEMI - MBRD835LG - Schottky-Gleichrichterdiode, 35 V, 8 A, Einfach, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s), 510 mV
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 75A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
Anzahl der Pins: 4Pins
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 510mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 35V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 9+ | 103.41 грн | 
| 12+ | 72.65 грн | 
| LC709205FXE-01TBG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
    Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 4+ | 228.19 грн | 
| 10+ | 144.44 грн | 
| 50+ | 131.62 грн | 
| 100+ | 110.31 грн | 
| 250+ | 90.84 грн | 
| 500+ | 84.98 грн | 
| LC709205FXE-01TBG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
    Description: ONSEMI - LC709205FXE-01TBG - LADEZUSTANDSMESSER, LI-ION/POL, WLCSP-12
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Batteriemanagementfunktion: Ladezustandsmesser
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 2.5V
Batterie-/Akkutyp: Li-Ionen, Li-Polymer
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5V
Schnittstellen: I2C
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 110.31 грн | 
| 250+ | 90.84 грн | 
| 500+ | 84.98 грн | 
| D44H8 | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - D44H8 - TRANSISTOR, NPN, 8A 60V TO-220
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 10A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 630+ | 48.12 грн | 
| NVMYS025N06CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 10+ | 88.88 грн | 
| 14+ | 64.44 грн | 
| 100+ | 44.95 грн | 
| NVMYS021N06CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 11+ | 79.14 грн | 
| 19+ | 47.09 грн | 
| 100+ | 37.69 грн | 
| 500+ | 28.17 грн | 
| 1000+ | 22.78 грн | 
| 5000+ | 19.19 грн | 
| NTMYS014N06CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 37W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0125ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 58.20 грн | 
| 500+ | 39.60 грн | 
| 1000+ | 31.50 грн | 
| 5000+ | 31.43 грн | 
| NTMYS014N06CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NTMYS014N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 36 A, 0.015 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 37W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 8+ | 111.10 грн | 
| 12+ | 73.50 грн | 
| 100+ | 58.20 грн | 
| 500+ | 39.60 грн | 
| 1000+ | 31.50 грн | 
| 5000+ | 31.43 грн | 
| NVMJS1D5N04CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 7+ | 129.05 грн | 
| 10+ | 104.27 грн | 
| 100+ | 75.47 грн | 
| 500+ | 54.52 грн | 
| 1000+ | 45.13 грн | 
| NVMYS025N06CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMYS025N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 21 A, 0.0275 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 24W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0229ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0275ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 44.95 грн | 
| NVMYS021N06CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMYS021N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 27 A, 0.021 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 37.69 грн | 
| 500+ | 28.17 грн | 
| 1000+ | 22.78 грн | 
| 5000+ | 19.19 грн | 
| NVMYS010N04CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 13+ | 70.25 грн | 
| 20+ | 43.42 грн | 
| 100+ | 35.38 грн | 
| 500+ | 26.82 грн | 
| 1000+ | 22.27 грн | 
| 5000+ | 19.12 грн | 
| NVMYS010N04CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMYS010N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 38 A, 0.0103 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 28W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 28W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0086ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0103ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 35.38 грн | 
| 500+ | 26.82 грн | 
| 1000+ | 22.27 грн | 
| 5000+ | 19.12 грн | 
| NVMJS1D5N04CLTWG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - NVMJS1D5N04CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 200 A, 1200 µohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 110W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 75.47 грн | 
| 500+ | 54.52 грн | 
| 1000+ | 45.13 грн | 
| 1N458ATR | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N458ATR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
    Description: ONSEMI - 1N458ATR - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 278843 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 20000+ | 2.36 грн | 
| NRVUS2MA | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NRVUS2MA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
    Description: ONSEMI - NRVUS2MA - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 1.5 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 19.14 грн | 
| 500+ | 13.49 грн | 
| 1000+ | 9.60 грн | 
| NCP5661MN12T2G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5661MN12T2G - IC, LDO, 1A 1.2V, SMD, DFN-6, 5661
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - NCP5661MN12T2G - IC, LDO, 1A 1.2V, SMD, DFN-6, 5661
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 31905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 60.77 грн | 
| NCP5661MNADJT2G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5661MNADJT2G - IC, LDO, 1A ADJ, SMD, DFN-6, 5661
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - NCP5661MNADJT2G - IC, LDO, 1A ADJ, SMD, DFN-6, 5661
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 315+ | 125.63 грн | 
| SZMMBZ5245BLT1G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 106+ | 8.14 грн | 
| 170+ | 5.03 грн | 
| 414+ | 2.07 грн | 
| 500+ | 1.71 грн | 
| 1000+ | 1.52 грн | 
| 5000+ | 1.05 грн | 
| SZMMBZ5245BLT1G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - SZMMBZ5245BLT1G - Zener-Diode, 15 V, 225 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SZMMBZ52xxBLT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 15V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 88911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 500+ | 1.71 грн | 
| 1000+ | 1.52 грн | 
| 5000+ | 1.05 грн | 
| FDB3652-F085 | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - FDB3652-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 61 A, 0.6 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3307 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 220+ | 139.31 грн | 
| 74F240SC | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74F240SC - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - 74F240SC - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 712+ | 58.12 грн | 
| 74F240SCX | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74F240SCX - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - 74F240SCX - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 890+ | 47.01 грн | 
| MJD117G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - MJD117G - Darlington-Transistor, Darlington, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 8+ | 114.52 грн | 
| 13+ | 66.49 грн | 
| 100+ | 44.78 грн | 
| 500+ | 38.09 грн | 
| 1000+ | 31.87 грн | 
| MJD117T4G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - MJD117T4G - Darlington-Transistor, PNP, 100 V, 20 W, 2 A, TO-252 (DPAK), 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 20W
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: TO-252 (DPAK)
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 2A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 12+ | 77.35 грн | 
| 50+ | 57.60 грн | 
| 100+ | 39.66 грн | 
| FQD11P06TM | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 8+ | 118.80 грн | 
| 50+ | 82.39 грн | 
| 100+ | 54.10 грн | 
| 500+ | 44.28 грн | 
| 1000+ | 37.36 грн | 
| FQD11P06TM | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - FQD11P06TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 9.4 A, 0.185 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 6420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 54.10 грн | 
| 500+ | 44.28 грн | 
| 1000+ | 37.36 грн | 
| TVS8181MUTBG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TVS8181MUTBG - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - TVS8181MUTBG - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 15.47 грн | 
| SA64ALFG | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SA64ALFG - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - SA64ALFG - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 2000+ | 23.25 грн | 
| NUP4301MR6T1 | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NUP4301MR6T1 - NUP4301 - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - NUP4301MR6T1 - NUP4301 - TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 3000+ | 16.15 грн | 
| 1SMA5914BT3G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5914BT3G - Zener-Diode, 3.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - 1SMA5914BT3G - Zener-Diode, 3.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 32604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 28+ | 30.85 грн | 
| 50+ | 18.55 грн | 
| 250+ | 11.11 грн | 
| 1000+ | 7.59 грн | 
| 3000+ | 6.51 грн | 
| 1SMA5914BT3G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMA5914BT3G - Zener-Diode, 3.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - 1SMA5914BT3G - Zener-Diode, 3.6 V, 1.5 W, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMA5913BT3
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 32604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 18.55 грн | 
| 250+ | 11.11 грн | 
| 1000+ | 7.59 грн | 
| 3000+ | 6.51 грн | 
| 74VHC244SJX | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 74VHC244SJX - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
    Description: ONSEMI - 74VHC244SJX - LEVEL SHIFTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 22672 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 745+ | 56.41 грн | 
| MC74HC4051ADTR2G | 
![]()  | 
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC74HC4051ADTR2G - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 190 Ohm, 2V bis 6V, 2V bis 12V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer/Demultiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 6V, 2V bis 12V
Einschaltwiderstand, max.: 190ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 190ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
    Description: ONSEMI - MC74HC4051ADTR2G - Analoger Multiplexer / Demultiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 190 Ohm, 2V bis 6V, 2V bis 12V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer/Demultiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2V bis 6V, 2V bis 12V
Einschaltwiderstand, max.: 190ohm
Einschaltwiderstand, typ.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 190ohm
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна | 
|---|---|
| 100+ | 18.03 грн | 
| 500+ | 15.40 грн | 
| 1000+ | 13.77 грн | 
| 2500+ | 12.67 грн | 
















