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Доступність |
Ціна |
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MC33274ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)tariffCode: 85423390 euEccn: NLR Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 10V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 1 - unbegrenzt Bauform - Verstärker: SOIC Anzahl der Kanäle: 4Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz Eingangsoffsetspannung: 100µV SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannungsanstieg: 10V/µs Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Eingangsruhestrom: 300nA Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - Bandbreite: 24MHz productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker |
на замовлення 1594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| HUF75343S3_NL | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| HUF75343S3 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC848ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC848ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZMM3Z4V7T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 12260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SZMM3Z4V7T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 4.7V |
на замовлення 7945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MMBZ5254B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ5254B - MMBZ5254B, ZENER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 516000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MMBZ5254BLT1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ5254BLT1 - DIODE ZENER 27V 225MW SOT23-3tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 177060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MUR480ERLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR480ERLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 75 ns, 70 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.85V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MUR48 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 800V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 879 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MUR550APFRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR550APFRLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 520 V, 5 A, Einfach, 1.15 V, 95 ns, 85 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 85A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: 95ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 520V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURA105T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 AtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrverzögerungszeit: 30ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 50A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 875mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURA105T3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 AtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrverzögerungszeit: 30ns rohsCompliant: Y-EX Durchlassstoßstrom: 50A Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Durchlassspannung, max.: 875mV hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MUR110G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR110G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 75 ns, 35 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial bedrahtet Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 875mV Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MUR11 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 100V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4754 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURD530T4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURD530T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 5 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 75 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 75A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.05V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MURHB860CTT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 nstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MMUN2241LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMUN2241LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 170900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5338BRLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5338BRLG - Zener-Diode, 5.1 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, DurchsteckmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: 017AA euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N5338 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 200°C Zener-Spannung, nom.: 5.1V |
на замовлення 23151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MAX1617DBR2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MAX1617DBR2 - EACHtariffCode: 85423190 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ20VALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 19V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 21V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 28V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ20VALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 19V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 21V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 17V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 28V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| HUFA76413D3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUFA76413D3S - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 15443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| HUFA76413D3ST | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HUFA76413D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 12343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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UESD3.3DT5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - UESD3.3DT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOT-723, 3 Pin(s), 3.3 V, 240 mW, µESDtariffCode: 85363030 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V Betriebsspannung: 3.3V rohsPhthalatesCompliant: YES Verlustleistung Pd: 240mW usEccn: EAR99 |
на замовлення 14415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EGF1D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 22187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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EGF1D | ONSEMI |
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: EGF1D productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 22187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DTC115TM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC115TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 264000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DTC115EET1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC115EET1 - DTC115EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 366000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MCR218-4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-4G - MCR218-4G, STANDARD RECOVERY RECTIFIERStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 9400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MCR218-2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-2G - THYRISTORtariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MCR218-8FP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-8FP - MCR218-8FP, STANDARD RECOVERY RECTIFIERStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 24732 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MCR218-006 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-006 - THYRISTOR SCR 8A 400V TO-220ABtariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MCR218-004 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-004 - SILICON CONTROLLED RECTIFIERtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 5500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MCR218-6T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCR218-6T - EACHtariffCode: 85413000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NSTB1002DXV5T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB1002DXV5T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 196000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NSTB60BDW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5960 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NST856BF3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NST856BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODEStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| TN5D01A-HCC11-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TN5D01A-HCC11-E - TN5D01A-HCC11-E, SHIFT REGISTERStariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 5267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP81152MNTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81152MNTWG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDSS2407_SB82086 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDSS2407_SB82086 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJTtariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1669 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP81102MNTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81102MNTWG - NCP81102 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP81118MNTWG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81118MNTWG - NCP81118 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 65000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NCP81108AMNTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP81108AMNTXG - NCP81108 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR tariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NCP5810CMUTXG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCP5810CMUTXG - NCP5810 - SWITCHING REGULATORtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MCX34063ADR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MCX34063ADR2G - SWITCHING REGULATORtariffCode: 85423990 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Ausgang: Einstellbar euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 2223 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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MC33178DMR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: Micro8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz Eingangsoffsetspannung: 150µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC33178DMR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)tariffCode: 85423390 Verstärkertyp: Universell rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anstiegsrate: 2V/µs Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: Micro8 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Rail-to-Rail: - Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz Eingangsoffsetspannung: 150µV euEccn: NLR Eingangsruhestrom: 100nA Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| LV52207NXB-VH | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LV52207NXB-VH - LED DRIVER, BOOST, 600KHZ, SOIC-8tariffCode: 85423190 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1356 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS86350ET80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS86350 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS86350 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS86350ET80 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 198A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 187W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS8622 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS8622 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 16.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 31W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS7678 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 26A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 41W Bauform - Transistor: Power 56 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS007N08LC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.6W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS007N08LC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 92.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 92.6W Bauform - Transistor: PQFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: PowerTrench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS2506SDC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS2506SDC - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| FDMS5362L | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS5362L - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FDMS003N08C | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETStariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 20030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MC33274ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 10V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 24MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
Description: ONSEMI - MC33274ADR2G - Operationsverstärker, 4 Kanäle, 24 MHz, 10 V/µs, 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V, SOIC, 14 Pin(s)
tariffCode: 85423390
euEccn: NLR
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 3V bis 36V, ± 1.5V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 10V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Bauform - Verstärker: SOIC
Anzahl der Kanäle: 4Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 24MHz
Eingangsoffsetspannung: 100µV
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannungsanstieg: 10V/µs
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Eingangsruhestrom: 300nA
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
Bandbreite: 24MHz
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Verstärker: 4 Verstärker
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 67.84 грн |
| 17+ | 48.52 грн |
| 100+ | 36.35 грн |
| 500+ | 30.16 грн |
| 1000+ | 26.78 грн |
| HUF75343S3_NL |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HUF75343S3_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 238+ | 168.57 грн |
| HUF75343S3 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HUF75343S3 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 333+ | 120.06 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 9.87 грн |
| 144+ | 5.75 грн |
| 220+ | 3.75 грн |
| 500+ | 2.50 грн |
| BC848ALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - BC848ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), universell, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BCxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 664 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.50 грн |
| SZMM3Z4V7T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 12260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 26.56 грн |
| 46+ | 18.01 грн |
| 100+ | 11.59 грн |
| 500+ | 6.75 грн |
| 1000+ | 4.69 грн |
| SZMM3Z4V7T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
Description: ONSEMI - SZMM3Z4V7T1G - Zener-Diode, 4.7 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SZMM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 4.7V
на замовлення 7945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.04 грн |
| MMBZ5254B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5254B - MMBZ5254B, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMBZ5254B - MMBZ5254B, ZENER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 516000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18000+ | 1.89 грн |
| MMBZ5254BLT1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ5254BLT1 - DIODE ZENER 27V 225MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMBZ5254BLT1 - DIODE ZENER 27V 225MW SOT23-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 177060 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18000+ | 1.89 грн |
| MUR480ERLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR480ERLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 75 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MUR48
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MUR480ERLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 800 V, 4 A, Einfach, 1.85 V, 75 ns, 70 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.85V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MUR48
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 800V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 32.07 грн |
| 29+ | 28.53 грн |
| 100+ | 27.96 грн |
| 500+ | 25.43 грн |
| MUR550APFRLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR550APFRLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 520 V, 5 A, Einfach, 1.15 V, 95 ns, 85 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 95ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 520V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MUR550APFRLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 520 V, 5 A, Einfach, 1.15 V, 95 ns, 85 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 85A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: 95ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 520V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 48.43 грн |
| 21+ | 40.05 грн |
| 100+ | 25.24 грн |
| 500+ | 20.31 грн |
| MURA105T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: 30ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: 30ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.20 грн |
| 29+ | 28.78 грн |
| 100+ | 13.07 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| MURA105T3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: 30ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - MURA105T3G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 50 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 30 ns, 50 A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Sperrverzögerungszeit: 30ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 50A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 875mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.07 грн |
| 500+ | 11.91 грн |
| MUR110G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR110G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MUR110G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 100 V, 1 A, Einfach, 875 mV, 75 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial bedrahtet
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 875mV
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR11
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4754 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 38.65 грн |
| 34+ | 24.42 грн |
| 100+ | 16.36 грн |
| 500+ | 11.53 грн |
| 1000+ | 8.67 грн |
| MURD530T4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD530T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 5 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: ONSEMI - MURD530T4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 5 A, Einfach, 1.05 V, 50 ns, 75 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-252 (DPAK)
Durchlassstoßstrom: 75A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.05V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 300V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 106.90 грн |
| 11+ | 76.14 грн |
| 100+ | 75.40 грн |
| 500+ | 55.97 грн |
| 1000+ | 47.58 грн |
| MURHB860CTT4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
Description: ONSEMI - MURHB860CTT4G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 1.25 V, 35 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263 (D2PAK)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 111.83 грн |
| 10+ | 95.39 грн |
| 100+ | 75.24 грн |
| MMUN2241LT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2241LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMUN2241LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 170900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.14 грн |
| 1N5338BRLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5338BRLG - Zener-Diode, 5.1 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5338
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
Description: ONSEMI - 1N5338BRLG - Zener-Diode, 5.1 V, 5 W, 017AA, 2 Pin(s), 200 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: 017AA
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N5338
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 200°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
на замовлення 23151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 36.84 грн |
| 29+ | 28.94 грн |
| 100+ | 19.82 грн |
| 500+ | 15.12 грн |
| 1000+ | 10.64 грн |
| MAX1617DBR2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MAX1617DBR2 - EACH
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MAX1617DBR2 - EACH
tariffCode: 85423190
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 382+ | 72.61 грн |
| MMBZ20VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 19V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 21V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 17V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 19V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 21V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 17V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 18.75 грн |
| 62+ | 13.40 грн |
| 126+ | 6.56 грн |
| 500+ | 5.08 грн |
| 1000+ | 3.21 грн |
| MMBZ20VALT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 19V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 21V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 17V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBZ20VALT1G - TVS-Diode, Unidirektional, 17 V, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 19V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 21V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 17V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 28V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.40 грн |
| 126+ | 6.56 грн |
| 500+ | 5.08 грн |
| 1000+ | 3.21 грн |
| HUFA76413D3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76413D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - HUFA76413D3S - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 15443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1233+ | 23.52 грн |
| HUFA76413D3ST |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HUFA76413D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - HUFA76413D3ST - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 12343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1188+ | 24.42 грн |
| UESD3.3DT5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - UESD3.3DT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOT-723, 3 Pin(s), 3.3 V, 240 mW, µESD
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 240mW
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - UESD3.3DT5G - ESD-Schutzbaustein, 6.5 V, SOT-723, 3 Pin(s), 3.3 V, 240 mW, µESD
tariffCode: 85363030
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 6.5V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: 240mW
usEccn: EAR99
на замовлення 14415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.94 грн |
| 27+ | 30.92 грн |
| 100+ | 17.68 грн |
| 500+ | 12.68 грн |
| 1000+ | 8.11 грн |
| 2500+ | 7.61 грн |
| 8000+ | 6.03 грн |
| EGF1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EGF1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EGF1D
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 22187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 27.38 грн |
| 50+ | 21.30 грн |
| 250+ | 19.49 грн |
| 1000+ | 14.51 грн |
| 3000+ | 13.32 грн |
| EGF1D |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EGF1D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - EGF1D - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 1 V, 50 ns, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: EGF1D
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 22187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.30 грн |
| 250+ | 19.49 грн |
| 1000+ | 14.51 грн |
| 3000+ | 13.32 грн |
| DTC115TM3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC115TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DTC115TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16000+ | 3.07 грн |
| DTC115EET1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC115EET1 - DTC115EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DTC115EET1 - DTC115EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 3.78 грн |
| MCR218-4G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-4G - MCR218-4G, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-4G - MCR218-4G, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 45.06 грн |
| MCR218-2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-2G - THYRISTOR
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-2G - THYRISTOR
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 39.88 грн |
| MCR218-8FP |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-8FP - MCR218-8FP, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-8FP - MCR218-8FP, STANDARD RECOVERY RECTIFIERS
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24732 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 972+ | 28.62 грн |
| MCR218-006 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-006 - THYRISTOR SCR 8A 400V TO-220AB
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-006 - THYRISTOR SCR 8A 400V TO-220AB
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 27.71 грн |
| MCR218-004 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-004 - SILICON CONTROLLED RECTIFIER
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-004 - SILICON CONTROLLED RECTIFIER
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1500+ | 27.71 грн |
| MCR218-6T |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCR218-6T - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MCR218-6T - EACH
tariffCode: 85413000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: TBC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: TBC
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 916+ | 31.58 грн |
| NSTB1002DXV5T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSTB1002DXV5T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSTB1002DXV5T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 6.17 грн |
| NSTB60BDW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NST856BF3T5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NST856BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NST856BF3T5G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 4.11 грн |
| TN5D01A-HCC11-E |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TN5D01A-HCC11-E - TN5D01A-HCC11-E, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - TN5D01A-HCC11-E - TN5D01A-HCC11-E, SHIFT REGISTERS
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 430.88 грн |
| NCP81152MNTWG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81152MNTWG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP81152MNTWG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 943+ | 41.94 грн |
| FDSS2407_SB82086 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDSS2407_SB82086 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDSS2407_SB82086 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 493+ | 81.41 грн |
| NCP81102MNTWG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81102MNTWG - NCP81102 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP81102MNTWG - NCP81102 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 50.24 грн |
| NCP81118MNTWG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81118MNTWG - NCP81118 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP81118MNTWG - NCP81118 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 53.20 грн |
| NCP81108AMNTXG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP81108AMNTXG - NCP81108 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NCP81108AMNTXG - NCP81108 - SWITCHING VOLTAGE REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 95.39 грн |
| NCP5810CMUTXG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP5810CMUTXG - NCP5810 - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NCP5810CMUTXG - NCP5810 - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 111.83 грн |
| MCX34063ADR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MCX34063ADR2G - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - MCX34063ADR2G - SWITCHING REGULATOR
tariffCode: 85423990
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Ausgang: Einstellbar
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2223 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| MC33178DMR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: Micro8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: Micro8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.38 грн |
| 500+ | 17.56 грн |
| 1000+ | 15.51 грн |
| 2500+ | 15.22 грн |
| MC33178DMR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: Micro8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33178DMR2G - Operationsverstärker, 2 Kanäle, 5 MHz, 2 V/µs, ± 2V bis ± 18V, Micro8, 8 Pin(s)
tariffCode: 85423390
Verstärkertyp: Universell
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 2V bis ± 18V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anstiegsrate: 2V/µs
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: Micro8
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Rail-to-Rail: -
Verstärkung-Bandbreite-Produkt: 5MHz
Eingangsoffsetspannung: 150µV
euEccn: NLR
Eingangsruhestrom: 100nA
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 39.39 грн |
| 30+ | 27.55 грн |
| 100+ | 21.38 грн |
| 500+ | 17.56 грн |
| 1000+ | 15.51 грн |
| 2500+ | 15.22 грн |
| LV52207NXB-VH |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LV52207NXB-VH - LED DRIVER, BOOST, 600KHZ, SOIC-8
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - LV52207NXB-VH - LED DRIVER, BOOST, 600KHZ, SOIC-8
tariffCode: 85423190
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 720+ | 42.18 грн |
| FDMS86350ET80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 411.97 грн |
| 5+ | 370.03 грн |
| 10+ | 327.27 грн |
| 50+ | 283.28 грн |
| 100+ | 242.46 грн |
| 250+ | 237.53 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 376.61 грн |
| 10+ | 250.80 грн |
| 100+ | 178.44 грн |
| 500+ | 157.29 грн |
| 1000+ | 138.85 грн |
| FDMS86350 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS86350 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 130 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 178.44 грн |
| 500+ | 157.29 грн |
| 1000+ | 138.85 грн |
| FDMS86350ET80 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS86350ET80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 198 A, 0.0024 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 198A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 242.46 грн |
| 250+ | 237.53 грн |
| FDMS8622 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 46.62 грн |
| 500+ | 33.90 грн |
| 1000+ | 28.47 грн |
| FDMS8622 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS8622 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 16.5 A, 0.056 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 16.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 31W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.056ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 111.83 грн |
| 12+ | 70.39 грн |
| 100+ | 46.62 грн |
| 500+ | 33.90 грн |
| 1000+ | 28.47 грн |
| FDMS7678 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS7678 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 26 A, 0.0055 ohm, Power 56, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 41W
Bauform - Transistor: Power 56
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.40 грн |
| 500+ | 31.23 грн |
| 1000+ | 26.15 грн |
| FDMS007N08LC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 188.31 грн |
| 10+ | 130.75 грн |
| 100+ | 97.85 грн |
| 500+ | 69.87 грн |
| 1000+ | 59.56 грн |
| FDMS007N08LC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FDMS007N08LC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 84 A, 0.0067 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 84A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 92.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92.6W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0067ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 97.85 грн |
| 500+ | 69.87 грн |
| 1000+ | 59.56 грн |
| FDMS2506SDC |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS2506SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS2506SDC - MISCELLANEOUS MOSFETS
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rohsCompliant: YES
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usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 196+ | 203.93 грн |
| FDMS5362L |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS5362L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS5362L - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1144+ | 34.54 грн |
| FDMS003N08C |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - FDMS003N08C - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 333.03 грн |



























