Продукція > ONSEMI > Всі товари виробника ONSEMI (140736) > Сторінка 2178 з 2346

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1872 2106 2173 2174 2175 2176 2177 2178 2179 2180 2181 2182 2183 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVMFS5C404NLWFAFT1G NVMFS5C404NLWFAFT1G ONSEMI ONSM-S-A0013296278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+483.18 грн
50+423.80 грн
200+337.64 грн
500+287.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1117ST33T3G NCP1117ST33T3G ONSEMI 4660965.pdf Description: ONSEMI - NCP1117ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 3.5V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 209931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.75 грн
50+25.46 грн
250+20.09 грн
1000+17.67 грн
2000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+133.40 грн
10+120.39 грн
100+106.56 грн
500+83.09 грн
1000+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 FDS86141 ONSEMI fds86141-d.pdf Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+106.56 грн
500+83.09 грн
1000+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DA121TT1G ONSEMI ONSM-S-A0013339683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DA121TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 80 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 368700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z11VT1G MM3Z11VT1G ONSEMI 1876691.pdf Description: ONSEMI - MM3Z11VT1G - Zener-Diode, 11 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5915BT3G 1SMB5915BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.02 грн
57+14.40 грн
100+9.35 грн
500+8.23 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5915BT3G 1SMB5915BT3G ONSEMI 2160707.pdf Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.35 грн
500+8.23 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L05ABPG MC78L05ABPG ONSEMI mc78l00a-d.pdf Description: ONSEMI - MC78L05ABPG - Linearer Festspannungsregler, 7805, positiv, 10V bis 30Vin, 5V und 0.1Aout, TO-92-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-92
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI 2907427.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.83 грн
50+87.85 грн
100+62.72 грн
500+46.76 грн
1000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 FQD8P10TM-F085 ONSEMI 2907427.pdf Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+62.72 грн
500+46.76 грн
1000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4979NT4G NTD4979NT4G ONSEMI NTD4979N.pdf Description: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 462897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8040MUTAG ESD8040MUTAG ONSEMI esd8040-d.pdf Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: ESD80
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8040MUTAG ESD8040MUTAG ONSEMI esd8040-d.pdf Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: UDFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD80
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655 ONSEMI ONSMS12831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655G ONSEMI ONSM-S-A0013339538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431BSN1T1G ONSEMI 2236975.pdf Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - SPANN.REF. SHUNT EINST. 1.24V SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.73 грн
53+15.37 грн
100+13.34 грн
500+10.88 грн
1500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431BSN1T1G TLV431BSN1T1G ONSEMI 2236975.pdf Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.34 грн
500+10.88 грн
1500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G ONSEMI 2353986.pdf Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - TVS-DIODE
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.36 грн
61+13.34 грн
100+9.11 грн
500+8.16 грн
1000+5.76 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G ESD9L5.0ST5G ONSEMI 2353986.pdf Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.16 грн
1000+5.76 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SESD9L5.0ST5G SESD9L5.0ST5G ONSEMI 2580986.pdf Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.71 грн
36+22.61 грн
100+13.58 грн
500+11.03 грн
1000+6.79 грн
5000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SESD9L5.0ST5G SESD9L5.0ST5G ONSEMI 2580986.pdf Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.58 грн
500+11.03 грн
1000+6.79 грн
5000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007RLG 1N4007RLG ONSEMI ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 59235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+16.11 грн
94+8.70 грн
141+5.78 грн
500+3.96 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S ONSEMI NTH4L022N120M3S-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1157.53 грн
5+1029.00 грн
10+900.48 грн
50+820.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 NVHL160N120SC1 ONSEMI NVHL160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+669.46 грн
5+587.30 грн
10+506.77 грн
50+469.82 грн
100+432.98 грн
250+432.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1 ONSEMI NTH4L160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1 ONSEMI NTH4L080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+721.52 грн
5+576.73 грн
10+431.12 грн
50+394.29 грн
100+358.38 грн
250+352.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1 ONSEMI NVH4L080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+782.53 грн
5+677.60 грн
10+572.66 грн
50+527.23 грн
100+482.49 грн
250+478.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1 ONSEMI NTBG020N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2663.21 грн
5+2451.71 грн
10+2240.22 грн
50+2038.66 грн
100+1843.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1 ONSEMI NTBG015N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1920.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNG ONSEMI NXH40B120MNQ1SNG-D.PDF Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8380.88 грн
5+7333.17 грн
10+6076.41 грн
20+5058.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1 NVH4L160N120SC1 ONSEMI NVH4L160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+529.55 грн
5+522.23 грн
10+515.72 грн
50+472.09 грн
100+427.41 грн
250+420.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1 ONSEMI NTBG045N065SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+553.14 грн
50+541.75 грн
100+493.24 грн
250+446.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1 ONSEMI NTBG080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+657.26 грн
5+615.77 грн
10+573.48 грн
50+506.08 грн
100+466.45 грн
250+457.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1 ONSEMI NVBG160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+1172.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1 ONSEMI NVBG160N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1449.55 грн
10+1172.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1 NVBG080N120SC1 ONSEMI NVBG080N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+802.05 грн
5+679.22 грн
10+556.39 грн
50+500.79 грн
100+458.08 грн
250+453.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1 ONSEMI NTBG020N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+2411.04 грн
100+2382.57 грн
500+2186.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5259B 1N5259B ONSEMI ONSM-S-A0006942416-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 1N5259B - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SB340 SB340 ONSEMI ONSM-S-A0003165973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB340 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SB
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+24.08 грн
3750+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z36VT1G MM3Z36VT1G ONSEMI ONSM-S-A0014075968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MM3Z36VT1G - Zener-Diode, 36 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.09 грн
1000+1.23 грн
5000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z36VC ONSEMI ONSM-S-A0003589454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MM3Z36VC - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574N-5G LM2574N-5G ONSEMI LM2574.pdf description Description: ONSEMI - LM2574N-5G - Abwärts-Schaltregler (Buck), fest, 4.7V-40Vin, 5V und 0.5Aout, 63kHz, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.75V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Wirkungsgrad: 77%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+138.28 грн
10+101.68 грн
50+86.22 грн
100+76.29 грн
250+66.52 грн
500+64.01 грн
1000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MC79L05ABDR2G MC79L05ABDR2G ONSEMI 2255359.pdf Description: ONSEMI - MC79L05ABDR2G - LDO-Festspannungsregler, 7905, -30Vin, 1.7V Dropout, -5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -30V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.7V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.49 грн
500+8.46 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SB0030-04A ONSEMI SNYOS01889-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB0030-04A - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.03A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 109582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 6411
В кошику  од. на суму  грн.
DFH10TG ONSEMI SNYOS03112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DFH10TG - DFH10 - RECTIFIER DIODE, 1A, 400V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
916+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 916
В кошику  од. на суму  грн.
MURD315T4 ONSEMI MOTOSA49-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MURD315T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 150V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1781+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 1781
В кошику  од. на суму  грн.
DS135AC ONSEMI SNYOS10898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DS135AC - RECTIFIER DIODE, 1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 267187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3562+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3562
В кошику  од. на суму  грн.
DS135AD ONSEMI SNYOS10898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DS135AD - RECTIFIER DIODE, 1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA151KT2 ONSEMI MOTOS05463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - M1MA151KT2 - RECTIFIER DIODE, 0.1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
LFB01-CT1 ONSEMI SNYOD003-87.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - LFB01-CT1 - RECTIFIER DIODE, 0.15A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 388000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 14000
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA141WKT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - M1MA141WKT1G - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 199300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
DFH10TE ONSEMI SNYOS03112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DFH10TE - RECTIFIER DIODE, 1A, 400V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 163413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54FSTR ONSEMI nd_datasheet Description: ONSEMI - BAT54FSTR - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.2A, 30V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10684+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 10684
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA152AT1G ONSEMI ONSM-S-A0013297386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - M1MA152AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA151WKT2 ONSEMI ONSMS00854-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - M1MA151WKT2 - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MURD310T4 ONSEMI MOTOSA49-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MURD310T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 100V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA151AT1G ONSEMI ONSM-S-A0013297386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - M1MA151AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 713752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
SB80-05J SB80-05J ONSEMI ONSMS23000-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - SB80-05J - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 5A, 50V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
526+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 526
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA142KT1G ONSEMI ONSM-S-A0013684081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - M1MA142KT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
NVMFS5C404NLWFAFT1G ONSM-S-A0013296278-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
NVMFS5C404NLWFAFT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C404NLWFAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 370 A, 520 µohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 370A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 520µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+483.18 грн
50+423.80 грн
200+337.64 грн
500+287.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NCP1117ST33T3G 4660965.pdf
NCP1117ST33T3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NCP1117ST33T3G - LDO-Festspannungsregler, 3.5V bis 20V, 1.07V Dropout, 3.3Vout, 1Aout, SOT-223-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-223
Nennausgangsspannung: 3.3V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Eingangsspannung, max.: 20V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 1A
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 1A LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 1A
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.07V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.07V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 209931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+40.75 грн
50+25.46 грн
250+20.09 грн
1000+17.67 грн
2000+16.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 fds86141-d.pdf
FDS86141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+133.40 грн
10+120.39 грн
100+106.56 грн
500+83.09 грн
1000+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FDS86141 fds86141-d.pdf
FDS86141
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FDS86141 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 7 A, 0.019 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+106.56 грн
500+83.09 грн
1000+71.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DA121TT1G ONSM-S-A0013339683-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DA121TT1G - Kleinsignaldiode, Einfach, 80 V, 200 mA, 1.25 V, 6 ns, 500 mA
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-416
Durchlassstoßstrom: 500mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 6ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 80V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 368700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+1.79 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z11VT1G 1876691.pdf
MM3Z11VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z11VT1G - Zener-Diode, 11 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MM3Z1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5915BT3G 2160707.pdf
1SMB5915BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+23.02 грн
57+14.40 грн
100+9.35 грн
500+8.23 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
1SMB5915BT3G 2160707.pdf
1SMB5915BT3G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.35 грн
500+8.23 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MC78L05ABPG mc78l00a-d.pdf
MC78L05ABPG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78L05ABPG - Linearer Festspannungsregler, 7805, positiv, 10V bis 30Vin, 5V und 0.1Aout, TO-92-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-92
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 2907427.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.83 грн
50+87.85 грн
100+62.72 грн
500+46.76 грн
1000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
FQD8P10TM-F085 2907427.pdf
FQD8P10TM-F085
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+62.72 грн
500+46.76 грн
1000+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTD4979NT4G NTD4979N.pdf
NTD4979NT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 462897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8040MUTAG esd8040-d.pdf
ESD8040MUTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: ESD80
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ESD8040MUTAG esd8040-d.pdf
ESD8040MUTAG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Bauform - Diode: UDFN
hazardous: false
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Betriebsspannung: 3.3V
rohsPhthalatesCompliant: YES
Verlustleistung Pd: -
usEccn: EAR99
Produktpalette: ESD80
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655 ONSMS12831-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 2000
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655G ONSM-S-A0013339538-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431BSN1T1G 2236975.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - SPANN.REF. SHUNT EINST. 1.24V SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33+24.73 грн
53+15.37 грн
100+13.34 грн
500+10.88 грн
1500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
TLV431BSN1T1G 2236975.pdf
TLV431BSN1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.34 грн
500+10.88 грн
1500+9.55 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G 2353986.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - TVS-DIODE
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.36 грн
61+13.34 грн
100+9.11 грн
500+8.16 грн
1000+5.76 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ESD9L5.0ST5G 2353986.pdf
ESD9L5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 31183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+8.16 грн
1000+5.76 грн
5000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
SESD9L5.0ST5G 2580986.pdf
SESD9L5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.71 грн
36+22.61 грн
100+13.58 грн
500+11.03 грн
1000+6.79 грн
5000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
SESD9L5.0ST5G 2580986.pdf
SESD9L5.0ST5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+13.58 грн
500+11.03 грн
1000+6.79 грн
5000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
1N4007RLG ONSM-S-A0013902349-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
1N4007RLG
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 59235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
51+16.11 грн
94+8.70 грн
141+5.78 грн
500+3.96 грн
1000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L022N120M3S NTH4L022N120M3S-D.PDF
NTH4L022N120M3S
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1157.53 грн
5+1029.00 грн
10+900.48 грн
50+820.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL160N120SC1 NVHL160N120SC1-D.PDF
NVHL160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+669.46 грн
5+587.30 грн
10+506.77 грн
50+469.82 грн
100+432.98 грн
250+432.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L160N120SC1 NTH4L160N120SC1-D.PDF
NTH4L160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTH4L080N120SC1 NTH4L080N120SC1-D.PDF
NTH4L080N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+721.52 грн
5+576.73 грн
10+431.12 грн
50+394.29 грн
100+358.38 грн
250+352.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L080N120SC1 NVH4L080N120SC1-D.PDF
NVH4L080N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 871 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+782.53 грн
5+677.60 грн
10+572.66 грн
50+527.23 грн
100+482.49 грн
250+478.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1-D.PDF
NTBG020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2663.21 грн
5+2451.71 грн
10+2240.22 грн
50+2038.66 грн
100+1843.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG015N065SC1 NTBG015N065SC1-D.PDF
NTBG015N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1920.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNG NXH40B120MNQ1SNG-D.PDF
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+8380.88 грн
5+7333.17 грн
10+6076.41 грн
20+5058.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVH4L160N120SC1 NVH4L160N120SC1-D.PDF
NVH4L160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+529.55 грн
5+522.23 грн
10+515.72 грн
50+472.09 грн
100+427.41 грн
250+420.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG045N065SC1 NTBG045N065SC1-D.PDF
NTBG045N065SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+553.14 грн
50+541.75 грн
100+493.24 грн
250+446.93 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG080N120SC1 NTBG080N120SC1-D.PDF
NTBG080N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+657.26 грн
5+615.77 грн
10+573.48 грн
50+506.08 грн
100+466.45 грн
250+457.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1-D.PDF
NVBG160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+1172.98 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG160N120SC1 NVBG160N120SC1-D.PDF
NVBG160N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1449.55 грн
10+1172.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVBG080N120SC1 NVBG080N120SC1-D.PDF
NVBG080N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+802.05 грн
5+679.22 грн
10+556.39 грн
50+500.79 грн
100+458.08 грн
250+453.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NTBG020N120SC1 NTBG020N120SC1-D.PDF
NTBG020N120SC1
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+2411.04 грн
100+2382.57 грн
500+2186.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
1N5259B ONSM-S-A0006942416-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
1N5259B
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5259B - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SB340 ONSM-S-A0003165973-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB340
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB340 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SB
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1250+24.08 грн
3750+19.85 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z36VT1G ONSM-S-A0014075968-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MM3Z36VT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z36VT1G - Zener-Diode, 36 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.09 грн
1000+1.23 грн
5000+0.98 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MM3Z36VC ONSM-S-A0003589454-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z36VC - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
LM2574N-5G description LM2574.pdf
LM2574N-5G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2574N-5G - Abwärts-Schaltregler (Buck), fest, 4.7V-40Vin, 5V und 0.5Aout, 63kHz, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.75V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Wirkungsgrad: 77%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+138.28 грн
10+101.68 грн
50+86.22 грн
100+76.29 грн
250+66.52 грн
500+64.01 грн
1000+62.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
MC79L05ABDR2G 2255359.pdf
MC79L05ABDR2G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC79L05ABDR2G - LDO-Festspannungsregler, 7905, -30Vin, 1.7V Dropout, -5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -30V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.7V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2824 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.49 грн
500+8.46 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SB0030-04A SNYOS01889-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB0030-04A - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.03A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 109582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6411+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 6411
В кошику  од. на суму  грн.
DFH10TG SNYOS03112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFH10TG - DFH10 - RECTIFIER DIODE, 1A, 400V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
916+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 916
В кошику  од. на суму  грн.
MURD315T4 MOTOSA49-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD315T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 150V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1781+17.57 грн
Мінімальне замовлення: 1781
В кошику  од. на суму  грн.
DS135AC SNYOS10898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DS135AC - RECTIFIER DIODE, 1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 267187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3562+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 3562
В кошику  од. на суму  грн.
DS135AD SNYOS10898-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DS135AD - RECTIFIER DIODE, 1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+8.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA151KT2 MOTOS05463-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA151KT2 - RECTIFIER DIODE, 0.1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
LFB01-CT1 SNYOD003-87.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LFB01-CT1 - RECTIFIER DIODE, 0.15A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 388000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 14000
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA141WKT1G ONSM-S-A0013684101-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA141WKT1G - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 199300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
DFH10TE SNYOS03112-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFH10TE - RECTIFIER DIODE, 1A, 400V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 163413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+34.08 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54FSTR nd_datasheet
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54FSTR - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.2A, 30V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10684+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 10684
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA152AT1G ONSM-S-A0013297386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA152AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA151WKT2 ONSMS00854-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA151WKT2 - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
MURD310T4 MOTOSA49-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD310T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 100V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA151AT1G ONSM-S-A0013297386-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA151AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 713752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15000+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 15000
В кошику  од. на суму  грн.
SB80-05J ONSMS23000-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SB80-05J
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB80-05J - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 5A, 50V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
526+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 526
В кошику  од. на суму  грн.
M1MA142KT1G ONSM-S-A0013684081-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA142KT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9000+3.90 грн
Мінімальне замовлення: 9000
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 234 468 702 936 1170 1404 1638 1872 2106 2173 2174 2175 2176 2177 2178 2179 2180 2181 2182 2183 2340 2346  [ Наступна Сторінка >> ]