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1SMB5915BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.9V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1SMB5915BT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1SMB59xxBT3G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.9V SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 3346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC78L05ABPG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC78L05ABPG - Linearer Festspannungsregler, 7805, positiv, 10V bis 30Vin, 5V und 0.1Aout, TO-92-3tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Durchsteckmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: TO-92 Nennausgangsspannung: 5V usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 30V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: 100mA Eingangsspannung, min.: 10V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 7805 Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: No Ausgangsstrom, max.: 100mA Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge |
товару немає в наявності |
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FQD8P10TM-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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FQD8P10TM-F085 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTD4979NT4G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 41A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 26.3W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 462897 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD8040MUTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: UDFN rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: ESD80 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD8040MUTAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: UDFN rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: - euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 3.3V Anzahl der Pins: 18Pin(s) Produktpalette: ESD80 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| 2N5655 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| 2N5655G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORStariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
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TLV431BSN1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 1.246V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 1.234V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: - Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TLV431B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.5% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TLV431BSN1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 1.246V IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 1.234V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: - Eingangsspannung, max.: 16V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TLV431B productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar Anfangsgenauigkeit: 0.5% SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD9L5.0ST5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9LtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 5.4V Durchbruchspannung, max.: 5.4V usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Sperrspannung: 5V euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD9L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 9.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ESD9L5.0ST5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9LtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 5.4V Durchbruchspannung, max.: 5.4V usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW Sperrspannung: 5V euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Betriebsspannung: 5V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: ESD9L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 9.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 24560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SESD9L5.0ST5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SESD9L5.0ST5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-923 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: - Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6806 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4007RLG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.1V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: 1N4007 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 17819 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTH4L022N120M3S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 68A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 352W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVHL160N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 119W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTH4L160N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 111W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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NTH4L080N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVH4L080N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTBG020N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTBG015N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 145A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 500W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| NXH40B120MNQ1SNG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, ModultariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 44A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack euEccn: NLR Verlustleistung: 156W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 32Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Dreifach n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVH4L160N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17.3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 111W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 309 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTBG045N065SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 242W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 242W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTBG080N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVBG160N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 136W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVBG160N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 19.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NVBG080N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: EliteSiC Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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NTBG020N120SC1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 98A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 468W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm |
на замовлення 690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N5259B | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N5259B - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
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SB340 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB340 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AD Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SB productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C |
на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MM3Z36VT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z36VT1G - Zener-Diode, 36 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pins Produktpalette: MM3ZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 36V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 29695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MM3Z36VC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MM3Z36VC - ZENER ARRAY DIODEStariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 441000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM2574N-5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LM2574N-5G - Abwärts-Schaltregler (Buck), fest, 4.7V-40Vin, 5V und 0.5Aout, 63kHz, DIP-8tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Ausgang: Fest Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Durchsteckmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 500mA Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: DIP Nennausgangsspannung: 5V MSL: - usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 52kHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 40V euEccn: NLR Eingangsspannung, min.: 4.75V Topologie: Buck (Abwärts) Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: 5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 500mA Wirkungsgrad: 77% Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC79L05ABDR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC79L05ABDR2G - LDO-Festspannungsregler, 7905, -30Vin, 1.7V Dropout, -5V/100mAout, SOIC-8tariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Nennausgangsspannung: -5V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: -30V euEccn: NLR Polarität: Negativer Ausgang Eingangsspannung, min.: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Ausgangsspannung, nom.: -5V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 100mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.7V Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.7V Betriebstemperatur, max.: 125°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| SB0030-04A | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB0030-04A - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.03A, 40VtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 109582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DFH10TG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFH10TG - DFH10 - RECTIFIER DIODE, 1A, 400VtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 30600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MURD315T4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURD315T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 150VtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DS135AC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DS135AC - RECTIFIER DIODE, 1AtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 267187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DS135AD | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DS135AD - RECTIFIER DIODE, 1AtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 28171 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| M1MA151KT2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - M1MA151KT2 - RECTIFIER DIODE, 0.1AtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| LFB01-CT1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - LFB01-CT1 - RECTIFIER DIODE, 0.15AtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 388000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| M1MA141WKT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - M1MA141WKT1G - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A, 40VtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 199300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DFH10TE | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DFH10TE - RECTIFIER DIODE, 1A, 400VtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 163413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BAT54FSTR | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BAT54FSTR - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.2A, 30VtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| M1MA152AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - M1MA152AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80VtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 18925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| M1MA151WKT2 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - M1MA151WKT2 - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1AtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| MURD310T4 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MURD310T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 100VtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| M1MA151AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - M1MA151AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 40VtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 713752 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SB80-05J | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SB80-05J - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 5A, 50VtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 10497 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| M1MA142KT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - M1MA142KT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80VtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 74500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DAN222T1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DAN222T1 - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A, 80VtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 855000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| HN2D02FUTW1T1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1 - RECTIFIER DIODE, 3 ELEMENT, 0.1A, 85VtariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
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MUR840G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUR840G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 100 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220AC Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.3V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MUR84 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4937G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4937G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 600V AXIALtariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - directShipCharge: 25 usEccn: EAR99 |
на замовлення 6979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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1N4935G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 1N4935G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 200V, AXIALtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: Axial Leaded Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Single Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.2V Sperrverzögerungszeit: 300ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 200V Betriebstemperatur, max.: 150°C directShipCharge: 25 |
на замовлення 2233 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MC33035DWR2G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MC33035DWR2G - Motortreiber/-steuerung, bürstenloser DC-Motor, 10V-30V Versorgungsspannung, 40V/50mA/6 O/P, SOIC-24tariffCode: 85423990 IC-Typ: Motorsteuerung rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Ausgangsstrom: 50mA Motortyp: Bürstenloser DC-Motor Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Ausgangsspannung: 40V Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 30V Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| 1SMB5915BT3G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 26.34 грн |
| 50+ | 17.78 грн |
| 100+ | 10.16 грн |
| 500+ | 8.81 грн |
| 1000+ | 7.48 грн |
| 1SMB5915BT3G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1SMB5915BT3G - Zener-Diode, Universal, 3.9 V, 3 W, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3W
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1SMB59xxBT3G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.9V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 3346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.16 грн |
| 500+ | 8.81 грн |
| 1000+ | 7.48 грн |
| MC78L05ABPG |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC78L05ABPG - Linearer Festspannungsregler, 7805, positiv, 10V bis 30Vin, 5V und 0.1Aout, TO-92-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-92
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
Description: ONSEMI - MC78L05ABPG - Linearer Festspannungsregler, 7805, positiv, 10V bis 30Vin, 5V und 0.1Aout, TO-92-3
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TO-92
Nennausgangsspannung: 5V
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 30V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Eingangsspannung, min.: 10V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 7805 Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: No
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
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| FQD8P10TM-F085 |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 127.87 грн |
| 50+ | 91.46 грн |
| 100+ | 65.29 грн |
| 500+ | 48.68 грн |
| 1000+ | 41.45 грн |
| FQD8P10TM-F085 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - FQD8P10TM-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.53 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.53ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 65.29 грн |
| 500+ | 48.68 грн |
| 1000+ | 41.45 грн |
| NTD4979NT4G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTD4979NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 41 A, 0.0069 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26.3W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0069ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 462897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 22.10 грн |
| ESD8040MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: ESD80
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: ESD80
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| ESD8040MUTAG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: ESD80
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - ESD8040MUTAG - ESD-Schutzbaustein, 12 V, UDFN, 18 Pin(s), 3.3 V, ESD80
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: UDFN
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 12V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 3.3V
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: ESD80
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N5655 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2000+ | 11.60 грн |
| 2N5655G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| TLV431BSN1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 35+ | 24.39 грн |
| 56+ | 15.33 грн |
| 100+ | 13.38 грн |
| 500+ | 11.09 грн |
| 1500+ | 9.51 грн |
| TLV431BSN1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - TLV431BSN1T1G - Spannungsreferenz Shunt - einstellbar, AEC−Q100, 1.24-16V Referenzspannung, ±0.5% Toleranz, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 1.246V
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 1.234V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: -
Eingangsspannung, max.: 16V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TLV431B
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Spannungsreferenz: Shunt, einstellbar
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.38 грн |
| 500+ | 11.09 грн |
| 1500+ | 9.51 грн |
| ESD9L5.0ST5G |
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Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 18.46 грн |
| 67+ | 12.70 грн |
| 151+ | 5.63 грн |
| 500+ | 5.06 грн |
| 1000+ | 4.53 грн |
| 5000+ | 4.17 грн |
| ESD9L5.0ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - ESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 5 V, 150 mW, ESD9L
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 5.4V
Durchbruchspannung, max.: 5.4V
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
Sperrspannung: 5V
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: ESD9L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 9.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.06 грн |
| 1000+ | 4.53 грн |
| 5000+ | 4.17 грн |
| SESD9L5.0ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 29.89 грн |
| 36+ | 23.54 грн |
| 100+ | 14.14 грн |
| 500+ | 11.48 грн |
| 1000+ | 7.07 грн |
| 5000+ | 6.37 грн |
| SESD9L5.0ST5G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SESD9L5.0ST5G - ESD-Schutzbaustein, 9.8 V, SOD-923, 2 Pin(s), 150 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-923
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 9.8V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: -
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.14 грн |
| 500+ | 11.48 грн |
| 1000+ | 7.07 грн |
| 5000+ | 6.37 грн |
| 1N4007RLG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - 1N4007RLG - Diode mit Standard-Erholzeit, 1 kV, 1 A, Einfach, 1.1 V, 30 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-41 (DO-204AL)
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: 1N4007
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 17819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 53+ | 16.01 грн |
| 87+ | 9.74 грн |
| 140+ | 6.07 грн |
| 500+ | 4.14 грн |
| 1000+ | 2.97 грн |
| 2500+ | 2.91 грн |
| NTH4L022N120M3S |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTH4L022N120M3S - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 68 A, 1.2 kV, 0.022 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 68A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.72V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1175.41 грн |
| 5+ | 1033.14 грн |
| 10+ | 890.03 грн |
| 50+ | 825.67 грн |
| NVHL160N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVHL160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17 A, 1.2 kV, 0.162 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 579.24 грн |
| 5+ | 578.39 грн |
| 10+ | 577.54 грн |
| 50+ | 469.45 грн |
| 100+ | 424.63 грн |
| 250+ | 423.90 грн |
| NTH4L160N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NTH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| NTH4L080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 962.01 грн |
| 5+ | 766.39 грн |
| 10+ | 569.92 грн |
| 50+ | 524.50 грн |
| 100+ | 480.52 грн |
| 250+ | 476.17 грн |
| NVH4L080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVH4L080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 29 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.75V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 802.80 грн |
| 5+ | 737.60 грн |
| 10+ | 672.39 грн |
| 50+ | 605.49 грн |
| 100+ | 530.61 грн |
| 250+ | 502.30 грн |
| NTBG020N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2772.55 грн |
| 5+ | 2552.37 грн |
| 10+ | 2332.19 грн |
| 50+ | 2122.36 грн |
| 100+ | 1919.18 грн |
| NTBG015N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTBG015N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 145 A, 650 V, 0.012 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 145A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1999.39 грн |
| NXH40B120MNQ1SNG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8724.98 грн |
| 5+ | 7634.25 грн |
| 10+ | 6325.89 грн |
| 20+ | 5266.19 грн |
| NVH4L160N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVH4L160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 17.3 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.1V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 111W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 551.29 грн |
| 5+ | 543.67 грн |
| 10+ | 536.90 грн |
| 50+ | 491.47 грн |
| 100+ | 444.95 грн |
| 250+ | 437.69 грн |
| NTBG045N065SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTBG045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 62 A, 650 V, 0.031 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 242W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 242W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.031ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 575.85 грн |
| 50+ | 563.99 грн |
| 100+ | 513.49 грн |
| 250+ | 465.28 грн |
| NTBG080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NTBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 837.52 грн |
| 5+ | 755.38 грн |
| 10+ | 673.24 грн |
| 50+ | 593.69 грн |
| 100+ | 538.59 грн |
| 250+ | 527.70 грн |
| NVBG160N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.16ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 1221.14 грн |
| NVBG160N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
Description: ONSEMI - NVBG160N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 19.5 A, 1.2 kV, 0.16 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 19.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1509.07 грн |
| 10+ | 1221.14 грн |
| NVBG080N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 179W
Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 831.60 грн |
| 5+ | 719.81 грн |
| 10+ | 608.03 грн |
| 50+ | 547.30 грн |
| 100+ | 495.04 грн |
| 250+ | 484.88 грн |
| NTBG020N120SC1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
Description: ONSEMI - NTBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2510.03 грн |
| 100+ | 2480.39 грн |
| 500+ | 2276.48 грн |
| 1N5259B |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N5259B - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 1N5259B - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SB340 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB340 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Description: ONSEMI - SB340 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-201AD, 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AD
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SB
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1250+ | 25.07 грн |
| 3750+ | 20.66 грн |
| MM3Z36VT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z36VT1G - Zener-Diode, 36 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z36VT1G - Zener-Diode, 36 V, 300 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pins
Produktpalette: MM3ZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 36V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 29695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.18 грн |
| 1000+ | 1.28 грн |
| 5000+ | 1.02 грн |
| MM3Z36VC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MM3Z36VC - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MM3Z36VC - ZENER ARRAY DIODES
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 441000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.20 грн |
| LM2574N-5G | ![]() |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LM2574N-5G - Abwärts-Schaltregler (Buck), fest, 4.7V-40Vin, 5V und 0.5Aout, 63kHz, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.75V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Wirkungsgrad: 77%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - LM2574N-5G - Abwärts-Schaltregler (Buck), fest, 4.7V-40Vin, 5V und 0.5Aout, 63kHz, DIP-8
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
Ausgang: Fest
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Durchsteckmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 500mA
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: DIP
Nennausgangsspannung: 5V
MSL: -
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 52kHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 40V
euEccn: NLR
Eingangsspannung, min.: 4.75V
Topologie: Buck (Abwärts)
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: 5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 500mA
Wirkungsgrad: 77%
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 859 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 144.81 грн |
| 10+ | 106.70 грн |
| 50+ | 89.76 грн |
| 100+ | 80.21 грн |
| 250+ | 69.39 грн |
| 500+ | 68.01 грн |
| MC79L05ABDR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC79L05ABDR2G - LDO-Festspannungsregler, 7905, -30Vin, 1.7V Dropout, -5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -30V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.7V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC79L05ABDR2G - LDO-Festspannungsregler, 7905, -30Vin, 1.7V Dropout, -5V/100mAout, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Nennausgangsspannung: -5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: -30V
euEccn: NLR
Polarität: Negativer Ausgang
Eingangsspannung, min.: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Ausgangsspannung, nom.: -5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 100mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 1.7V
Typische Dropout-Spannung bei Strom: 1.7V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.92 грн |
| 500+ | 8.89 грн |
| 1000+ | 7.40 грн |
| SB0030-04A |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB0030-04A - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.03A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SB0030-04A - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.03A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 109582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6411+ | 5.07 грн |
| DFH10TG |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFH10TG - DFH10 - RECTIFIER DIODE, 1A, 400V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DFH10TG - DFH10 - RECTIFIER DIODE, 1A, 400V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 30600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 916+ | 35.48 грн |
| MURD315T4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD315T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 150V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MURD315T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 150V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1781+ | 18.29 грн |
| DS135AC |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DS135AC - RECTIFIER DIODE, 1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DS135AC - RECTIFIER DIODE, 1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 267187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3562+ | 9.15 грн |
| DS135AD |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DS135AD - RECTIFIER DIODE, 1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DS135AD - RECTIFIER DIODE, 1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 28171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 9.15 грн |
| M1MA151KT2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA151KT2 - RECTIFIER DIODE, 0.1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - M1MA151KT2 - RECTIFIER DIODE, 0.1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.34 грн |
| LFB01-CT1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - LFB01-CT1 - RECTIFIER DIODE, 0.15A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - LFB01-CT1 - RECTIFIER DIODE, 0.15A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 388000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14000+ | 2.34 грн |
| M1MA141WKT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA141WKT1G - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - M1MA141WKT1G - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 199300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.34 грн |
| DFH10TE |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DFH10TE - RECTIFIER DIODE, 1A, 400V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DFH10TE - RECTIFIER DIODE, 1A, 400V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 163413 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 35.48 грн |
| BAT54FSTR |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BAT54FSTR - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.2A, 30V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BAT54FSTR - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 0.2A, 30V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10684+ | 3.04 грн |
| M1MA152AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA152AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - M1MA152AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.34 грн |
| M1MA151WKT2 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA151WKT2 - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - M1MA151WKT2 - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.34 грн |
| MURD310T4 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MURD310T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 100V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MURD310T4 - RECTIFIER DIODE, 3A, 100V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| M1MA151AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA151AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - M1MA151AT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 40V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 713752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15000+ | 2.34 грн |
| SB80-05J |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SB80-05J - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 5A, 50V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - SB80-05J - RECTIFIER DIODE, SCHOTTKY, 5A, 50V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 10497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 526+ | 61.82 грн |
| M1MA142KT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - M1MA142KT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - M1MA142KT1G - RECTIFIER DIODE, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 74500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9000+ | 4.06 грн |
| DAN222T1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DAN222T1 - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - DAN222T1 - RECTIFIER DIODE, 2 ELEMENT, 0.1A, 80V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 855000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.83 грн |
| HN2D02FUTW1T1 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1 - RECTIFIER DIODE, 3 ELEMENT, 0.1A, 85V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - HN2D02FUTW1T1 - RECTIFIER DIODE, 3 ELEMENT, 0.1A, 85V
tariffCode: 85411000
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| MUR840G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUR840G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR84
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MUR840G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 8 A, Einfach, 1.3 V, 50 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-220AC
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MUR84
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 105.01 грн |
| 18+ | 49.54 грн |
| 1N4937G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4937G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 600V AXIAL
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
Description: ONSEMI - 1N4937G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 600V AXIAL
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 6979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 13.97 грн |
| 100+ | 8.55 грн |
| 106+ | 8.04 грн |
| 500+ | 5.50 грн |
| 1000+ | 3.77 грн |
| 3000+ | 3.48 грн |
| 1N4935G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 1N4935G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 200V, AXIAL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
Description: ONSEMI - 1N4935G - FAST RECOVERY DIODE, 1A, 200V, AXIAL
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: Axial Leaded
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Single
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.2V
Sperrverzögerungszeit: 300ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 80+ | 10.59 грн |
| 118+ | 7.20 грн |
| 129+ | 6.61 грн |
| 500+ | 4.48 грн |
| 1000+ | 3.34 грн |
| MC33035DWR2G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MC33035DWR2G - Motortreiber/-steuerung, bürstenloser DC-Motor, 10V-30V Versorgungsspannung, 40V/50mA/6 O/P, SOIC-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - MC33035DWR2G - Motortreiber/-steuerung, bürstenloser DC-Motor, 10V-30V Versorgungsspannung, 40V/50mA/6 O/P, SOIC-24
tariffCode: 85423990
IC-Typ: Motorsteuerung
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Ausgangsstrom: 50mA
Motortyp: Bürstenloser DC-Motor
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Ausgangsspannung: 40V
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 24Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 30V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 6Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 335.35 грн |
| 10+ | 312.48 грн |
| 25+ | 300.63 грн |
| 50+ | 255.56 грн |
| 100+ | 213.40 грн |
| 250+ | 192.35 грн |























