Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > Всі товари виробника PANJIT INTERNATIONAL INC. (11483) > Сторінка 62 з 192

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 76 95 114 133 152 171 190 192  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A_R1_00001 Panjit International Inc. 2SD1781A.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+6.30 грн
9000+5.97 грн
15000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A_R1_00001 Panjit International Inc. 2SD1781A.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 26091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.51 грн
17+19.60 грн
100+12.36 грн
500+8.67 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9480.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9480.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.83 грн
10+61.07 грн
100+42.56 грн
500+32.14 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5494_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5494_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001 PJD30N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD30N15.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001 PJD30N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD30N15.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.86 грн
10+64.14 грн
100+44.75 грн
500+33.83 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001 PJD40N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N15.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001 PJD40N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N15.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2800_R1_00001 Panjit International Inc. Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2800_R1_00001 Panjit International Inc. Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001 PJT7802_S1_00001 Panjit International Inc. PJT7802.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001 PJT7802_S1_00001 Panjit International Inc. PJT7802.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001 PJX8808_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001 PJX8808_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.73 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
2000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJT138K.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 236mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJT138K.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 236mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.73 грн
41+7.99 грн
100+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1 PJA3416-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3416-AU.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1 PJA3416-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3416-AU.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.70 грн
13+25.82 грн
100+13.03 грн
500+9.97 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6834_S2_00001 PJS6834_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6834.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.75A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7838.pdf Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7838.pdf Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.73 грн
11+30.66 грн
100+19.12 грн
500+12.28 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1 PJW7N06A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJW7N06A-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1 PJW7N06A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJW7N06A-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+63.67 грн
10+53.97 грн
100+41.40 грн
500+30.72 грн
1000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7800.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.53 грн
6000+8.03 грн
9000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7800.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.54 грн
13+26.38 грн
100+13.31 грн
500+11.07 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001 PJX8802_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8802.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001 PJX8802_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8802.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.73 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
2000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001 PJX8806_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.35 грн
8000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001 PJX8806_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.73 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
2000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7802.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7802.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.54 грн
13+26.38 грн
100+13.29 грн
500+11.05 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6806_S1_00001 PJS6806_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6806.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6806_S1_00001 PJS6806_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6806.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+40.21 грн
11+29.53 грн
100+17.72 грн
500+15.40 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9410_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9410_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6816.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6816.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.84 грн
13+26.38 грн
100+18.31 грн
500+13.41 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7812.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7812.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721AC_R1_00001 BAT721AC_R1_00001 Panjit International Inc. BAT721AC.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 400MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721AC_R1_00001 BAT721AC_R1_00001 Panjit International Inc. BAT721AC.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5100_R2_00001 MBR5100_R2_00001 Panjit International Inc. MBR540_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5100_R2_00001 MBR5100_R2_00001 Panjit International Inc. MBR540_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55_R1_00001 SK55_R1_00001 Panjit International Inc. SK52_SERIES.pdf Description: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55_R1_00001 SK55_R1_00001 Panjit International Inc. SK52_SERIES.pdf Description: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2W-AU_R1_000A1 BZX84C8V2W-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84C2V4W-AU_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2TW_R1_00001 BZX84C8V2TW_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C2V4TW_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2W_R1_00001 BZX84C8V2W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C2V4W_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2_R1_00001 BZX84C8V2_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B2V4_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2_R1_00001 BZX84C8V2_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B2V4_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A.pdf
2SD1781A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+7.21 грн
6000+6.30 грн
9000+5.97 грн
15000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A.pdf
2SD1781A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 26091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+33.51 грн
17+19.60 грн
100+12.36 грн
500+8.67 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480.pdf
PJL9480_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480.pdf
PJL9480_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.83 грн
10+61.07 грн
100+42.56 грн
500+32.14 грн
1000+29.58 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5494_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5494_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001 PJD30N15.pdf
PJD30N15_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001 PJD30N15.pdf
PJD30N15_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+98.86 грн
10+64.14 грн
100+44.75 грн
500+33.83 грн
1000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001 PJD40N15.pdf
PJD40N15_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001 PJD40N15.pdf
PJD40N15_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2800_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2800_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001 PJT7802.pdf
PJT7802_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001 PJT7802.pdf
PJT7802_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001 PJX8808.pdf
PJX8808_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001 PJX8808.pdf
PJX8808_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.73 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
2000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K.pdf
PJT138K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 236mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K.pdf
PJT138K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 236mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.73 грн
41+7.99 грн
100+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1 PJA3416-AU.pdf
PJA3416-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1 PJA3416-AU.pdf
PJA3416-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.70 грн
13+25.82 грн
100+13.03 грн
500+9.97 грн
1000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6834_S2_00001 PJS6834.pdf
PJS6834_S2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.75A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+9.41 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 7895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.73 грн
11+30.66 грн
100+19.12 грн
500+12.28 грн
1000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1 PJW7N06A-AU.pdf
PJW7N06A-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1 PJW7N06A-AU.pdf
PJW7N06A-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+63.67 грн
10+53.97 грн
100+41.40 грн
500+30.72 грн
1000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+8.53 грн
6000+8.03 грн
9000+7.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.54 грн
13+26.38 грн
100+13.31 грн
500+11.07 грн
1000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001 PJX8802.pdf
PJX8802_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001 PJX8802.pdf
PJX8802_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 300mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.73 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
2000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001 PJX8806.pdf
PJX8806_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+9.35 грн
8000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001 PJX8806.pdf
PJX8806_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+42.73 грн
13+25.74 грн
100+16.41 грн
500+11.59 грн
1000+10.36 грн
2000+9.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802.pdf
PJT7802_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802.pdf
PJT7802_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+38.54 грн
13+26.38 грн
100+13.29 грн
500+11.05 грн
1000+8.60 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6806_S1_00001 PJS6806.pdf
PJS6806_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6806_S1_00001 PJS6806.pdf
PJS6806_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+40.21 грн
11+29.53 грн
100+17.72 грн
500+15.40 грн
1000+10.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9410_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9410_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816.pdf
PJS6816_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816.pdf
PJS6816_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.25W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-6
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+31.84 грн
13+26.38 грн
100+18.31 грн
500+13.41 грн
1000+10.90 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812.pdf
PJT7812_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812.pdf
PJT7812_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721AC_R1_00001 BAT721AC.pdf
BAT721AC_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 400MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721AC_R1_00001 BAT721AC.pdf
BAT721AC_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 400MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Supplier Device Package: SOT-23
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 400 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5100_R2_00001 MBR540_SERIES.pdf
MBR5100_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5100_R2_00001 MBR540_SERIES.pdf
MBR5100_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55_R1_00001 SK52_SERIES.pdf
SK55_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55_R1_00001 SK52_SERIES.pdf
SK55_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2W-AU_R1_000A1 BZX84C2V4W-AU_SERIES.pdf
BZX84C8V2W-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2TW_R1_00001 BZX84C2V4TW_SERIES.pdf
BZX84C8V2TW_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 Independent
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2W_R1_00001 BZX84C2V4W_SERIES.pdf
BZX84C8V2W_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-323
Power - Max: 200 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2_R1_00001 BZX84B2V4_SERIES.pdf
BZX84C8V2_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2_R1_00001 BZX84B2V4_SERIES.pdf
BZX84C8V2_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Power - Max: 410 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.73 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 19 38 57 58 59 60 61 62 63 64 65 66 67 76 95 114 133 152 171 190 192  [ Наступна Сторінка >> ]