Продукція > PANJIT INTERNATIONAL INC. > Всі товари виробника PANJIT INTERNATIONAL INC. (11235) > Сторінка 58 з 188

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 72 90 108 126 144 162 180 188  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
ES1A_R1_00001 ES1A_R1_00001 Panjit International Inc. ES1A_SERIES.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.53 грн
22+14.40 грн
50+10.33 грн
100+8.45 грн
500+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9110DA-AU_R1_000A1 PBHV9110DA-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PBHV9110DA.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9110DA-AU_R1_000A1 PBHV9110DA-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PBHV9110DA.pdf Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.41 грн
30+10.36 грн
100+6.44 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A_R1_00001 Panjit International Inc. 2SD1781A.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.07 грн
6000+6.17 грн
9000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A_R1_00001 Panjit International Inc. 2SD1781A.pdf Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 16334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.44 грн
16+19.20 грн
100+12.13 грн
500+8.51 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9480.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480_R2_00001 Panjit International Inc. PJL9480.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.61 грн
10+57.67 грн
100+40.19 грн
500+30.35 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5494_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5494_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001 PJD30N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD30N15.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001 PJD30N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD30N15.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.36 грн
10+60.57 грн
100+42.26 грн
500+31.95 грн
1000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001 PJD40N15_L2_00001 Panjit International Inc. PJD40N15.pdf Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2800_R1_00001 Panjit International Inc. Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2800_R1_00001 Panjit International Inc. Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001 PJT7802_S1_00001 Panjit International Inc. PJT7802.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001 PJT7802_S1_00001 Panjit International Inc. PJT7802.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001 PJX8808_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001 PJX8808_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8808.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
13+24.30 грн
100+15.50 грн
500+10.94 грн
1000+9.78 грн
2000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJT138K.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 236mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K_R1_00001 Panjit International Inc. PJT138K.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 236mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+11.08 грн
41+7.54 грн
100+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1 PJA3416-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3416-AU.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1 PJA3416-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. PJA3416-AU.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.60 грн
13+24.38 грн
100+12.30 грн
500+9.42 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6834_S2_00001 PJS6834_S2_00001 Panjit International Inc. PJS6834.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.75A SOT23-6
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7838.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.4A SOT363
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7838.pdf Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.4A SOT363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.90 грн
20+15.92 грн
100+9.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1 PJW7N06A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJW7N06A-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1 PJW7N06A-AU_R2_000A1 Panjit International Inc. PJW7N06A-AU.pdf Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7800.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.06 грн
6000+7.59 грн
9000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7800.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.39 грн
13+24.91 грн
100+12.57 грн
500+10.46 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001 PJX8802_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8802.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001 PJX8802_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8802.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
13+24.30 грн
100+15.50 грн
500+10.94 грн
1000+9.78 грн
2000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001 PJX8806_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.83 грн
8000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001 PJX8806_R1_00001 Panjit International Inc. PJX8806.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.35 грн
13+24.30 грн
100+15.50 грн
500+10.94 грн
1000+9.78 грн
2000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7802.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7802.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.39 грн
13+24.91 грн
100+12.55 грн
500+10.43 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6806_S1_00001 PJS6806_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6806.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6806_S1_00001 PJS6806_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6806.pdf Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.98 грн
11+27.88 грн
100+16.74 грн
500+14.55 грн
1000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9410_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9410_R2_00001 Panjit International Inc. Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6816.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816_S1_00001 Panjit International Inc. PJS6816.pdf Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.06 грн
13+24.91 грн
100+17.29 грн
500+12.67 грн
1000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7812.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812_R1_00001 Panjit International Inc. PJT7812.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721AC_R1_00001 BAT721AC_R1_00001 Panjit International Inc. BAT721AC.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 400MA SOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 400 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1248000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721AC_R1_00001 BAT721AC_R1_00001 Panjit International Inc. BAT721AC.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 400MA SOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 400 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5100_R2_00001 MBR5100_R2_00001 Panjit International Inc. MBR540_SERIES.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55_R1_00001 SK55_R1_00001 Panjit International Inc. SK52_SERIES.pdf Description: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 80000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK55_R1_00001 SK55_R1_00001 Panjit International Inc. SK52_SERIES.pdf Description: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2W-AU_R1_000A1 BZX84C8V2W-AU_R1_000A1 Panjit International Inc. BZX84C2V4W-AU_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOT323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Power - Max: 200 mW
Supplier Device Package: SOT-323
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3252000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2TW_R1_00001 BZX84C8V2TW_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C2V4TW_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT-363
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Power - Max: 200 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 Independent
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3250000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2W_R1_00001 BZX84C8V2W_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84C2V4W_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOT323
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Power - Max: 200 mW
Supplier Device Package: SOT-323
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3252000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2_R1_00001 BZX84C8V2_R1_00001 Panjit International Inc. BZX84B2V4_SERIES.pdf Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOT23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ES1A_R1_00001 ES1A_SERIES.pdf
ES1A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE STANDARD 50V 1A DO214AC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AC, SMA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-214AC (SMA)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 50 V
на замовлення 1577 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.53 грн
22+14.40 грн
50+10.33 грн
100+8.45 грн
500+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9110DA-AU_R1_000A1 PBHV9110DA.pdf
PBHV9110DA-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PBHV9110DA-AU_R1_000A1 PBHV9110DA.pdf
PBHV9110DA-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS PNP 100V 1A SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.25 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+17.41 грн
30+10.36 грн
100+6.44 грн
500+4.44 грн
1000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A.pdf
2SD1781A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+7.07 грн
6000+6.17 грн
9000+5.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SD1781A_R1_00001 2SD1781A.pdf
2SD1781A_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: TRANS NPN 50V 3A SOT-23
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 1.25 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Supplier Device Package: SOT-23
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 140mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
на замовлення 16334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.44 грн
16+19.20 грн
100+12.13 грн
500+8.51 грн
1000+7.58 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480.pdf
PJL9480_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9480_R2_00001 PJL9480.pdf
PJL9480_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+88.61 грн
10+57.67 грн
100+40.19 грн
500+30.35 грн
1000+27.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5494_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ5494_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001 PJD30N15.pdf
PJD30N15_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD30N15_L2_00001 PJD30N15.pdf
PJD30N15_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1764 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 102W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 5A, 10V
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+93.36 грн
10+60.57 грн
100+42.26 грн
500+31.95 грн
1000+29.42 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJD40N15_L2_00001 PJD40N15.pdf
PJD40N15_L2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 150V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2207 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2800_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJQ2800_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001 PJT7802.pdf
PJT7802_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_S1_00001 PJT7802.pdf
PJT7802_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001 PJX8808.pdf
PJX8808_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8808_R1_00001 PJX8808.pdf
PJX8808_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT563
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate, 1.2V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.35 грн
13+24.30 грн
100+15.50 грн
500+10.94 грн
1000+9.78 грн
2000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N04-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K.pdf
PJT138K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 236mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K_R1_00001 PJT138K.pdf
PJT138K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.36A SOT363
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 236mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+11.08 грн
41+7.54 грн
100+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1 PJA3416-AU.pdf
PJA3416-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJA3416-AU_R1_000A1 PJA3416-AU.pdf
PJA3416-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 5.8A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+35.60 грн
13+24.38 грн
100+12.30 грн
500+9.42 грн
1000+6.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6834_S2_00001 PJS6834.pdf
PJS6834_S2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.75A SOT23-6
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 67pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.4A SOT363
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7838_R1_00001 PJT7838.pdf
PJT7838_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 50V 0.4A SOT363
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36pF @ 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.95nC @ 4.5V
на замовлення 4767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
12+26.90 грн
20+15.92 грн
100+9.99 грн
500+6.96 грн
1000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1 PJW7N06A-AU.pdf
PJW7N06A-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJW7N06A-AU_R2_000A1 PJW7N06A-AU.pdf
PJW7N06A-AU_R2_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 34mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1173 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+8.06 грн
6000+7.59 грн
9000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7800_R1_00001 PJT7800.pdf
PJT7800_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 1A SOT363
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 1A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 16525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.39 грн
13+24.91 грн
100+12.57 грн
500+10.46 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001 PJX8802.pdf
PJX8802_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8802_R1_00001 PJX8802.pdf
PJX8802_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.6nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 700mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 92pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 300mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.35 грн
13+24.30 грн
100+15.50 грн
500+10.94 грн
1000+9.78 грн
2000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001 PJX8806.pdf
PJX8806_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4000+8.83 грн
8000+7.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX8806_R1_00001 PJX8806.pdf
PJX8806_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.92nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 9145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+40.35 грн
13+24.30 грн
100+15.50 грн
500+10.94 грн
1000+9.78 грн
2000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802.pdf
PJT7802_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7802_R1_00001 PJT7802.pdf
PJT7802_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.5A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 39pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+36.39 грн
13+24.91 грн
100+12.55 грн
500+10.43 грн
1000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6806_S1_00001 PJS6806.pdf
PJS6806_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6806_S1_00001 PJS6806.pdf
PJS6806_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2661 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.98 грн
11+27.88 грн
100+16.74 грн
500+14.55 грн
1000+9.89 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9410_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJL9410_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816.pdf
PJS6816_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJS6816_S1_00001 PJS6816.pdf
PJS6816_S1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Supplier Device Package: SOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 513pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.25W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
11+30.06 грн
13+24.91 грн
100+17.29 грн
500+12.67 грн
1000+10.30 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJX138K_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT138K-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812.pdf
PJT7812_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PJT7812_R1_00001 PJT7812.pdf
PJT7812_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.5A SOT363
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.87nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721AC_R1_00001 BAT721AC.pdf
BAT721AC_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 400MA SOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 400 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1248000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BAT721AC_R1_00001 BAT721AC.pdf
BAT721AC_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 400MA SOT23
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 650 mV @ 400 mA
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 400mA
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MBR5100_R2_00001 MBR540_SERIES.pdf
MBR5100_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 150pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 800 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SK55_R1_00001 SK52_SERIES.pdf
SK55_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SK55_R1_00001 SK52_SERIES.pdf
SK55_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: SURFACE MOUNT SCHOTTKY BARRIER R
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Part Status: Active
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Supplier Device Package: DO-214AB (SMC)
Current - Average Rectified (Io): 5A
Technology: Schottky
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DO-214AB, SMC
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2W-AU_R1_000A1 BZX84C2V4W-AU_SERIES.pdf
BZX84C8V2W-AU_R1_000A1
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOT323
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Power - Max: 200 mW
Supplier Device Package: SOT-323
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3252000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2TW_R1_00001 BZX84C2V4TW_SERIES.pdf
BZX84C8V2TW_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER ARRAY 8.2V SOT-363
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Power - Max: 200 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-363
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 Independent
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3250000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2W_R1_00001 BZX84C2V4W_SERIES.pdf
BZX84C8V2W_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 8.2V 200MW SOT323
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Power - Max: 200 mW
Supplier Device Package: SOT-323
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3252000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C8V2_R1_00001 BZX84B2V4_SERIES.pdf
BZX84C8V2_R1_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE ZENER 8.2V 410MW SOT23
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 700 nA @ 5 V
Power - Max: 410 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23
Impedance (Max) (Zzt): 15 Ohms
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 8.2 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+2.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 53 54 55 56 57 58 59 60 61 62 63 72 90 108 126 144 162 180 188  [ Наступна Сторінка >> ]