2N5551

2N5551

Код товару: 175303
Виробник: Fair
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT

FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf 2n5551.pdf
в наявності: 0 шт
очікується: 0 шт

Технічний опис 2N5551

Можливі заміни

2N5551 (транзистор біполярний NPN)
2N5551 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 31024
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Транзистори - Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
h21: 250
Монтаж: THT
2N5551.pdf
1596 шт - склад Київ
73 шт - РАДІОМАГ-Київ
188 шт - РАДІОМАГ-Львів
97 шт - РАДІОМАГ-Харків
47 шт - РАДІОМАГ-Одеса
81 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
3+ 2 грн
10+ 1.4 грн
100+ 1 грн

Ціна 2N5551 від 0.91 грн до 50.4 грн

2N5551
Виробник: HOTTECH
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
кількість в упаковці: 1000 шт
FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf 2n5551.pdf
на замовлення 6900 шт
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+ 0.91 грн
2N5551
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N5551-DIO NPN THT transistors
FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf 2n5551.pdf
на замовлення 13810 шт
термін постачання 28-42 дні (днів)
522+ 2.82 грн
799+ 1.71 грн
1012+ 1.35 грн
1324+ 1.03 грн
1341+ 1.02 грн
1945+ 0.96 грн
2N5551
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Material: 2N5551-DIO NPN THT transistors
FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf 2n5551.pdf
на замовлення 13810 шт
термін постачання 7-14 дні (днів)
27+ 2.98 грн
100+ 1.87 грн
500+ 1.42 грн
1000+ 1.09 грн
4000+ 1.02 грн
2N5551
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO-92 160V 600MA
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Packaging: Strip
2n5551.pdf
на замовлення 5796 шт
термін постачання 14-21 дні (днів)
25+ 17.25 грн
50+ 12.03 грн
100+ 10.37 грн
250+ 6.71 грн
500+ 5.79 грн
1000+ 4.83 грн
2000+ 3.18 грн
4000+ 1.88 грн
2N5551
2N5551
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 300
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
2861202.pdf
на замовлення 805 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+ 44.28 грн
21+ 35.39 грн
100+ 25.26 грн
500+ 16.43 грн
2N5551
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, TO-92, 160V, 600mA, NPN
2n5551-2577412.pdf
на замовлення 22377 шт
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+ 50.4 грн
10+ 45.84 грн
100+ 21.8 грн
500+ 13.55 грн
2N5551
Виробник: Diotec
Transistor: NPN, bipolar, 180V, 600mA, 625mW, TO92, Ammo Pack
FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf 2n5551.pdf
на замовлення 568 шт
термін постачання 4 дні (днів)
2N5551
Виробник: ----
NPN, Uкэ=160V, Iк=0.6A, 0.625Вт, 100МГц, TO-92 2N5551-(to-92)
FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf 2n5551.pdf
на замовлення 1430 шт
термін постачання 4 дні (днів)
2N5551
Виробник: CDIL
Material: 2N5551-CDI NPN THT transistors
FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf 2n5551.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: NTE Electronics, Inc
Description: T-NPN SI- HIV AMP
Power - Max: 625 mW
Packaging: Bag
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-92
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
2N5550_1.pdf
на замовлення 3384 шт
термін постачання 14-21 дні (днів)
2N5551
2N5551
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN
2N5551_D-1801438.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: ON Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT 600mA 180V NPN
2N5551_D-1801438.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
2N5550%20Rev4.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: NXP Semiconductors
Bipolar Transistors - BJT TRANS HV BULK STR LEAD
2N5550_5551_4-60942.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Power - Max: 625 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Bulk
FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
Виробник: Rectron
Bipolar Transistors - BJT TO-92 NPN 0.6A 160V HighVol
Rectron_11_30_2020_2N5551-1951896.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
2n5551.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
2n5551.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
22n5551.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 80
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 625
Übergangsfrequenz ft: 150
Bauform - Transistor: TO-92
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 160
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 600
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
22n5551.pdf
на замовлення 2023 шт
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5551
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
22n5551.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик
2N5551
Виробник: CDIL
Material: 2N5551-CDI NPN THT transistors
FAIRS24024-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 2N5550%20Rev4.pdf 2N5550_1.pdf 2n5551.pdf
товар відсутній, Ви можете зробити запит додавши товар у кошик

З цим товаром купують

22 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-22R-Hitano)
Код товару: 11070
CR-S_080911.pdf
22 Ohm 5% 0,25W вив. (CR025SJTB-22R-Hitano)
Виробник: Hitano
Вивідні резистори - 0,25W
Номінал: 22 Ohm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 3,2х1,6 mm; Dвів = 0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
1795 шт - склад Київ
3110 шт - РАДІОМАГ-Київ
8 шт - РАДІОМАГ-Львів
362 шт - РАДІОМАГ-Харків
480 шт - РАДІОМАГ-Одеса
395 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
10+ 0.7 грн
100+ 0.55 грн
1000+ 0.4 грн
Можливі заміни
22 Ohm 5% 0,25W
Код товару: 87118
2N5401
Код товару: 4034
2N5401.pdf
2N5401
Виробник: Farchild Semiconductor
Транзистори - Біполярні PNP
Корпус: TO-92
fT: 400 MHz
Uке, В: 150 V
Uкб, В: 160 V
Iк, А: 0,6 A
h21,max: 400
на замовлення 57737 шт - ціна та термін постачання
Аналог
2N5401
Код товару: 177484
47uF 16V EHR 5x11mm (EHR470M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 3035
EHR_081225.pdf
47uF 16V EHR 5x11mm (EHR470M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори - Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EHR
Опис: загального призначення з широким діапазоном температур 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
6011 шт - склад Київ
494 шт - РАДІОМАГ-Київ
485 шт - РАДІОМАГ-Львів
487 шт - РАДІОМАГ-Одеса
463 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+ 1.5 грн
10+ 1.1 грн
100+ 0.7 грн
1000+ 0.59 грн
10uF 16V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR100M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Код товару: 2706
EMR_080514.pdf
10uF 16V EMR 4x7mm (Super miniature size) (EMR100M16B-Hitano) (електролітичний конденсатор)
Виробник: Hitano
Конденсатори - Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 16 V
Серія: EMR
Опис: супермініатюрні, 105С
Темп.діап.: -40...+105°C
Габарити: 4х7mm
Строк життя: 1000 годин
208 шт - склад Київ
899 шт - РАДІОМАГ-Київ
244 шт - РАДІОМАГ-Львів
187 шт - РАДІОМАГ-Одеса
268 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4+ 1.5 грн
10+ 1.1 грн
100+ 0.7 грн
1000+ 0.5 грн