
2N7000 CJ

Код товару: 200238
Виробник: CJКорпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності 1445 шт:
1047 шт - склад
76 шт - РАДІОМАГ-Київ
129 шт - РАДІОМАГ-Львів
193 шт - РАДІОМАГ-Харків
Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 3.00 грн |
10+ | 2.50 грн |
100+ | 2.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N7000 CJ
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7000 Код товару: 20638
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP |
![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
у наявності: 362 шт
294 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ 43 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
Інші пропозиції 2N7000 за ціною від 1.87 грн до 62.40 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
2N7000 Код товару: 20638
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP |
![]() Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
у наявності: 362 шт
294 шт - склад
25 шт - РАДІОМАГ-Київ 43 шт - РАДІОМАГ-Харків |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 80010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk |
на замовлення 4145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 4145 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 4534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 8250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 27168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 132326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 14510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 9973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 62695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9973 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 82009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk |
на замовлення 5432 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 82009 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 52880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 43984 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 125514 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 90665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5432 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LGE |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 Код товару: 182880
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
![]() Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
![]() ![]() ![]() кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Fairchild Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 301 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
2N7000 |
![]() ![]() ![]() |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
2N7000 |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diodes Incorporated |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Vishay / Siliconix |
![]() ![]() ![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
1,0 kOhm 1% 0,25W вив. (MFR025FTB-1KR – Hitano) Код товару: 150096
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
у наявності: 97 шт
82 шт - РАДІОМАГ-Львів
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
15 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.00 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.70 грн |
TL431ACLP Код товару: 26293
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: TO-92
Короткий опис: Adjustable precision shunt regulators
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: TO-92
Короткий опис: Adjustable precision shunt regulators
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
у наявності: 2395 шт
2110 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
98 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
98 шт - РАДІОМАГ-Харків
100 шт - РАДІОМАГ-Одеса
44 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 6.00 грн |
10+ | 5.00 грн |
100+ | 4.30 грн |
1000+ | 3.70 грн |
BS170-D26Z Код товару: 143717
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 2032 шт
1921 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
18 шт - РАДІОМАГ-Львів
37 шт - РАДІОМАГ-Харків
20 шт - РАДІОМАГ-Одеса
16 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 7.50 грн |
10+ | 6.80 грн |
100+ | 6.20 грн |
1000+ | 5.50 грн |
10 kOhm 1% 0,25W вив. (MFR025FTB-10KR – Hitano) Код товару: 169934
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
у наявності: 3042 шт
407 шт - РАДІОМАГ-Київ
120 шт - РАДІОМАГ-Львів
430 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2085 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
120 шт - РАДІОМАГ-Львів
430 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2085 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
10000 шт
10000 шт - очікується
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.00 грн |
100+ | 0.80 грн |
1000+ | 0.70 грн |
1N4007 Код товару: 176822
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 63685 шт
55861 шт - склад
369 шт - РАДІОМАГ-Київ
360 шт - РАДІОМАГ-Львів
3866 шт - РАДІОМАГ-Харків
548 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2681 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
369 шт - РАДІОМАГ-Київ
360 шт - РАДІОМАГ-Львів
3866 шт - РАДІОМАГ-Харків
548 шт - РАДІОМАГ-Одеса
2681 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 1.00 грн |
17+ | 0.60 грн |
100+ | 0.50 грн |