2N7000 ST
Код товару: 182880
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: ST
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,32 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4
Монтаж: THT
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N7000 ST
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7000 Код товару: 200238
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : CJ |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ Монтаж: THT |
у наявності: 1812 шт
1532 шт - склад
180 шт - РАДІОМАГ-Київ 100 шт - РАДІОМАГ-Львів |
|
||||||||||
|
2N7000 Код товару: 20638
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
у наявності: 1845 шт
1845 шт - склад
|
|
Інші пропозиції 2N7000 за ціною від 2.11 грн до 96.33 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
2N7000 | Виробник : ZEHUA |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEHкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 fкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGEкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTECкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2APackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk |
на замовлення 800 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 92409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 6244 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 6244 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 127976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 27168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 26500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 5576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
на замовлення 17982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 21725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 92409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 21736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3871 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk |
на замовлення 1365 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : onsemi |
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92 |
на замовлення 66313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 35535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2N7000 |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V 0.2A 0.4W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : Diotec |
N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 5Ohm |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : On Semiconductor |
N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : JSCJ |
N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : LGE |
N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : Vishay |
N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : STM |
N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : ONS/FAI |
N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : NXP |
N-кан. MOSFET 60V, 0.2A, 0.35Вт, TO-92 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 220 kOhm 5% 0,25W Код товару: 87119
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Cinetech
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 220 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6,5х2,3 mm; Dвів = 0,5 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 220 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6,5х2,3 mm; Dвів = 0,5 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 2730 шт
2730 шт - РАДІОМАГ-Київ
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 1,1 kOhm 5% 0,25W Код товару: 87085
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Cinetech
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1,1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6,5х2,3 mm; Dвів = 0,5 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1,1 kOhm
Точність: ±5%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6,5х2,3 mm; Dвів = 0,5 mm
Тип: вугільно-плівкові
у наявності: 129 шт
129 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| Флюс F3 90мл Код товару: 23091
9
Додати до обраних
Обраний товар
|
Паяльне обладнання, витратні матеріали для пайки > Флюси для пайки
Категорія: Флюс нейтральний
Опис: Флюс F3, 90 мл, Флюс активований безкислотний; для пайки друкованих плат, контактів, роз'ємів, сталі, цинку. Склад: спирт, каніфоль, діетиламінхлорид, тріетаноламін; безпечний для радіокомпонентів.
Вага/Об’єм/К-сть: 90 ml
Рідкий
Категорія: Флюс нейтральний
Опис: Флюс F3, 90 мл, Флюс активований безкислотний; для пайки друкованих плат, контактів, роз'ємів, сталі, цинку. Склад: спирт, каніфоль, діетиламінхлорид, тріетаноламін; безпечний для радіокомпонентів.
Вага/Об’єм/К-сть: 90 ml
Рідкий
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 90.00 грн |
| 10+ | 83.70 грн |
| PC817C Код товару: 18420
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 3.90 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |
| PC817A Код товару: 18418
8
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 10710 шт
9935 шт - склад
307 шт - РАДІОМАГ-Київ
186 шт - РАДІОМАГ-Львів
57 шт - РАДІОМАГ-Харків
225 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
307 шт - РАДІОМАГ-Київ
186 шт - РАДІОМАГ-Львів
57 шт - РАДІОМАГ-Харків
225 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1000+ | 3.40 грн |











