2N7000 CJ
Код товару: 200238
Виробник: CJКорпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,2 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності 631 шт:
150 шт - склад
137 шт - РАДІОМАГ-Київ
75 шт - РАДІОМАГ-Львів
123 шт - РАДІОМАГ-Харків
146 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 3.00 грн |
| 16+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N7000 CJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7000 Код товару: 20638
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
у наявності: 1052 шт
596 шт - склад
138 шт - РАДІОМАГ-Київ 100 шт - РАДІОМАГ-Львів 50 шт - РАДІОМАГ-Харків 168 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
Інші пропозиції 2N7000 за ціною від 1.95 грн до 73.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7000 Код товару: 20638
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : NXP |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,3 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
у наявності: 1052 шт
596 шт - склад
138 шт - РАДІОМАГ-Київ 100 шт - РАДІОМАГ-Львів 50 шт - РАДІОМАГ-Харків 168 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 1832 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2APackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 15285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: bulk кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 4534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 15285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15285 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 128226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 27168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 31500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
на замовлення 24956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 5178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 101451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 39408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk |
на замовлення 3424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 101451 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3424 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : onsemi |
MOSFETs N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 60V, 200mA, 5 ohm |
на замовлення 58505 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 41789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150CPackaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 48778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 39408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3Packaging: Strip Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 7340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : ZEHUA |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEHкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 fкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGEкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGEкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTECкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTECкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||||
|
2N7000 Код товару: 182880
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||||
| 2N7000 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
| 2N7000 |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
MOSFETs N-Ch 60 Volt 0.35 A |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Vishay / Siliconix |
MOSFETs 60V 0.2A 0.4W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 60V 5Ohm |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFETs |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
|
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товару немає в наявності |
З цим товаром купують
| 1,0 kOhm 1% 0,25W вив. (MFR025FTB-1KR – Hitano) Код товару: 150096
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
у наявності: 8078 шт
7618 шт - склад
460 шт - РАДІОМАГ-Львів
460 шт - РАДІОМАГ-Львів
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| TL431ACLP Код товару: 26293
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
![]() |
Виробник: TI
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: TO-92
Короткий опис: Adjustable precision shunt regulators
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
Мікросхеми > Супервізори напруги, контролери заряду
Корпус: TO-92
Короткий опис: Adjustable precision shunt regulators
Напруга: 36 V
Темп.діапазон: -40…+85°C
Монтаж: THT
Тип пристрою: Джерело опорної напруги
у наявності: 1691 шт
1622 шт - склад
66 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
66 шт - РАДІОМАГ-Харків
3 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 6.00 грн |
| 10+ | 5.00 грн |
| 100+ | 4.30 грн |
| 1000+ | 3.70 грн |
| BS170-D26Z Код товару: 143717
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Uds,V: 60 V
Idd,A: 0,5 A
Rds(on), Ohm: 5,5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 1243 шт
1166 шт - склад
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
20 шт - РАДІОМАГ-Київ
17 шт - РАДІОМАГ-Харків
40 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.80 грн |
| 100+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |
| 10 kOhm 1% 0,25W вив. (MFR025FTB-10KR – Hitano) Код товару: 169934
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 10 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
у наявності: 5300 шт
500 шт - РАДІОМАГ-Львів
4740 шт - РАДІОМАГ-Харків
60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4740 шт - РАДІОМАГ-Харків
60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
30300 шт
300 шт - очікується
30000 шт - очікується
30000 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.80 грн |
| 1000+ | 0.70 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
у наявності: 72256 шт
62312 шт - склад
1769 шт - РАДІОМАГ-Київ
5538 шт - РАДІОМАГ-Львів
1021 шт - РАДІОМАГ-Харків
1616 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1769 шт - РАДІОМАГ-Київ
5538 шт - РАДІОМАГ-Львів
1021 шт - РАДІОМАГ-Харків
1616 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 1.00 грн |
| 50+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |















