2N7000 NXP
Код товару: 20638
Виробник: NXPUds,V: 60 V
Idd,A: 0,3 A
Rds(on), Ohm: 5 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
очікується 2000 шт:
2000 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4 грн |
10+ | 3.6 грн |
100+ | 3.2 грн |
1000+ | 2.8 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N7000 NXP
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7000 Код товару: 182880 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
Інші пропозиції 2N7000 за ціною від 1.9 грн до 62.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N7000 Код товару: 200238 |
Виробник : CJ |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,2 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 60/ Монтаж: THT |
у наявності: 1334 шт
|
|
|||||||||||||||||
2N7000 Код товару: 182880 |
Виробник : ST |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-92 Uds,V: 60 V Idd,A: 0,32 A Rds(on), Ohm: 5 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 43/1,4 Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 136000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 37320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced |
на замовлення 37300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LUGUANG ELECTRONIC |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 On-state resistance: 7.5Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5470 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 37300 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Electronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 1870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | MOSFET MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
на замовлення 8114 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 141048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V |
на замовлення 2212 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET Small Signal MOSFET 60V 200mA 5 Ohm Single N-Channel TO-92 |
на замовлення 35021 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 5450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 400mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Spannung Vds: 60V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 |
на замовлення 928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 6870 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LGE |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : DIOTEC |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 2N7000-DIO 2N7000 DIOTEC T2N7000 DIOTEC кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Fairchild Semiconductor | Транз. Пол. MOSFET N-CH 60V 0.2A TO-92 |
на замовлення 311 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : NTE Electronics, Inc. | N-Ch, Enhancement Mode Field Effect Transistor |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Fairchild/ON Semiconductor | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 200 мА; Ptot, Вт = 0,4; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25; Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА; TO-92-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : LGE | Tranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N7000 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±18V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 60 Volt 0.35 A |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Vishay / Siliconix | MOSFET 60V 0.2A 0.4W |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Microchip Technology | MOSFET 60V 5Ohm |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : Diotec Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Technology: DMOS Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
2N7000 | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
товар відсутній |
З цим товаром купують
47uF 50V ECR 6,3x11mm (ECR470M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3509 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 47 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 6х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 8307 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.1 грн |
100+ | 0.9 грн |
1000+ | 0.7 грн |
GNL-5013IRAB G-Nor (ІЧ-світлодіод) Код товару: 23045 |
Виробник: G-Nor
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Опис: ІЧ-світлодіод 940нм, 30 °, 7мВт, 1.5В, 30мА, 5мм
Розмір: 5 mm
Напруга: 1,5 V
Кут: 30°
Монтаж: THT
Довжина хвилі: 940 нм
Світлодіоди > Світлодіоди інфрачервоні
Опис: ІЧ-світлодіод 940нм, 30 °, 7мВт, 1.5В, 30мА, 5мм
Розмір: 5 mm
Напруга: 1,5 V
Кут: 30°
Монтаж: THT
Довжина хвилі: 940 нм
у наявності: 2552 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3.5 грн |
10+ | 3.1 грн |
100+ | 2.6 грн |
1000+ | 2.2 грн |
1N4148 Код товару: 176824 |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 8 ns
у наявності: 7983 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 0.6 грн |
100+ | 0.4 грн |
1000+ | 0.28 грн |
10uF 25V ECR 5x11mm (ECR100M25B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 1245 |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 25 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 4561 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 1.5 грн |
10+ | 1.1 грн |
100+ | 0.7 грн |
1000+ | 0.5 грн |
10nF 50V X7R 5% 0805 4k/reel (C0805B103J500NT-Hitano) (конденсатор керамічний SMD) Код товару: 1193 |
Виробник: Hitano
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
Керамічні SMD конденсатори > 0805
Ємність: 10 nF
Номін.напруга: 50 V
Діелектрик: X7R
Точність: ±5% J
Типорозмір: 0805
у наявності: 1667 шт
очікується:
8000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.7 грн |
100+ | 0.6 грн |
1000+ | 0.5 грн |