2N7000 CJ
Код товару: 200238
4
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: CJ
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.20 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Можливі заміни 2N7000 CJ
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7000 Код товару: 20638
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
NXP |
Транзистори > Польові N-канальніКорпус: TO-92 Напруга сток-витік Uds, В: 60 В Струм стоку Idd, А: 0,3 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/- Монтаж: THT |
у наявності: 1648 шт
|
|
| 2N7000 Код товару: 20638
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: NXP
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,3 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/-
Монтаж: THT
у наявності: 1648 шт
- 1648 шт - склад
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 4.00 грн |
| 10+ | 3.60 грн |
| 100+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.80 грн |
Інші пропозиції 2N7000 за ціною від 2.09 грн до 68.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 81666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 91906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 3491 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | ZEHUA |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEHкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 fкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGEкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | DIOTEC |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTECкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2APackaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 8616 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 127976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 27168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Power dissipation: 0.35W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 8516 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 24840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2APackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V |
на замовлення 936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 91906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | ONSEMI |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A Pulsed drain current: 0.5A Power dissipation: 0.4W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Technology: DMOS Kind of package: bulk |
на замовлення 987 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | onsemi |
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C |
на замовлення 96507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 81736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3 |
на замовлення 3161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
2N7000 | Diotec Semiconductor |
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N |
на замовлення 10481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7000 | onsemi |
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92 |
на замовлення 103965 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7000 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V Verlustleistung: 400mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 33410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
2N7000 | DIOTEC |
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm |
на замовлення 11825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7000 | Fairchild/ON Semiconductor |
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шткількість в упаковці: 2000 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
| 2N7000 |
|
на замовлення 7500 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 81666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 461+ | 30.53 грн |
| 1356+ | 10.37 грн |
| 1369+ | 10.27 грн |
| 1448+ | 9.36 грн |
| 2000+ | 8.57 грн |
| 5000+ | 8.15 грн |
| 10000+ | 8.07 грн |
| 50000+ | 7.91 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 91906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 46.83 грн |
| 24+ | 31.84 грн |
| 100+ | 10.42 грн |
| 500+ | 9.95 грн |
| 1000+ | 8.71 грн |
| 2000+ | 8.28 грн |
| 5000+ | 8.20 грн |
| 10000+ | 8.12 грн |
| 50000+ | 7.96 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 3491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ZEHUA
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 5,3Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N7000BU; 2N7000G; 2N7000-G; 2N7000,126; 2N7000 ZEHUA T2N7000 ZEH
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.09 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.26 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.30 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 60V; 20V; 9Ohm; 200mA; 400mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7000-DIO; 2N7000 T2N7000 DIOTEC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 300+ | 2.64 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 3.91 грн |
| 8000+ | 3.39 грн |
| 12000+ | 3.20 грн |
| 20000+ | 2.80 грн |
| 28000+ | 2.68 грн |
| 40000+ | 2.57 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 6.71 грн |
| 8000+ | 5.55 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 8616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1642+ | 8.56 грн |
| 1793+ | 7.84 грн |
| 2000+ | 7.15 грн |
| 4000+ | 6.20 грн |
| 8000+ | 5.10 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 127976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2442+ | 14.39 грн |
| 10000+ | 12.83 грн |
| 100000+ | 10.75 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 27168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2442+ | 14.39 грн |
| 10000+ | 12.83 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; 0.35W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 8516 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 15.08 грн |
| 38+ | 11.04 грн |
| 44+ | 9.55 грн |
| 100+ | 5.60 грн |
| 500+ | 4.70 грн |
| 1000+ | 4.32 грн |
| 2000+ | 3.93 грн |
| 4000+ | 3.53 грн |
| 8000+ | 3.15 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 17.19 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 24840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 790+ | 17.80 грн |
| 1000+ | 15.96 грн |
| 2500+ | 15.38 грн |
| 5000+ | 14.27 грн |
| 10000+ | 12.82 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
Description: MOSFET TO-92 60V 0.2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-92
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60 pF @ 25 V
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 16+ | 19.24 грн |
| 26+ | 11.71 грн |
| 100+ | 7.28 грн |
| 500+ | 5.03 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 27.85 грн |
| 46+ | 16.62 грн |
| 100+ | 10.76 грн |
| 500+ | 7.64 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 30.83 грн |
| 100+ | 10.62 грн |
| 500+ | 10.52 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 456+ | 30.83 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 91906 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 442+ | 31.84 грн |
| 1348+ | 10.42 грн |
| 1362+ | 10.32 грн |
| 1440+ | 9.41 грн |
| 2000+ | 8.63 грн |
| 5000+ | 8.20 грн |
| 10000+ | 8.12 грн |
| 50000+ | 7.96 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.5A; 0.4W; TO92
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
Pulsed drain current: 0.5A
Power dissipation: 0.4W
Case: TO92
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: DMOS
Kind of package: bulk
на замовлення 987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 38.14 грн |
| 14+ | 29.48 грн |
| 16+ | 26.03 грн |
| 100+ | 15.48 грн |
| 200+ | 13.34 грн |
| 500+ | 11.12 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Description: MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
на замовлення 96507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.87 грн |
| 12+ | 26.02 грн |
| 100+ | 16.63 грн |
| 500+ | 11.82 грн |
| 1000+ | 10.60 грн |
| 2000+ | 9.57 грн |
| 5000+ | 8.32 грн |
| 10000+ | 7.64 грн |
| 50000+ | 6.54 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
Trans MOSFET N-CH 60V 0.2A 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 81736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 45.14 грн |
| 25+ | 30.70 грн |
| 100+ | 10.42 грн |
| 500+ | 9.95 грн |
| 1000+ | 8.71 грн |
| 2000+ | 8.28 грн |
| 5000+ | 8.20 грн |
| 10000+ | 8.11 грн |
| 50000+ | 7.96 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
Description: MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, N, 0.3
на замовлення 3161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 68.51 грн |
| 10+ | 41.36 грн |
| 100+ | 27.02 грн |
| 500+ | 19.56 грн |
| 1000+ | 17.69 грн |
| 2000+ | 16.12 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Diotec Semiconductor
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
MOSFETs MOSFET, TO-92, 60V, 0.2A, 150C, N
на замовлення 10481 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: onsemi
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
MOSFETs FET 60V 5.0 OHM TO92
на замовлення 103965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: ONSEMI - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 33410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: DIOTEC
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
Description: DIOTEC - 2N7000 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5ohm
на замовлення 11825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 200 мА, Ptot, Вт = 0,4, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 50 @ 25, Rds = 5 Ом @ 500 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 3 @ 1000 мкА,... Транзистори Корпус: TO-92-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 30.66 грн |
З цим товаром купують
| BS170-D26Z Код товару: 143717
3
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ON
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-92
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 0,5 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 5,5 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 60/
Монтаж: THT
у наявності: 523 шт
- 423 шт - склад
- 80 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 7.50 грн |
| 10+ | 6.80 грн |
| 100+ | 6.20 грн |
| 1000+ | 5.50 грн |
| 1N4148 Код товару: 176824
13
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: ST
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Зворотна напруга Vrr, В: 100 В
Середній струм Iav, А: 0,15 А
Час зворотного відновлення Trr, ns: 8 ns
Монтаж: THT
у наявності: 21055 шт
- 16168 шт - склад
- 674 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 300 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 3913 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується: 1000 шт
- 1000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 34+ | 0.60 грн |
| 100+ | 0.40 грн |
| 1000+ | 0.28 грн |
| 2N2222 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 4035
6
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Fairchild
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 250 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
Гранична частота fT: 250 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 60 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 60 В
Струм колектора Ic, А: 0,8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 300
Монтаж: THT
у наявності: 5590 шт
- 5407 шт - склад
- 165 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 16+ | 1.30 грн |
| 100+ | 1.00 грн |
| 1 kOhm 5% 0,25W вивів. (CR025SJTB-1K-Hitano) Код товару: 11106
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 кОм
Точність: ±5%
Номінальна потужність, Вт: 0,25 Вт
Робоча напруга, В: 250 В
Габарити: 3,2x1,6 mm; Dвив=0,45 mm
Тип: вугільно-плівкові
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
- 40000 шт - очікується 10.08.2026
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 30+ | 0.70 грн |
| 100+ | 0.55 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |
| 1N4007 Код товару: 176822
17
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., В: 1000 В
Iвипр., А: 1 А
Опис: Випрямний
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 В
у наявності: 56100 шт
- 49946 шт - склад
- 682 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 3809 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 1446 шт - РАДІОМАГ-Харків
- 217 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 25+ | 0.80 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.45 грн |
















