на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 183+ | 67.67 грн |
| 232+ | 53.26 грн |
| 245+ | 50.46 грн |
| 500+ | 41.44 грн |
| 1000+ | 34.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 2SB906-Y(TE16L1,NQ) Toshiba
Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V, Frequency - Transition: 9MHz, Supplier Device Package: PW-MOLD, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 1 W.
Інші пропозиції 2SB906-Y(TE16L1,NQ) за ціною від 35.66 грн до 97.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
2SB906-Y(TE16L1,NQ | Виробник : Toshiba |
 Bipolar Transistors - BJT Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR PW-MOLD PC=20W F=9MHZ |
на замовлення 1882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
2SB906-Y(TE16L1,NQ) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2SB906-Y(TE16L1,NQ) | Виробник : Toshiba |
Trans GP BJT PNP 60V 3A 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
2SB906-Y(TE16L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 9MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
2SB906-Y(TE16L1,NQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PNP 60V 3A PW-MOLD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.7V @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 9MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1 W |
товару немає в наявності |