Продукція > TOSHIBA > 2SC4793(F,M)

2SC4793(F,M) Toshiba

2SC4793.pdf
Виробник: Toshiba
TO-220FP-3, NPN, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=100MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис 2SC4793(F,M) Toshiba

Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA, Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: TO-220NIS, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V, Power - Max: 2 W.

Інші пропозиції 2SC4793(F,M)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
2SC4793(F,M) Toshiba 2SC4793_Rev2006.pdf Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4793(F,M) 2SC4793(F,M) Toshiba Semiconductor and Storage 2SC4793_Rev2006.pdf Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4793 (F,M) onsemi / Fairchild Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4793(F,M) 2SC4793_Rev2006.pdf
Виробник: Toshiba
Транзистор NPN (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=100MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SA1837.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4793(F,M) 2SC4793_Rev2006.pdf
2SC4793(F,M)
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC4793 (F,M)
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.