3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: RF MOSFET 6V USQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Current Rating (Amps): 30mA
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 800MHz
Configuration: N-Channel Dual Gate
Gain: 22dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Noise Figure: 2.5dB
Supplier Device Package: USQ
Part Status: Not For New Designs
Voltage - Rated: 12.5 V
Voltage - Test: 6 V
Current - Test: 10 mA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.61 грн |
| 6000+ | 11.17 грн |
| 9000+ | 10.58 грн |
| 15000+ | 9.44 грн |
| 21000+ | 9.12 грн |
| 30000+ | 8.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V USQ, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-82A, SOT-343, Current Rating (Amps): 30mA, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 800MHz, Configuration: N-Channel Dual Gate, Gain: 22dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Noise Figure: 2.5dB, Supplier Device Package: USQ, Part Status: Not For New Designs, Voltage - Rated: 12.5 V, Voltage - Test: 6 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції 3SK293(TE85L,F) за ціною від 9.27 грн до 40.59 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3SK293(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin USQ T/R |
на замовлення 6786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
3SK293(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
RF MOSFET Transistors N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V |
на замовлення 5415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
3SK293(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF MOSFET 6V USQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 800MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Gain: 22dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.5dB Supplier Device Package: USQ Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 12.5 V Voltage - Test: 6 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 32659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| 3SK293 (TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Transistor N-Channel MOSFET; 12,5V; 8V; 30mA; 100mW; -55°C ~ 125°C; 3SK293(TE85L,F) 3SK293 T3SK293 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
3SK293(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin USQ T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
3SK293(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 12.5V 0.03A 4-Pin USQ T/R |
товару немає в наявності |