3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V USQ
Gain: 22dB
Configuration: N-Channel Dual Gate
Frequency: 800MHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 30mA
Package / Case: SC-82A, SOT-343
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Test: 10 mA
Voltage - Test: 6 V
Voltage - Rated: 12.5 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: USQ
Noise Figure: 2.5dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 12.54 грн |
| 6000+ | 11.11 грн |
| 9000+ | 10.52 грн |
| 15000+ | 9.39 грн |
| 21000+ | 9.06 грн |
| 30000+ | 8.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис 3SK293(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage
Description: RF MOSFET 6V USQ, Gain: 22dB, Configuration: N-Channel Dual Gate, Frequency: 800MHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 30mA, Package / Case: SC-82A, SOT-343, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Test: 10 mA, Voltage - Test: 6 V, Voltage - Rated: 12.5 V, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: USQ, Noise Figure: 2.5dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide).
Інші пропозиції 3SK293(TE85L,F) за ціною від 8.86 грн до 40.35 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
3SK293 (TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
Transistor N-Channel MOSFET; 12,5V; 8V; 30mA; 100mW; -55°C ~ 125°C; 3SK293(TE85L,F) 3SK293 T3SK293 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
3SK293(TE85L,F) | Виробник : Toshiba |
RF MOSFET Transistors N-Ch High Freq 30mA 0.1W 12.5V |
на замовлення 5415 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
3SK293(TE85L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF MOSFET 6V USQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-82A, SOT-343 Current Rating (Amps): 30mA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 800MHz Configuration: N-Channel Dual Gate Gain: 22dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Noise Figure: 2.5dB Supplier Device Package: USQ Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 12.5 V Voltage - Test: 6 V Current - Test: 10 mA |
на замовлення 32659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|