IRF1404PBF
Код товару: 31360
Виробник: IRUds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності 834 шт:
767 шт - склад
23 шт - РАДІОМАГ-Київ
16 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
7 шт - РАДІОМАГ-Одеса
11 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується 3 шт:
3 шт - очікується
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48 грн |
10+ | 44 грн |
100+ | 39.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1404PBF за ціною від 42.72 грн до 171.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 288588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 288588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 162A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4mΩ Mounting: THT Gate charge: 160nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 202A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 202A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 121A, 10V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 196 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5669 pF @ 25 V |
на замовлення 2262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET 40V 202A 4mOhm 160nC |
на замовлення 2020 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 273 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 162 A, 0.004 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 162A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.004ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 10310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : International Rectifier Corporation | TO-220 |
на замовлення 269 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF1404PBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 202A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
IRF3205PBF Код товару: 25094 |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 13451 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 29 грн |
100+ | 28 грн |
1000+ | 27 грн |
IRFZ44NPBF Код товару: 35403 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 49 A
Rds(on), Ohm: 0,024 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 1586 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 20 грн |
10+ | 17.9 грн |
100+ | 16 грн |
LM358N Код товару: 181180 |
Виробник: HGSEMI
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 2 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0…+70°C
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
Мікросхеми > Операційні підсилювачі
Корпус: DIP-8
Vc, V: 3…32 V
BW,MHz: 0,7 MHz
Vio,mV(напр.зміщ.): 2 mV
Швидк.Зрост.,В/мкс: 0,3 V/µs
Температурний діапазон: 0…+70°C
К-сть каналів: 2
Монтаж: THT
у наявності: 501 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9 грн |
10+ | 8 грн |
100+ | 7.2 грн |
BZX55-C6V8 Код товару: 42067 |
Виробник: NXP
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-35
Напруга стабілізації, Vz: 6,8 V
Струм стабілізації, Izt: 5mA
Потужність, Pd: 0,4 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 3.0mV/K
у наявності: 2702 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.3 грн |
100+ | 1 грн |
1000+ | 0.8 грн |
1,0 kOhm 1% 0,25W вив. (MFR025FTB-1KR – Hitano) Код товару: 150096 |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
Вивідні резистори > 0,25W
Номінал: 1 kOhm
Точність: ±1%
Рном,W: 0,25 W
Uроб,V: 250 V
Габарити: 6х2,3 mm; Dвів = 0,55 mm
Тип: метало-плівкові
у наявності: 300 шт
очікується:
20000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 0.8 грн |
100+ | 0.68 грн |
1000+ | 0.55 грн |