IRF1404ZPBF
у наявності 187 шт:
148 шт - склад
15 шт - РАДІОМАГ-Київ
4 шт - РАДІОМАГ-Одеса
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 58 грн |
10+ | 53.5 грн |
100+ | 48.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1404ZPBF за ціною від 38.49 грн до 117.3 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg |
на замовлення 10311 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 3.7mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.1µC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 0.0037 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0037ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 13446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V |
на замовлення 3251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : International Rectifier Corporation | TO-220AB |
на замовлення 90 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||||
IRF1404ZPBF | Виробник : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
З цим товаром купують
PC817A Код товару: 18418 |
Виробник: Sharp
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: DIP-4
Тип: Транзистор
Uізол,kV: 5 kV
Iвх/Iвых,mA: 50/50 mA
Uвых,V: 35 V
Ton/Toff,µs: 18/18 µs
Роб.темп.,°С: -30…+100°C
у наявності: 1747 шт
очікується:
6000 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4.1 грн |
100+ | 3.7 грн |
1000+ | 3.3 грн |
IRF4905PBF Код товару: 22366 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Id,A: 74 A
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3400/180
Монтаж: THT
у наявності: 156 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48.5 грн |
10+ | 43.6 грн |
100+ | 39.5 грн |
IRF1404PBF Код товару: 31360 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 834 шт
очікується:
3 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 48 грн |
10+ | 44 грн |
100+ | 39.6 грн |
1N4007 Код товару: 1574 |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Корпус: DO-41
Uзвор., V: 1000 V
Iвипр., A: 1 A
Опис: Випрямний
Може замінити: 1N4001, 1N4002, 1N4003, 1N4004, 1N4005, 1N4006
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,1 V
товар відсутній
BZX85-C12 Код товару: 31111 |
Виробник: Vishay
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 20mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 12 V
Струм стабілізації, Izt: 20mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: -
у наявності: 1008 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.5 грн |
100+ | 2 грн |
1000+ | 1.6 грн |