IRF1404ZPBF
Код товару: 26520
1
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник: IR
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 0,0037 Ohm
Монтаж: THT
у наявності 135 шт:
70 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
15 шт - РАДІОМАГ-Львів
10 шт - РАДІОМАГ-Харків
10 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 58.00 грн |
| 10+ | 53.50 грн |
| 100+ | 48.90 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції IRF1404ZPBF за ціною від 25.38 грн до 195.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 190A Power dissipation: 220W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Gate charge: 0.1µC On-state resistance: 3.7mΩ |
на замовлення 1153 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 220W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm |
на замовлення 1159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF1404ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V |
на замовлення 564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 510+ | 27.71 грн |
| 530+ | 26.67 грн |
| 537+ | 26.32 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 28.21 грн |
| 28+ | 27.71 грн |
| 100+ | 26.67 грн |
| 500+ | 25.38 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 169+ | 83.68 грн |
| 223+ | 63.32 грн |
| 500+ | 58.25 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 98.77 грн |
| 10+ | 83.94 грн |
| 100+ | 63.51 грн |
| 500+ | 56.35 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 190A; 220W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 190A
Power dissipation: 220W
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Gate charge: 0.1µC
On-state resistance: 3.7mΩ
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 100.28 грн |
| 10+ | 65.18 грн |
| 25+ | 62.64 грн |
| 50+ | 60.10 грн |
| 100+ | 57.56 грн |
| 500+ | 51.64 грн |
| 1000+ | 48.25 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
Description: INFINEON - IRF1404ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 190 A, 3700 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 220W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3700µohm
на замовлення 1159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 160.81 грн |
| 10+ | 103.38 грн |
| 100+ | 66.38 грн |
| 500+ | 51.20 грн |
| 1000+ | 46.13 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 78+ | 182.40 грн |
| 112+ | 126.56 грн |
| 185+ | 76.46 грн |
| 500+ | 64.60 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
MOSFETs MOSFT 40V 190A 3.7mOhm 100nC Qg
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 191.99 грн |
| 10+ | 121.31 грн |
| 100+ | 71.03 грн |
| 500+ | 60.48 грн |
| 1000+ | 54.01 грн |
| 2000+ | 51.06 грн |
| 5000+ | 48.52 грн |
| IRF1404ZPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4340 pF @ 25 V
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 195.42 грн |
| 10+ | 120.53 грн |
| 100+ | 82.04 грн |
| 500+ | 61.53 грн |
З цим товаром купують
| IRF3205PBF Код товару: 25094
16
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR/Infineon
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 110 A
Rds(on), Ohm: 0,0065 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3450/76
Монтаж: THT
у наявності: 1385 шт
1273 шт - склад
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
30 шт - РАДІОМАГ-Київ
46 шт - РАДІОМАГ-Львів
36 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 30.00 грн |
| 10+ | 29.00 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| 1000+ | 27.00 грн |
| IRF1404PBF Код товару: 31360
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 40 V
Idd,A: 202 A
Rds(on), Ohm: 0,004 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 7360/160
Монтаж: THT
у наявності: 804 шт
770 шт - склад
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
34 шт - РАДІОМАГ-Київ
очікується:
3 шт
3 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 48.00 грн |
| 10+ | 44.00 грн |
| 100+ | 39.60 грн |
| IRF740PBF Код товару: 162988
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1400/63
Монтаж: THT
у наявності: 731 шт
683 шт - склад
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
12 шт - РАДІОМАГ-Київ
28 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Харків
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.90 грн |
| 100+ | 28.00 грн |
| Li-Ion 3500мАг, 3,7В, 18650 LiitoKala літій-іонний акумулятор з виводами LiitoKala-35E-N Код товару: 184011
15
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: LiitoKala
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність, mAh: 3500 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,7 V
Вага, g: 49,7 g
Відмінності: З контактами
Акумулятори > LiIon акумулятори
Технологія: Li-Ion
Типорозмір / габарити: 18650
Ємність, mAh: 3500 mAh
Форма: циліндрична
Напруга, V: 3,7 V
Вага, g: 49,7 g
Відмінності: З контактами
у наявності: 63 шт
43 шт - склад
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
7 шт - РАДІОМАГ-Київ
5 шт - РАДІОМАГ-Львів
8 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
очікується:
400 шт
200 шт - очікується 26.09.2026
200 шт - очікується 03.07.2026
200 шт - очікується 03.07.2026
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 200.00 грн |
| 10+ | 178.00 грн |
| 10uF 50V ECR 5x11mm (ECR100M50B-Hitano) (електролітичний конденсатор) Код товару: 3129
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
Конденсатори > Електролітичні конденсатори вивідні
Ємність: 10 µF
Номін.напруга: 50 V
Серія: ECR
Тип: загального призначення підходять для автоматичної установки мініатюрні з температурою 85С
Темп.діап.: -40...+85°C
Габарити: 5х11mm
Строк життя: 2000 годин
у наявності: 19955 шт
19525 шт - склад
225 шт - РАДІОМАГ-Київ
205 шт - РАДІОМАГ-Харків
225 шт - РАДІОМАГ-Київ
205 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується:
200 шт
200 шт - очікується
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 1.50 грн |
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.60 грн |
| 1000+ | 0.40 грн |











