на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 14.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис SI4800BDY-T1-E3 Vishay
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.
Інші пропозиції SI4800BDY-T1-E3 за ціною від 16.67 грн до 61.77 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
 Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SOPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 30mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3004 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Semiconductors |
MOSFETs 30V 9A 2.5W |
на замовлення 6968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V |
на замовлення 6824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| SI4800BDY-T1-E3 | Виробник : Siliconix |
N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185Ω SI4800BDY-e3 TSI4800bdy-e3 кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| SI4800BDYT1E3 | Виробник : VISHAY |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
 |
SI4800BDY-T1-E3 Код товару: 52358 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|