Продукція > VISHAY > SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3 Vishay

si4800bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4800BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4800BDY-T1-E3 за ціною від 17.03 грн до 72.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4800bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4800bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+25.86 грн
25+25.45 грн
100+24.14 грн
250+21.98 грн
500+20.76 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4800bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
439+27.85 грн
446+27.40 грн
453+26.96 грн
461+25.57 грн
500+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 439
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4800BDY-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+43.74 грн
12+32.57 грн
46+19.69 грн
125+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY SI4800BDY-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
On-state resistance: 30mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 13nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±25V
Mounting: SMD
Case: SO8
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1875 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
6+52.49 грн
10+40.59 грн
46+23.63 грн
125+22.35 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4800bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 6799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+57.30 грн
10+42.53 грн
100+33.01 грн
500+29.20 грн
1000+27.15 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4800bd.pdf MOSFETs 30V 9A 2.5W
на замовлення 6508 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
5+72.61 грн
10+51.44 грн
100+31.41 грн
500+26.19 грн
1000+24.57 грн
2500+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4800bd.pdf N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185Ω SI4800BDY-e3 TSI4800bdy-e3
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4800bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.