Продукція > VISHAY > SI4800BDY-T1-E3
SI4800BDY-T1-E3

SI4800BDY-T1-E3 Vishay

si4800bd.pdf Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+15.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис SI4800BDY-T1-E3 Vishay

Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V.

Інші пропозиції SI4800BDY-T1-E3 за ціною від 9.34 грн до 59.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4800bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+26.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4800bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+28.43 грн
59+12.01 грн
60+11.82 грн
61+11.22 грн
62+10.22 грн
100+9.65 грн
250+9.50 грн
500+9.34 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Semiconductors si4800bd.pdf MOSFETs 30V 9A 2.5W
на замовлення 6081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
10+36.44 грн
12+31.26 грн
100+24.74 грн
500+24.44 грн
1000+23.75 грн
2500+23.60 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+41.98 грн
13+31.26 грн
100+26.41 грн
500+23.23 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8C7AE4786FA469&compId=SI4800BDY-E3.pdf?ci_sign=ef227de5271d149492adc5fd67359e1457b08a4a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 7A; Idm: 40A; 2.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
7+50.37 грн
10+38.96 грн
100+31.69 грн
500+27.87 грн
1000+26.35 грн
2500+24.44 грн
5000+23.01 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay Siliconix si4800bd.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 6.5A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.5mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
на замовлення 6799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+59.48 грн
10+44.15 грн
100+34.27 грн
500+30.32 грн
1000+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Vishay si4800bd.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 Виробник : Siliconix si4800bd.pdf N-MOSFET 6.5A 30V 1.3W 0.0185Ω SI4800BDY-e3 TSI4800bdy-e3
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
45+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDYT1E3 Виробник : VISHAY
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI4800BDY-T1-E3 SI4800BDY-T1-E3
Код товару: 52358
Додати до обраних Обраний товар

si4800bd.pdf Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.