Інші пропозиції AO3401A транзистор за ціною від 2.64 грн до 35.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AO3401A | GOODWORK |
Description: SOT-23 |
на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3401A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
на замовлення 326950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3401A | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD P channel transistorsDescription: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -4A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 50mΩ Mounting: SMD Gate charge: 7nC Kind of channel: enhancement |
на замовлення 4448 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3401A | UMW |
Description: 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3 |
на замовлення 1443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3401A | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3LPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V |
на замовлення 326950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO3401A |
![]() |
Виробник: GOODWORK
Description: SOT-23
Description: SOT-23
на замовлення 111000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.64 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 326950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 7.83 грн |
| 9000+ | 6.50 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -4A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 4448 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 19+ | 24.00 грн |
| 33+ | 12.71 грн |
| 42+ | 9.90 грн |
| 100+ | 6.68 грн |
| 191+ | 4.95 грн |
| 527+ | 4.70 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: UMW
Description: 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3
Description: 30V 4.1A 65MR@10V,4.2A 350MW 1.3
на замовлення 1443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 33.17 грн |
| 16+ | 19.53 грн |
| 50+ | 14.10 грн |
| 100+ | 11.58 грн |
| 500+ | 8.66 грн |
| AO3401A |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 4A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 15 V
на замовлення 326950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 35.48 грн |
| 15+ | 21.02 грн |
| 50+ | 15.21 грн |
| 100+ | 12.50 грн |
| 500+ | 9.37 грн |
З цим товаром купують
| IRF540NPBF Код товару: 3289
2
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 33 А
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1960/71
Монтаж: THT
у наявності: 326 шт
- 247 шт - склад
- 51 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 20 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 8 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 11 шт
- 11 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35.00 грн |
| 10+ | 31.50 грн |
| 100+ | 27.90 грн |
| IRFZ44NPBF Код товару: 35403
7
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 49 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 49 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
у наявності: 896 шт
- 852 шт - склад
- 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 6 шт - РАДІОМАГ-Львів
- 20 шт - РАДІОМАГ-Харків
на замовлення: 25 шт
- 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 18.00 грн |
| 10+ | 16.00 грн |
| 100+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.20 грн |
| 10 kOhm 1% 1/16W 50V 0402 (RC0402FR-10KR-Hitano) Код товару: 50866
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
SMD резистори > 0402
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном.,Вт: 1/16 Вт
Uроб.,В: 50 В
Типорозмір: 0402
Температура: -55...+155°С
SMD резистори > 0402
Номінал: 10 кОм
Точність: ±1% F
Pном.,Вт: 1/16 Вт
Uроб.,В: 50 В
Типорозмір: 0402
Температура: -55...+155°С
товару немає в наявності
очікується: 40000 шт
- 40000 шт - очікується
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 1.00 грн |
| 100+ | 0.20 грн |
| 1000+ | 0.10 грн |
| 10000+ | 0.07 грн |
| 100nF 16V 10% X7R 0402 (CL05B104KO5NNNC – Samsung) Код товару: 103686
Додати до обраних
Обраний товар
|
Виробник: Samsung
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 100 нФ
Ном. напруга: 16 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0402
Керамічні SMD конденсатори > 0402
Номінал: 100 нФ
Ном. напруга: 16 В
Діелектрик: X7R
Точність: ±10% K
Типорозмір: 0402
у наявності: 28433 шт
- 27863 шт - склад
- 470 шт - РАДІОМАГ-Київ
- 100 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 50+ | 0.40 грн |
| 100+ | 0.30 грн |
| 1000+ | 0.20 грн |











