Інші пропозиції AO3420 за ціною від 2.71 грн до 42.82 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
AO3420 | HXY MOSFET |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3420 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3420 HXY MOSFET TAO3420 HXYкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AO3420 | HOTTECH |
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3420 SOT23-3L TAO3420 cкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AO3420 | ALPHA&OMEGA |
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3420 TAO3420кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 1759 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
AO3420 | ALPHA&OMEGA |
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3420 TAO3420кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3LPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 |
на замовлення 669000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3420 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; 0.9W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: N-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Gate charge: 12.5nC On-state resistance: 55mΩ Power dissipation: 0.9W Drain current: 5A Gate-source voltage: ±12V Drain-source voltage: 20V |
на замовлення 2410 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
AO3420 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. |
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3LPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 |
на замовлення 671074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| AO3420 |
![]() |
Виробник: HXY MOSFET
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3420 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3420 HXY MOSFET TAO3420 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6,5A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: AO3420 Alpha&Omega Semiconductor AOS; AO3420 HXY MOSFET TAO3420 HXY
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 2.71 грн |
| AO3420 |
![]() |
Виробник: HOTTECH
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3420 SOT23-3L TAO3420 c
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3420 SOT23-3L TAO3420 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.80 грн |
| AO3420 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3420 TAO3420
кількість в упаковці: 3000 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3420 TAO3420
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 1759 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.34 грн |
| AO3420 |
![]() |
Виробник: ALPHA&OMEGA
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3420 TAO3420
кількість в упаковці: 3000 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 6A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; AO3420 TAO3420
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.34 грн |
| AO3420 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 669000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.87 грн |
| 6000+ | 8.67 грн |
| 9000+ | 8.25 грн |
| 15000+ | 7.29 грн |
| 21000+ | 7.02 грн |
| 30000+ | 6.77 грн |
| AO3420 |
![]() |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; 0.9W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 5A; 0.9W; SOT23
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 55mΩ
Power dissipation: 0.9W
Drain current: 5A
Gate-source voltage: ±12V
Drain-source voltage: 20V
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 11.33 грн |
| 77+ | 5.53 грн |
| 100+ | 5.01 грн |
| 500+ | 4.40 грн |
| AO3420 |
![]() |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
Description: MOSFET N-CH 20V 6A SOT23-3L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, SOT-23-3 Variant
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 10 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10
на замовлення 671074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 42.82 грн |
| 12+ | 25.81 грн |
| 100+ | 16.50 грн |
| 500+ | 11.70 грн |
| 1000+ | 10.48 грн |




