APT60M80JVR
Виробник:
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис APT60M80JVR
Description: MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 568W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA, Supplier Device Package: ISOTOP®, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 870 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V.
Інші пропозиції APT60M80JVR
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
APT60M80JVR | Виробник : Microchip Technology |
 Trans MOSFET N-CH 600V 55A 4-Pin SOT-227 Tube |
товару немає в наявності |
|
 |
APT60M80JVR | Виробник : Microsemi Corporation |
Description: MOSFET N-CH 600V 55A ISOTOP Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 568W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: ISOTOP® Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 870 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14500 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |