Продукція > ANALOG DEVICES INC./MAXIM INTEGRATED > DS1230Y-100+
DS1230Y-100+

DS1230Y-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1230AB-DS1230Y.pdf Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2682.72 грн
12+2372.63 грн
36+2280.71 грн
60+2100.77 грн
108+2055.77 грн
252+1992.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1230Y-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DS1230Y-100+ за ціною від 2039.33 грн до 3163.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2896.02 грн
12+2622.22 грн
24+2191.30 грн
60+2151.03 грн
108+2096.32 грн
252+2039.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3163.08 грн
12+2905.67 грн
36+2791.46 грн
108+2479.68 грн
252+2226.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y100 Виробник : DALLAS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf 01+ DIP28
на замовлення 124 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf 07+;
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf 08+;
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP
на замовлення 19224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP-28 08+09+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ Виробник : Maxim ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ Виробник : Maxim DS1230AB-DS1230Y.pdf 256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 DS1230Y-100 Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 DS1230Y-100 Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated ds1230ab_ds1230y-3110439.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.