DS1230Y-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2898.93 грн |
| 12+ | 2562.72 грн |
| 36+ | 2463.15 грн |
| 60+ | 2268.70 грн |
| 108+ | 2219.99 грн |
| 252+ | 2151.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-100+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: -, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 28Pin(s), Speichergröße: 256Kbit, Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.
Інші пропозиції DS1230Y-100+ за ціною від 2224.16 грн до 3125.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-100+ | ANALOG DEVICES |
 Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIPtariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
DS1230Y-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
DS1230Y-100+ | Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
DS1230Y-100+ | Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| DS1230Y100 | DALLAS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y-100 | DALLAS |
DIP |
на замовлення 19224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1230Y-100+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3125.23 грн |
| 12+ | 2868.88 грн |
| 36+ | 2757.18 грн |
| 108+ | 2458.75 грн |
| 252+ | 2224.16 грн |
| DS1230Y-100+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DS1230Y-100+ |
|
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DS1230Y-100+ |
|
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DS1230Y100 |
Виробник: DALLAS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| DS1230Y-100 |
|
Виробник: DALLAS
DIP
DIP
на замовлення 19224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)