Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-100+ DS
- NVSRAM, 256K, FULLY STATIC, 1230
- Memory Type:NVRAM
- Interface Type:Parallel
- Memory Size:256Kbit
- Memory Configuration:32K x 8bit
- Access Time:100ns
- NVRAM Features:Internal Battery
- Memory Voltage Vcc:5V
- Min Supply Voltage:4.5V
- Max Supply Voltage:5.5V
- Termination Type:Through Hole
- Case Style:DIP
- No. of Pins:28
- Operating Temperature Range:-40`C to +85`C
- Max Operating Temperature:85`C
- Min Temperature Operating:-40`C
- Base Number:1230
- IC Generic Number:1230
- IC Temperature Range:Industrial
- Memory IC Case Style:DIP
Інші пропозиції DS1230Y-100+ за ціною від 1852.88 грн до 3132.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-100+ | Analog Devices / Maxim Integrated |
  NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DS1230Y-100+ | Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DS1230Y-100+ | ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP tariffCode: 85423245 euEccn: NLR Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 28Pin(s) Speichergröße: 256Kbit Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM |
на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
DS1230Y-100+ | Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
DS1230Y-100+ | Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DS1230Y100 | DALLAS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DS1230Y-100 | DALLAS |
DIP |
на замовлення 19224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DS1230Y-100+ |
|
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2631.23 грн |
| 12+ | 2382.47 грн |
| 24+ | 1990.94 грн |
| 60+ | 1954.36 грн |
| 108+ | 1904.65 грн |
| 252+ | 1852.88 грн |
| DS1230Y-100+ |
|
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2905.39 грн |
| 12+ | 2568.43 грн |
| 36+ | 2468.63 грн |
| 60+ | 2273.75 грн |
| 108+ | 2224.93 грн |
| 252+ | 2155.93 грн |
| DS1230Y-100+ |
|
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 3132.19 грн |
| 12+ | 2875.27 грн |
| 36+ | 2763.32 грн |
| 108+ | 2464.23 грн |
| 252+ | 2229.11 грн |
| DS1230Y-100+ |
|
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DS1230Y-100+ |
|
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DS1230Y100 |
Виробник: DALLAS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
| DS1230Y-100 |
|
Виробник: DALLAS
DIP
DIP
на замовлення 19224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)