Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-100+ DS
- NVSRAM, 256K, FULLY STATIC, 1230
- Memory Type:NVRAM
- Interface Type:Parallel
- Memory Size:256Kbit
- Memory Configuration:32K x 8bit
- Access Time:100ns
- NVRAM Features:Internal Battery
- Memory Voltage Vcc:5V
- Min Supply Voltage:4.5V
- Max Supply Voltage:5.5V
- Termination Type:Through Hole
- Case Style:DIP
- No. of Pins:28
- Operating Temperature Range:-40`C to +85`C
- Max Operating Temperature:85`C
- Min Temperature Operating:-40`C
- Base Number:1230
- IC Generic Number:1230
- IC Temperature Range:Industrial
- Memory IC Case Style:DIP
Інші пропозиції DS1230Y-100+ за ціною від 1875.64 грн до 3923.20 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1073 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DS1230Y-100+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIPtariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026) |
на замовлення 376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| DS1230Y100 | Виробник : DALLAS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS |
DIP |
на замовлення 19224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| DS1230Y-100+ | Виробник : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230кількість в упаковці: 12 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DS1230Y-100 | Виробник : Maxim Integrated |
SRAM 256 Kb 5 V +-10% 100 нсек расческа 28 PIN Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
| DS1230Y-100+ | Виробник : Maxim Integrated |
SRAM 256 Kb 5 V +-10% 100 нсек расческа 28 PIN Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
|
DS1230Y-100 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIPPackaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
DS1230Y-100 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |




