DS1230Y-100+ Analog Devices, Inc.
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 1300.9 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-100+ Analog Devices, Inc.
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1230Y-100+ за ціною від 1400.97 грн до 1400.97 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS | 01+ DIP28 |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS | DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
DS1230Y100 | Виробник : DALLAS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS | 07+; |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS | 08+; |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS | DIP |
на замовлення 19224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
DS1230Y-100 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
||||||
DS1230Y-100 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
||||||
DS1230Y-100+ Код товару: 30908 |
Виробник : DS |
Мікросхеми > Пам'ять |
товар відсутній
|
||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Maxim | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP |
товар відсутній |
||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |