DS1230Y-100+

DS1230Y-100+


DS1230AB-DS1230Y.pdf
Код товару: 30908
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: DS
Мікросхеми > Пам'ять

товару немає в наявності

В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1230Y-100+ DS

  • NVSRAM, 256K, FULLY STATIC, 1230
  • Memory Type:NVRAM
  • Interface Type:Parallel
  • Memory Size:256Kbit
  • Memory Configuration:32K x 8bit
  • Access Time:100ns
  • NVRAM Features:Internal Battery
  • Memory Voltage Vcc:5V
  • Min Supply Voltage:4.5V
  • Max Supply Voltage:5.5V
  • Termination Type:Through Hole
  • Case Style:DIP
  • No. of Pins:28
  • Operating Temperature Range:-40`C to +85`C
  • Max Operating Temperature:85`C
  • Min Temperature Operating:-40`C
  • Base Number:1230
  • IC Generic Number:1230
  • IC Temperature Range:Industrial
  • Memory IC Case Style:DIP

Інші пропозиції DS1230Y-100+ за ціною від 1875.64 грн до 3923.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2663.57 грн
12+2411.74 грн
24+2015.41 грн
60+1978.37 грн
108+1928.05 грн
252+1875.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2941.09 грн
12+2599.99 грн
36+2498.97 грн
60+2301.69 грн
108+2252.27 грн
252+2182.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : ANALOG DEVICES datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: DIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 100ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: Parallel
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
на замовлення 376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3923.20 грн
12+3626.43 грн
36+3509.03 грн
108+3097.88 грн
252+2764.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y100 Виробник : DALLAS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP
на замовлення 19224 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ DS1230Y-100+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ Виробник : Maxim DS1230AB-DS1230Y.pdf 256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 Виробник : Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf SRAM 256 Kb 5 V +-10% 100 нсек расческа 28 PIN Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100+ Виробник : Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf SRAM 256 Kb 5 V +-10% 100 нсек расческа 28 PIN Група товару: Мікросхеми пам'яті Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 DS1230Y-100 Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-100 DS1230Y-100 Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated ds1230ab_ds1230y-3110439.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.