DS1230Y-120+ Analog Devices, Inc.
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 2030.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-120+ Analog Devices, Inc.
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 120ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1230Y-120+ за ціною від 1644.74 грн до 2352.06 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 132 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1230Y-120 | Виробник : DALLAS | 09+ |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1230Y120 | Виробник : DALLAS | 09+ BGA |
на замовлення 771 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1230Y-120 | Виробник : DALLAS | DIP |
на замовлення 1113 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1230Y-120+ | Виробник : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
DS1230Y-120+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-120+ | Виробник : Maxim | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices, Inc. | NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Mounting: THT Memory: 256b SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 120ns Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 32kx8bit Kind of interface: parallel кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-120 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-120 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated | NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
||||||||||||||
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Mounting: THT Memory: 256b SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 120ns Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 32kx8bit Kind of interface: parallel |
товар відсутній |