DS1230Y-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2558.08 грн |
| 12+ | 2316.40 грн |
| 36+ | 2236.02 грн |
| 60+ | 2032.08 грн |
| 108+ | 1788.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 120ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DS1230Y-120+ за ціною від 2559.19 грн до 3119.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
DS1230Y-120+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 120ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
| DS1230Y-120 | Виробник : DALLAS |
09+ |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1230Y120 | Виробник : DALLAS | 09+ BGA |
на замовлення 771 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1230Y-120 | Виробник : DALLAS |
DIP |
на замовлення 1113 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||
| DS1230Y-120+ | Виробник : Maxim |
256K Nonvolatile SRAM DS1230 кількість в упаковці: 12 шт |
на замовлення 161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
| DS1230Y-120+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
||||||||||
|
|
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28 Mounting: THT Case: DIP28 Operating voltage: 4.5...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 120ns Kind of interface: parallel Memory: 256b SRAM кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DS1230Y-120 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
DS1230Y-120 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
DS1230Y-120+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28 Mounting: THT Case: DIP28 Operating voltage: 4.5...5.5V Type of integrated circuit: SRAM memory Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 32kx8bit Access time: 120ns Kind of interface: parallel Memory: 256b SRAM |
товару немає в наявності |