DS1230Y-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated


DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2696.68 грн
12+2385.07 грн
36+2292.47 грн
60+2111.56 грн
108+2066.28 грн
252+2002.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1230Y-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, euEccn: NLR, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Zugriffszeit: 120ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026), Anzahl der Pins: 28Pin(s), Speichergröße: 256Kbit, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM.

Інші пропозиції DS1230Y-120+ за ціною від 3112.67 грн до 3112.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+3112.67 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ ANALOG DEVICES DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y120 DALLAS 09+ BGA
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120 DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ Maxim DS1230AB-DS1230Y.pdf 256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ ds1230ab-ds1230y.pdf
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+3112.67 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
euEccn: NLR
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Speichergröße: 256Kbit
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ ds1230ab-ds1230y.pdf
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: Analog Devices / Maxim Integrated
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 573 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ ds1230ab-ds1230y.pdf
Виробник: Analog Devices, Inc.
NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y120
Виробник: DALLAS
09+ BGA
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120 DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: DALLAS
DIP
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230AB-DS1230Y.pdf
Виробник: Maxim
256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.