Продукція > ANALOG DEVICES INC./MAXIM INTEGRATED > DS1230Y-120+
DS1230Y-120+

DS1230Y-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

DS1230AB-DS1230Y.pdf Виробник: Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+2861.14 грн
12+2530.52 грн
36+2432.28 грн
60+2240.34 грн
108+2192.29 грн
252+2124.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DS1230Y-120+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated

Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 120ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025).

Інші пропозиції DS1230Y-120+ за ціною від 1972.32 грн до 3244.20 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3089.34 грн
12+2796.10 грн
24+2337.14 грн
60+1972.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Виробник : ANALOG DEVICES DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-120+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 120 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 120ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 256Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (21-Jan-2025)
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+3244.20 грн
12+3066.86 грн
36+2480.26 грн
108+2158.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf 09+
на замовлення 384 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y120 Виробник : DALLAS 09+ BGA
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120 Виробник : DALLAS DS1230AB-DS1230Y.pdf DIP
на замовлення 1113 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ Виробник : Maxim DS1230AB-DS1230Y.pdf 256K Nonvolatile SRAM DS1230
кількість в упаковці: 12 шт
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ Виробник : Maxim ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Виробник : Analog Devices, Inc. ds1230ab-ds1230y.pdf NVRAM NVSRAM Parallel 256Kbit 5V 28-Pin EDIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120 DS1230Y-120 Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated DS1230AB-DS1230Y.pdf Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120 DS1230Y-120 Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated ds1230ab_ds1230y-3110439.pdf NVRAM 256k Nonvolatile SRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DS1230Y-120+ DS1230Y-120+ Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED4A0BAFFBD78C935EA&compId=DS1230Y-120%2B.pdf?ci_sign=67df0364e02f755a144d5202a37bbb59c69e1147 Category: Parallel SRAM memories - integ. circ.
Description: IC: SRAM memory; 256bSRAM; 32kx8bit; 4.5÷5.5V; 120ns; DIP28
Type of integrated circuit: SRAM memory
Kind of memory: NV SRAM
Memory: 256b SRAM
Memory organisation: 32kx8bit
Operating voltage: 4.5...5.5V
Access time: 120ns
Case: DIP28
Kind of interface: parallel
Mounting: THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.