EMD9T2R Rohm Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 9.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EMD9T2R Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 150mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 250MHz, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: EMT6.
Інші пропозиції EMD9T2R за ціною від 8.00 грн до 47.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
EMD9T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EMD9T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
EMD9T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin EMT T/R |
на замовлення 4307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
EMD9T2R | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors PNP/NPN 50V 70MA |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| EMD9-T2R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
| EMD9T2R | Виробник : ROHM |
SOT363 |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| EMD9 T2R | Виробник : ROHM | SOT663 |
на замовлення 32000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
EMD9T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
EMD9T2R | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V EMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: EMT6 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| EMD9T2R | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Current gain: 68 |
товару немає в наявності |